【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、信頼性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が低い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。また、量産性の高い半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層に残留する不純物を除去し、酸化物半導体層を極めて高い純度にまで精製して使用すれば良い。具体的には、酸化物半導体層にハロゲン元素を添加した後に加熱処理を施し、不純物を除去して使用すれば良い。ハロゲン元素としては、フッ素が好ましい。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】
成長中断による、Ａｌを含むIII-V族化合物半導体層への酸素の取り込みを抑制した半導体装置を提供すること。
【解決手段】
Ａｌを構成元素として含む第１のIII-V族化合物半導体によって半導体基板上に形成された第１の半導体層と、厚さが２原子層以上８原子層以下のＡｌを構成元素として含まない第２のIII-V族化合物半導体で形成され、且つ前記第１の半導体層の上面又は前記第１の半導体層の内部に配置された表面保護層とを有する半導体積層構造と、第３のIII-V族化合物半導体で形成され、且つ前記半導体積層構造の上面に形成された第２の半導体層を具備すること。 （もっと読む）

【課題】高速動作の実現、低電圧駆動、および繰返し性の向上に適した抵抗変化型素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】抵抗変化型素子Ｘは、非酸化性金属からなる電極１と、酸化性金属からなる電極２と、電極１，２間に位置し且つ電極２と接する酸素欠損型の酸化物層３と、電極１および酸化物層３の間に介在し且つＰ型半導性を有する酸化物層４とを含む。製造方法は、例えば、基材上に第１電極膜１を形成する工程と、第１電極膜１上に、Ｐ型半導性を有する第２酸化物膜４を形成する工程と、第２酸化物膜上４に、酸素欠損型の第１酸化物膜３を形成する工程と、第１酸化物膜上に第２電極膜２を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

本明細書に開示される実施形態は、概して、ＴＦＴ及びＴＦＴを製造する方法に関する。ＴＦＴにおいて、アクティブチャネルは、ソース及びドレイン電極間で電流を運ぶ。アクティブチャネルの組成を調整することによって、電流を制御できる。アクティブチャネルは、ゲート制御層、バルク層、インタフェース制御層の３層に分割されてもよい。別々の層は、異なる組成を有してもよい。ゲート制御層、バルク層、バックチャネルインタフェース制御層の夫々は、異なる組成を有することができる多重層を更に含んでもよい。アクティブチャネルの様々な層の組成は、酸素、窒素、及び、亜鉛、インジウム、カドミウム、スズ、ガリウム及びそれらの組み合わせから成る群から選択される１以上の元素を含む。所望の特性を有するＴＦＴを生産するために、層の中で組成を変えることによって、様々な層の移動度、キャリア濃度、及び導電性を制御してもよい。
（もっと読む）

【課題】半導体基板上への薄膜形成工程（例えば、エピタキシャル成長工程）直前に、簡単な前処理を行うだけで、半導体基板上に良質な半導体薄膜を形成可能な技術を提供する。
【解決手段】１又は２以上の結晶層を有する半導体基板１１の最表層の表面を、当該最表層の熱分解温度より低い熱分解温度を有する材料からなる被覆膜１２で被覆し、この状態でウェハ容器に収容し保管する。そして、この被覆膜１２が形成された半導体基板１をウェハ容器から取り出し、被覆膜１２を熱分解により当該半導体基板１１表面から除去してから、薄膜形成工程１３を行う。 （もっと読む）