【課題】ゲートパッド電極と裏面金属電極間のリーク電流を抑制し、ボンディング強度を向上させ、高性能化・高信頼化を図る。
【解決手段】基板１０の第１表面上に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲート電極２４・ソース電極２０およびドレイン電極２２およびオーム性電極層１８と、ゲート電極・ソース電極およびドレイン電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成したゲート端子電極ＧＥ１〜４・ソース端子電極ＳＥ１〜４およびドレイン端子電極ＤＥと、オーム性電極層上に配置され、ゲート端子電極と接続するゲートパッド電極３０と、オーム性電極層と基板との界面に形成された反応層を覆うように基板内に形成された第１導電型半導体層１６と、第１導電型半導体層１６を覆うように、基板内に形成され、第１導電型と反対導電型の第２導電型半導体層とを備える半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層１上に、高融点金属を含む第１の導電膜３を形成する。第１の熱処理を行うことにより、第１の導電膜３と窒化物半導体層１とを反応させて高融点金属の窒化物層４を形成すると共に、窒化物半導体層１の表面に窒素空孔を生じさせる。第１の導電膜２上に、Ａｌを含有する第２の導電膜３を形成する。第２の熱処理を行うことにより、第２の導電膜３中のＡｌ原子を窒化物半導体層１の表面まで拡散させる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極の表面モフォロジーおよび延性を向上させて耐圧を向上させ、オン抵抗の増加を抑制した化合物半導体装置、その製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置１は、ソース領域２１およびドレイン領域２５が形成される化合物半導体層１０（第２化合物半導体層１２）と、ソース領域２１およびドレイン領域２５にそれぞれ対応して形成されたソース電極２２およびドレイン電極２６とを備える。ソース領域２１およびドレイン領域２５は、化合物半導体層１０に対してオーミック性を有する領域形成用オーミック金属によって形成され、ソース電極２２およびドレイン電極２６は、領域形成用オーミック金属２０ｒ、２４ｒを除去した領域へ新たに形成されソース領域２１およびドレイン領域２５に対してオーミック性を有する電極形成用オーミック金属２２ｍ、２６ｍによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを素材として採用することで本来得られる特性をより確実に得ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＪＦＥＴ１は、少なくとも上部表面１４Ａが炭化珪素からなるウェハ１０と、上部表面１４Ａ上に形成されたゲートコンタクト電極２１とを備える。ウェハ１０は、上部表面１４Ａを含むように形成されたイオン注入領域である第１のｐ型領域１６を含む。第１のｐ型領域１６は、上部表面１４Ａを含むように配置されるベース領域１６Ａと、突出領域１６Ｂとを含む。ベース領域１６Ａは、上部表面１４Ａに沿った方向における幅ｗ_１が、突出領域１６Ｂの幅ｗ_２よりも広い。ゲートコンタクト電極２１は、平面的に見てその全体が第１のｐ型領域１６に重なるように、第１のｐ型領域１６に接触して配置されている。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極のn+層領域と２DEGチャネルとの接触抵抗を低減したヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に設けられた電子走行層と、電子走行層の上に設けられた電子供給層と、ソース電極およびドレイン電極のそれぞれに対応して電子供給層に設けられたトレンチと、を有し、トレンチの底面が電子走行層と電子供給層の界面であるヘテロ接合から所定の距離だけ離れている構成である。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接触を発生させることなく、炭素の析出を抑制することにより配線の密着性を向上したオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＳｉＣ半導体装置においてオーミック電極を形成する際に、ＳｉＣ層１１の一方の主表面上には、１種の第１の金属元素からなる、第１の金属層１２を形成する。また、第１の金属層の、ＳｉＣ層１１と対向する表面とは反対側の表面上（図１における上側）に、ＳｉからなるＳｉ層１３を形成する。このようにして形成した積層構造１０Ａに対して熱処理を行なう。以上により、電極の表面層への炭素原子の析出や、ＳｉとＳｉＣとによるショットキー接触の形成が抑制された、配線との良好な密着性を示すオーミック電極を有する炭化珪素半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスの小さな窒化物半導体デバイス用のショットキ電極を提供する。
【解決手段】窒素を含む３−５族化合物の半導体層と、前記半導体層に接して前記半導体層より上層に形成された導電体層と、を備えた半導体装置であって、前記導電体層は、２種以上の金属層が積層された積層金属層が合金化されて形成された合金であり、前記合金の仕事関数は、合金化前に前記半導体層に接していた金属の仕事関数より大きい半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、主面１１０ａを含む炭化珪素半導体層１１０が準備される。そして、炭化珪素半導体層１１０の主面１１０ａにシリコンをドーピングして、炭化珪素半導体層に１１０おいてシリコンがドーピングされていない領域よりもシリコン濃度の高い高濃度領域１１５が形成される。そして、高濃度領域１１５と接する位置に、シリコンと化合物を生成する材料を含む金属層１４３、１４４が形成される。そして、金属層１４３、１４４を熱処理して、化合物を含む電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】 バックオフ領域で動作しているときの利得を抑制することができ、ピーク増幅器に好ましく適用され得る化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】 化合物半導体材料からなる下側電子走行層(3)の上に、ｎ型にドーピングされ、下側電子走行層よりも電子親和力の小さな化合物半導体材料からなる下側電子供給層(4)が配置されている。下側電子供給層の上に、該下側電子供給層よりもドーピング濃度が低いか、またはノンドープの化合物半導体材料からなる上側電子走行層(5)が配置されている。上側電子走行層の上に、該上側電子走行層よりも電子親和力の小さなｎ型化合物半導体材料からなる上側電子供給層(7)が配置されている。上側電子供給層の上に、相互に離隔して配置され、下側電子走行層及び上側電子走行層にオーミックに接続されるソース電極及びドレイン電極が配置されている。ソース電極とドレイン電極との間の、上側電子供給層の上に、ゲート電極が配置されている。 （もっと読む）

