Fターム[5F102GQ01]の内容
接合型電界効果トランジスタ (42,929) | ヘテロ接合近傍の2次元キャリア層を導電路に利用するもの(H) (2,045) | 単一ヘテロ構造(電子) (1,860)
Fターム[5F102GQ01]の下位に属するFターム
電子供給層がチャネル層の下 (138)
Fターム[5F102GQ01]に分類される特許
1,721 - 1,722 / 1,722
半導体装置及びその製造方法
【課題】ゲート長の短いゲート電極を有し、しかも低抵抗で高周波特性が優れている半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくともノンドープInGaP層又はノンドープInAlGaP層からなる上層半導体層12と、この上層半導体層直下にGaAs層またはAlGaAs層からなる下層半導体層11を含む半導体基板に、上層半導体層表面から上層半導体層への浸入が、下層半導体層で略停止するショットキーゲート電極15と、このショットキーゲート電極部に接続して第1の電極の抵抗を低減する第2の電極部16からなるT字型ゲート電極を形成する。
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ヘテロ接合型電界効果トランジスタ
【課題】耐圧性、特性安定性に優れ、ゲートリーク電流が低減されたヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供すること。
【解決手段】半導体基板上にバッファ層と、チャネル層と、スペーサ層と、キャリア供給層と、ショットキーバリア層と、高濃度不純物ドープキャップ層とが順次堆積され、ソース電極及びドレイン電極がキャップ層表面に形成され、ソース電極とドレイン電極の間のキャップ層にショットキーバリア層に達する開口部が形成され、開口部に露出したショットキーバリア層表面にゲート電極が形成されているヘテロ接合型電界効果トランジスタであって、キャップ層が複数の細線で構成され、細線間はショットキーバリア層が露出し、ソース電極及びドレイン電極が、細線と細線間に露出したショットキーバリア層との両方に接触していることを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタを構成する。
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