【課題】 高耐圧で低オン抵抗の半導体装置を提供する。
【解決手段】 ｐ型基板に、ｐ型ウェル領域３、ｎ型ドリフト領域４、複数のｎ⁺型ソース領域５およびｎ⁺型ドレイン領域６が形成された半導体装置１を、ｎ⁺型ドレイン領域６と各ｎ⁺型ソース領域５との間に形成されるチャネルがｎ⁺型ドレイン領域６の周囲に略楕円状に配置されるような構造とする。チャネル領域１ａには複数のチャネルが並んで形成されるようにし、耐圧領域１ｂにはチャネルが形成されないようにして耐圧を確保する。これにより、より多くのチャネルを効率的に配置することができるようになり、適当な耐圧を確保しつつ、チャネル幅を広げずに低オン抵抗化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗のスイッチ素子を低コストで実現する。
【解決手段】第一導電型の半導体基体であるＮ^＋型ＳｉＣ基板２及びＮ⁻型ドレイン領域１と、Ｎ^＋型ＳｉＣ基板２の第一主面側に、電流のオン、オフを切り替えるスイッチ機構とを有する半導体装置において、Ｎ⁻型ドレイン領域１中に、該Ｎ⁻型ドレイン領域１とはバンドギャップの異なるＰ^＋型ポリシリコンで形成され、第一主面と、該第一主面と対向する第二主面との間で伸びる柱状のヘテロ半導体領域４が、間隔を置いて並んで複数形成されている。 （もっと読む）