【課題】比較的簡素な構成で、シート抵抗及びゲートリーク電流の増加、出力の低下等の不都合を生ぜしめることなく、所期のノーマリ・オフを実現する。
【解決手段】化合物半導体層が電子走行層２、中間層３、電子供給層４、及びキャップ層５を有して構成され、キャップ層５上にゲート絶縁膜９を介してゲート電極１５が形成されており、ゲート絶縁膜９は、キャップ層５の表面に酸素プラズマが照射されて形成されたＧａ₂Ｏ₃を含む極性反転層６と、極性反転層６の存在でＯ極性のＺｎＯとなった逆極性層７とが積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】窒化物系III‐Ｖ化合物半導体からなるＨＦＥＴのノーマリオフ化を図る。
【解決手段】ＧaＮチャネル層３上に積層されたＡl_0.2Ｇa_0.8Ｎ障壁層４に大きさおよび形状がランダムに形成された凹部８内を埋めるようにゲート電極７を形成している。こうして、２次元電子ガス(２ＤＥＧ)が発生する面積を減少させ、全体の２ＤＥＧ密度を低減させて、ノーマリオフ化を図ることができる。その際に、ＡlＧaＮ障壁層４における転位部分(結晶欠陥部分)を選択的にウェットエッチングすることにより、ダメージを生じさせることなく大きさおよび形状がランダムな凹部８を形成し、チャネル移動度の低下を抑制してチャネル領域でのオン抵抗の増大を防止する。 （もっと読む）

【課題】ドナー元素を含む半導体層を備えた半導体素子を形成する場合に、このドナー元素が上層に拡散することを抑制することができる半導体素子を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板上にＧａドープＭｇＺｎＯ層、アンドープＭｇＺｎＯ層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層、アンドープ活性層、窒素ドープＭｇＺｎＯ層と積層した積層体でＧａの拡散を分析した。アンドープＭｇＺｎＯ層の次の窒素ドープＭｇＺｎＯ層で、拡散してきたＧａの濃度が表面側になるにつれて、急激に減少しており、この窒素ドープＭｇＺｎＯ層の上層にＧａは拡散していない。このように、ドナー元素を含む同一組成のドナー含有半導体層の一部に、アクセプタ元素を含み前記ドナー含有半導体層と同一組成のアクセプタ含有半導体層を形成することで、ドナー元素の拡散を防止できる。 （もっと読む）

【課題】高性能、高品質のチャ領域を構成することができるＺｎＯ系トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｍｇ_ＺＺｎＯ基板１上に、Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２、Ｍｇ_ＹＺｎＯ層３が積層されている。Ｍｇ_ＸＺｎＯ層２とＭｇ_ＹＺｎＯ層３の界面で２次元電子ガスが発生する。４はゲート絶縁膜又は有機物電極であり、Ｍｇ_ＹＺｎＯ層３に接して形成されている。ゲート絶縁膜又は有機物電極４上にはゲート電極５が、ドナードープ部３ａ上には各々ソース電極６、ドレイン電極７が形成されている。このように、トランジスタのチャネル領域をＭｇＺｎＯ層で形成する。 （もっと読む）

【課題】ソース／ドレイン電極の下側のポテンシャル障壁を低くして、ソース／ドレイン電極下側の寄生抵抗を低減することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るヘテロ接合電界効果型トランジスタは、窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果型トランジスタであって、チャネル層３０と、チャネル層３０上にスペーサ層４０を介して形成されたバリア層５０とを備える。バリア層５０上に形成されたゲート電極８０と、バリア層５０上に、ゲート電極８０を挟んで形成されるソース／ドレイン電極７０とを備える。そして、ソース／ドレイン電極７０下側の少なくとも一部の領域、例えば、バリア層５０、スペーサ層４０、チャネル層３０のに形成されるｎ型不純物領域９０を備える。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体層を備え、ノーマリオフ化したヘテロ接合電界効果トランジスタを簡略に製造する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に半導体層を備え、前記半導体層が基板側から、窒化ガリウム系化合物半導体からなるチャネル層と、障壁層とをこの順で備え、前記半導体層上にソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極間に位置するゲート電極とを備えたヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法であって、前記半導体層が、フッ素系ガスプラズマによる処理に付されて、ドライエッチングされ、かつフッ素導入され、前記ドライエッチングにより、処理前の半導体層の表面から障壁層の下面までの厚さの１０％以上の厚さで半導体層が除去されることを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明に係るトランジスタは、チャネル層を有する活性領域を含み、この活性領域と接触してソースおよびドレイン電極が形成され、このソース電極とドレイン電極との間にあって活性領域と接触したゲートが形成される。ゲートとドレイン電極との間およびゲートとソース電極との間の複数の活性領域の表面の少なくとも一部分上にスペーサ層がある。このスペーサ層上にはフィールドプレートがあり、活性領域の上のスペーサ上をドレイン電極に向かって延びる。このフィールドプレートはさらに、活性領域の上のスペーサ層上をソース電極に向かって延びる。少なくとも１つの導電性経路が、フィールドプレートをソース電極またはゲートに電気的に接続する。
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