【課題】良好な絶縁性を確保しつつ極めて高い誘電率を有するゲート絶縁膜の機能と、空乏層が形成されることのない金属性のゲート電極の機能とを備え、ゲート電圧のチャネル領域への静電的支配力を可及的に大きくすることのできる半導体装置を提供することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層１２に離間して設けられた第２導電型の第１ソース領域１２ａおよび第１ドレイン領域１２ｂと、第１ソース領域と第１ドレイン領域との間の第１半導体層に設けられる第１チャネル領域１２ｃと、第１チャネル領域上に設けられたハーフメタル強磁性金属の第１ゲート電極６０と、第１ソース領域に接続するように設けられたハーフメタル強磁性金属の第１ソース電極５０ａと、を備え、第１ゲート電極の磁化６４ｃの向きが、第１ソース電極の磁化６４ａの向きと略反平行である。 （もっと読む）