【課題】良好な結晶を安定して成長させることができる分子線結晶成長装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】原料を放出する開口１１ａを有する坩堝１１と、坩堝１１の外周及び開口１１ａの縁を覆う遮蔽部材１８と、遮蔽部材１８を冷却する冷却部材２１と、坩堝１１に対向するように基板を保持する基板保持部材と、が設けられている。遮蔽部材１８には、鉛直上方から坩堝１１を覆う被覆部１９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、連続成膜設備において、化学量論的組成勾配を有する形で基板に成膜するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明では、それぞれ一つの蒸発器チューブを有する少なくとも二つの蒸発機器が配備され、両方の蒸発器チューブは、互いに独立して傾斜可能な形に構成されており、そうすることによって、両方の蒸気ビームの移行領域を勾配形態の要件に適合させることができる。 更に、基板に対する蒸発器チューブの間隔及び蒸発器チューブの互いの間隔を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】２回の蒸着作業で薄膜素子を製造し、かつマスク層の直下ではなくマスク層の開口部にギャップを配することも可能な薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部を有するマスク層を用いた、半導体または半金属の薄膜を有する薄膜素子の製造方法であり、前記マスク層面に垂直な軸に対して第１の角度方向から、前記開口部を介して基板上に電極材料を蒸着する第１の蒸着工程と、前記軸と前記第１の角度方向とがなす２次元平面において、第２の角度方向から前記開口部を介して薄膜材料を前記基板上に蒸着する第２の蒸着工程とを有する。 （もっと読む）