【課題】 ミスフィット転位の発生を抑制しつつ、量子ドットからの発光波長を長波長化することができる半導体装置の製造技術が望まれている。
【解決手段】 チャンバ内に単結晶基板を装填し、単結晶基板上に、分子線エピタキシにより、Ｉｎ及びＡｓを含む量子ドットを形成する。チャンバ内で、量子ドットに、少なくともＡｓ_２分子線を照射しながら第１アニールを行う。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

【課題】
巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。
【解決手段】
本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 （もっと読む）

ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料の再成長層の形成は、中間層を予め形成することによって、容易にされる。この中間層は、主として、その滑らかな形態特性により選択される。この中間層は、下にある基板を覆うように、かつこの基板の一部を覆って形成された誘電体層を覆うように、形成される。この中間層は、その下にある基板層の、誘電体層によって覆われた領域以外の領域の単結晶特性を維持し、そしてこの中間層を覆って形成された再成長層の電気的特性および形態特性を改善する。
（もっと読む）