【課題】金属膜と絶縁膜との反応物の生成を抑制し、良好な電気的特性を備える半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、基板１１と、半導体層１２と、絶縁膜１３と、保護膜１５と、ソース電極２１と、ドレイン電極２２と、ゲート電極２３と、を備える。半導体装置１０は絶縁膜１３の少なくとも上面を覆うように形成された保護膜１５を備えることによって、ソース電極２１とドレイン電極２２とに含まれるアルミニウムと絶縁膜１３とが反応することを抑制することができ、電極の抵抗増加、電流コラプスの増加を抑え、良好な電気的特性を備える。 （もっと読む）

【課題】電極形成工程を複雑化することなく、ＢｅＯ膜を除去し優れた接合性を有するｐ側電極を形成することが可能な半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法によれば、ＡｕＢｅ層５を有するｐ側電極１８、１８ａ、１８ｂの表面にオーミック特性付与時の熱により生成されるＢｅＯをエッチングにより除去するため、電極形成工程を複雑化することなく、優れた接合性を有するｐ側電極１８、１８ａ、１８ｂを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に起因する問題を排除し、微細化に適した電界効果トランジスタを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体で形成されるチャネル領域１０２と、チャネル領域１０２上に形成されるゲート電極３１０と、チャネル領域１０２を挟んで両側に形成される同一導電型を有するソース領域２１０およびドレイン領域２２０とを具備する電界効果トランジスタを含む半導体装置であって、ゲート電極３２０が金属原子を含有する導電体によって形成され、チャネル領域１０２の少なくとも一部とゲート電極３１０が接触しており、チャネル領域１０２と、ソース領域２１０およびドレイン領域２２０が異なる導電型を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体デバイスの製造コストを低減するために、ＧａＮと化学組成の異なる異種基板にＧａＮ薄膜が強固に貼り合わされているＧａＮ薄膜貼り合わせ基板およびその製造方法、ならびに、ＧａＮ薄膜上に形成されている少なくとも１層のＧａＮ系半導体層を含むＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板１の製造方法は、ＧａＮバルク結晶１０にＧａＮと化学組成の異なる異種基板２０を貼り合わせる工程と、異種基板２０との界面から０．１μｍ以上１００μｍ以下の距離を有する面１０ｔでＧａＮバルク結晶１０を分割して異種基板２０上にＧａＮ薄膜１０ａを形成する工程とを含み、ＧａＮバルク結晶の貼り合わせ面の最大表面粗さＲmaxが２０μｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は、窒化物半導体電界効果トランジスタにおいて、しきい電圧の制御が可能なエンハンスメント形の動作を得ることである。
【解決手段】 結晶方位の＋ｃ方向にＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層、ＧａＮ層、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の順に積層されており、ｘ≧ｙにすることにより空乏化しているダブルヘテロ構造からなるチャンネルをゲート部に有することを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタによって解決される。 （もっと読む）

