Fターム[5F102GN00]の内容
接合型電界効果トランジスタ (42,929) | 表面半導体層(ゲートメタル電極底面より高い位置にある層) (914)
Fターム[5F102GN00]の下位に属するFターム
単一半導体層 (704)
ノンドープ層、高抵抗層 (23)
多層構造(起格子を含む) (136)
不純物濃度分布が不均一 (9)
組成(バンドギャップ)が不均一 (40)
Fターム[5F102GN00]に分類される特許
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ZnOデバイス
【課題】 ZnOトランジスタ又はHEMTのようなZnOデバイスにおいて、ソース・ドレインのコンタクト抵抗を減少させることを課題とする。
【解決手段】 Zn極性面を有するアンドープZnO層をチャンネル層とし、該Zn極性面を有するZnO層上には、極性面反転層を介して、ソース・ドレインに接続されたO極性高濃度n型ZnO層が、選択的に形成されていることを特徴とするZnOデバイスである。
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化合物半導体装置及びその製造方法
【課題】 電界緩和を図り高耐圧化を実現することに加え、デバイスサイズの更なる減少化、正孔の引き抜きを容易にして、信頼性の高い優れた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体装置は、GaAs等の第1の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプII構造のバンド構造を有する属元素と6属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスGaS層(a−GaS層)を有するものである。
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