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Fターム[5F110HJ12]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | ソース、ドレイン−不純物領域 (11,069) | 不純物領域の製法 (6,364) | 不純物の導入方法 (4,201)

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イオン注入 (2,973)
拡散 (325)

Fターム[5F110HJ12]に分類される特許

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【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているAg合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線22,24,26及びデータ配線65,66,68を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 (もっと読む)


【課題】 本発明は薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、均一性と性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極側面に側壁を形成することによって、自己整合的にLDDまたはオフセット領域を形成し、また、層間絶縁膜を複数の層で形成し、これら複数の層間絶縁膜上にソース・ドレイン電極とソースバス配線と画素電極を一括して形成する。 (もっと読む)


【課題】 薄膜トランジスタの製造方法に関し、LDD領域の抵抗を許容レベルにまで下げるとともにTFTしきい値電圧のシフトを防ぐことを目的とする。
【解決手段】 絶縁性基板上に多結晶Siを形成する工程と、該多結晶Si上にゲート絶縁膜を形成する工程と、該ゲート絶縁膜上に下層ゲート電極と該下層ゲート電極より幅の狭い上層ゲート電極から成る2層ゲート電極を形成する工程と、該2層ゲート電極をマスクにして3属あるいは5属元素から成る不純物をイオン注入する工程と、熱処理する工程と、該2層ゲート電極をマスクにして水素をイオン注入する工程を含むように構成する。 (もっと読む)


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