【課題】複合基板を用いた半導体装置の製造において単結晶炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制する。
【解決手段】第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の辺Ｓ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の辺Ｓ２とが直線状に並ぶように、第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の頂点Ｐ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の頂点Ｐ２とが互いに突き合わされている。また第１の辺の少なくとも一部と、第２の辺の少なくとも一部とが、第３の単結晶炭化珪素基板１３の第３の辺Ｓ３に突き合わされている。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１の第１の側面Ｓ１と、第２の炭化珪素基板１２の側面Ｓ２とが互いに面するように、処理室６０内にベース部３０および第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。処理室６０内に、炭素元素と化合することができる固体材料からなる吸収部５１が設けられる。第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いに接合するために、炭化珪素が昇華し得る温度以上に処理室６０内の温度が高められる。温度を高める工程において吸収部５１が炭化される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の温度を高精度かつ高い再現性で測定する。
【解決手段】本発明に係る半導体基板温度測定装置を含む半導体デバイス製造装置であるＭＢＥ装置２０は、半導体基板の温度を測定する半導体基板温度測定装置において、基板２において散乱された散乱光のスペクトルに基づき、基板２の温度を算出する基板温度演算装置１１を備え、基板温度演算装置１１は、散乱光のスペクトル基づき算出した基板２の温度を、基板２のドーパント濃度に基づいて補正する。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長方法及び結晶成長装置に関し、基板とエピタキシャル層との格子定数の差を、用いられる物質により一義的決定されることなく一定程度の範囲で任意に設定する。
【解決手段】 湾曲させた基板１上にエピタキシャル成長をさせる。 （もっと読む）

本発明は光起電薄膜太陽電池（３１０）を提供し、この電池（３１０）は垂直に向けたパレット（３２０）ベースの基材（３１０）を一続きの反応チャンバー（３３０、３４０）へ提供することによって製造され、その反応性チャンバー（３３０、３４０）では複数の層が順次このパレット（３２０）上で形成され得る。 （もっと読む）