【課題】Ｄ型ＦＥＴとＥ型ＦＥＴを同一基板に集積化する場合、各ゲート電極を半導体層の異なる深さに設けて異なるピンチオフ電圧を実現している。しかし、半導体層のエッチングは数ｎｍの精度を必要とするため歩留りが悪く、また複数の半導体層の選択エッチングを行う場合は、コストが高くなる問題があった。
【解決手段】Ｄ型ＦＥＴとＥ型ＦＥＴのゲート電極を、同一半導体層の同一平面上に蒸着する。また蒸着金属の最下層をＰｔとして一部を半導体層に埋め込み、Ｄ型ＦＥＴとＥ型ＦＥＴの埋め込み深さを異ならせる。Ｅ型ＦＥＴのゲート電極はＰｔ蒸着膜厚を１００〜１１０Å以上で、埋め込み部の底部を第２電子供給層内の障壁層内に近い部分に位置させる。Ｄ型ＦＥＴのゲート電極はＰｔ蒸着膜厚を４０〜６０Åとする。これにより、何れのＦＥＴも所定のピンチオフ電圧でそのばらつきを大幅に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極を完全に埋め込むことが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に形成されたゲート電極２と、上記ゲート電極２の両側で上記半導体基板１上に配設されたソースドレイン電極３と、上記各ソースドレイン電極３間に塗布され、上記ゲート電極２を埋め込む埋め込み材４とを備えた半導体装置において、上記各ソースドレイン電極３の上記半導体基板１の表面から上端までの高さを、上記ゲート電極２の上記半導体基板１の表面から上端までの高さより高くした構成とする。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵型の接合ＦＥＴにおいて、低いゲートバイアスでもブロッキング状態を維持でき、かつ大きな飽和電流を実現する。
【解決手段】ｎ^＋ＳｉＣ基板１０をドレイン層、ドレイン層に接するｎ⁻ＳｉＣ層１１をドリフト層、ドリフト層上に形成されたｎ^＋ＳｉＣ層１２をソース層、ソース層からドリフト層の所定深さまでトレンチ溝を形成してドリフト層の一部をチャネル領域とし、トレンチ溝を充填するｐ型多結晶Ｓｉをゲート領域とする接合ＦＥＴにおいて、チャネル片側のゲート領域をソース電極と短絡させてダイオードのｐエミッタとする。 （もっと読む）

【課題】トレンチ構造のＪ−ＦＥＴが形成されるセル領域の一部に、ダイオードを内蔵する炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体で構成されたＮ^＋型ドレイン層１１、Ｎ⁻型ドリフト層１２およびＮ^＋型ソース層１３が下から順に配置されている半導体基板１と、ソース層１３の表面からドリフト層１２に到達する深さのトレンチ１４の側面１４ａに沿って配置されたＰ型ゲート層１５と、トレンチ１４の内部でゲート層１５を覆う絶縁膜１７と、ソース層１３と電気的に接続されたソース電極１９とを備える炭化珪素半導体装置において、少なくともトレンチ１４の内部もしくは真下に、ソース電極１９と電気的に接続され、ドリフト層１２と接合してダイオード６を構成するショットキー電極１８もしくはＰ型層のダイオード構成部を設ける。 （もっと読む）

【課題】高温環境下におけるオーミック電極の十分な信頼性を確保しながら、高湿度環境下におけるオーミック電極の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置を、基板１１と、ｎ型半導体層３又はアンドープ半導体層と、オーミック電極１２，１３とを備え、オーミック電極１２，１３が、ｎ型半導体層３又はアンドープ半導体層上に形成されたタンタル層９と、タンタル層９上に形成されたアルミニウム層１０と、アルミニウム層１０上に形成され、タンタル，ニッケル，パラジウム，モリブデンのうちのいずれか１つの材料からなる金属層９とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】ミリメートル波動作のために設計された広バンドギャップのトランジスタの提供。
【解決手段】第III族窒化物チャネル層と；第III族窒化物チャネル層の上のスペーサ層と；第III族窒化物チャネル層の上にあり、かつ３０ＧＨｚを超える周波数において印加される電圧に応じてチャネル層の伝導率を変調するのに十分なゲート長を有するゲート接点と；ゲート接点と電気的に接続され、スペーサ層を横断してドレイン接点に向かう方向に少なくとも約０．１μｍ延びる下部フィールドプレートと；第III族窒化物チャネル層の上のソース接点およびドレイン接点とを含み、少なくとも３０ＧＨｚの周波数における動作時に約５Ｗ／ｍｍより大きな電力密度を示すことを特徴とする電界効果トランジスタ。 （もっと読む）