開示されたものは、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システム（１００，１００’１００’’）において、プロセスガスの混合物、又は多重のプロセスガスの混合物、を導入するためのマルチ−ノズル及びスキマーの組み立て品、並びに基体（１５２，２５２）に層を成長させる、それを変更する、それを堆積させる、又はそれをドープするための動作の関連させられた方法である。多重のノズル及びスキマーの組み立て品は、少なくとも部分的にそれから単一のガスクラスタービーム（１１８）へと放出されたガスクラスタービームを合体させるために相互の近接で配置された、及び／又は、交差するガスクラスタービームのセットを形成するために、及び、ガススキマー（１２０）へと単一の及び／又は交差するガスクラスタービームを向けるために、単一の交差する点（４２０）に向かって各々のビームを収束させるために角度が付けられた少なくとも二つのノズル（１１６，１０１６，２１１０，２１２０，４１１０，４１２０，７０１０，７０２０）を含む。
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【課題】良好に任意の形状に加工することが可能なエッチング装置、エッチング方法及びエッチングプログラム、並びに成膜装置を提供する。
【解決手段】エッチング装置３０は、イオンガン１１とＸＹステージ１２と制御部１３とＰＣ１５とを備える。予め測定されたエッチングが施される基板３１の厚みの分布から、升目状に区分された基板３１の各領域の被エッチング量を算出し、この被エッチング量に達するようにＰＣ１５は各領域におけるエッチング時間を判別する。このエッチング時間に負となる領域がある場合、当該領域にシャッタ４０を覆うことにより、エッチング時間に負となる領域での過剰なエッチングを防ぎ、基板３１を任意の形状に加工することができる。 （もっと読む）

歪み誘導原子を含む加速したガスクラスタを用いて、一つ以上の基板面を照射し、半導体基板内にこのような原子を全体的または局所的またはその両方に導入し、さらにドーパント原子やＣを選択的に導入する方法および装置が記述されている。半導体基板や誘電体基板内に導入したり、その上に堆積させた半導体薄膜を形成する処理も記述されている。このような薄膜も、同様にドープしたり歪ませたりできる。
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