【課題】良好な特性を有する複数の有機トランジスタを備えた有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられ、各々が液晶性有機半導体材料を含む有機半導体領域４を有する複数の有機トランジスタ２０と、を備えている。このうち有機半導体領域４は、少なくとも基板１１を含む支持部材１７によって支持されている。そして、有機半導体素子１０の製造方法は、支持部材１７を準備する工程と、支持部材１７上に液晶性有機半導体材料を含む連続的な有機半導体層３０を設ける工程と、有機半導体層３０をパターニングして複数の有機半導体領域４を形成するパターニング工程と、を備えている。ここで、パターニング工程は、凹部４２および凸部４１を有する凹凸版４０を準備する工程と、凹凸版４０の凸部４１を支持部材１７上の有機半導体層３０に当接させることにより有機半導体層３０をパターニングする当接工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を有する複数の有機トランジスタを備えた有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられ、各々が有機半導体材料を含む有機半導体領域４を有する複数の有機トランジスタ２０と、を備えている。このうち有機半導体領域４は、少なくとも基板１１を含む支持部材１７によって支持されている。そして、有機半導体素子１０の製造方法は、支持部材１７を準備する工程と、支持部材１７上に有機半導体材料を含む連続的な有機半導体層３０を設ける工程と、有機半導体層３０をパターニングして複数の有機半導体領域４を形成するパターニング工程と、を備えている。ここで、パターニング工程は、凹部４２および凸部４１を有する凹凸版４０を準備する工程と、凹凸版４０の凸部４１を支持部材１７上の有機半導体層３０に当接させることにより有機半導体層３０をパターニングする当接工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】簡便な工程で、有機半導体層の移動度を低下させることなくパターニングした有機半導体素子を得ることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ソース電極１およびドレイン電極２を覆うように有機半導体層３を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極１および上記ドレイン電極２間のチャネル領域Ｃ上に、第一誘電体層４を形成する第一誘電体層形成工程と、上記第一誘電体層を覆うように上記有機半導体層上に、第二誘電体層５を形成する第二誘電体層形成工程と、を有し、第二誘電体層５は、第一誘電体層４の周囲で有機半導体層３と接触する接触部を有し、接触部Ｘにおける有機半導体層３および第二誘電体層５の界面に、有機半導体層と第二誘電体層とが混ざり合った混合層６を形成することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層のパターン精度が良好であり、トランジスタ特性に優れた有機半導体素子を容易に製造することが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶性有機半導体材料を配向させる配向層１上にソース電極２およびドレイン電極３を形成する電極形成工程と、ソースおよびドレイン電極を覆うように配向層１上に、液晶性有機半導体材料を有する有機半導体層４を形成する工程と、基板５と上記基板上にパターン状に形成された親液部６および撥液部７を有する有機半導体層転写基板８を用い、撥液部がソースおよびドレイン電極間のチャネル領域Ｃ上に配置されるように、有機半導体層４上に積層して、親液部６上に、その液晶相温度で熱転写する工程と、液晶相温度よりも低い温度で、配向層１から剥離することにより、親液部６上に熱転写された有機半導体層４を配向層１から除去する工程と、を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の移動度を低下させることなく、容易に有機半導体層をパターニングした有機半導体素子を得ることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】液晶性有機半導体材料を配向させる配向層１上にソース電極２およびドレイン電極３を形成するソース電極およびドレイン電極形成工程と、上記ソース電極および上記ドレイン電極を覆うように上記配向層上に、液晶性有機半導体材料を有する有機半導体層４を形成する有機半導体層形成工程と、上記有機半導体層上の少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極間のチャネル領域Ｃ上に、誘電体層５を形成する誘電体層形成工程と、上記誘電体層が形成された上記有機半導体層を上記液晶性有機半導体材料の液晶相温度でアニール処理するアニール処理工程と、を有することを特徴とする有機半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】隔壁形成プロセスを省き、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上および基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上に形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、半導体層の中央に形成された保護膜と、半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜に直接ストライプ状に凹部を形成することで隔壁形成プロセスを省き、前記凹部をガイドとして塗布法により精度よく半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタの構造を提供する。また、その構造を用いた薄膜トランジスタの製造方法、及びそれを用いたが画像表示装置を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記基板上及び前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層に形成された凹部と、前記絶縁体層の凹部内に形成される半導体層と、前記半導体層上の中央部に設けられる保護膜と、前記半導体層の両端部で接続されるソース電極とドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート絶縁体層の凹部がストライプ状に形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性のプラスチック基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、プラスチック基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは、炭素含有酸化シリコンを含む材料からなり、下部層１２ａの炭素濃度が、１５atm％以上４０atm％以下となるように真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、絶縁基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】再現性良く、高収率でフレキシブルデバイスとしての電界効果型トランジスタを作製することができ、下地層そのものに堅牢性を与えることによって後工程による破壊や傷による表面形状の異常が生じない電界効果型トランジスタ及びその製造方法、並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】第１の基板１０と、下地第一層２１及び下地第二層２２と、ゲート電極３０と、ゲート絶縁層４０と、ソース電極５０、ドレイン電極６０、及び半導体層７０とがこの順で形成された電界効果型トランジスタ１であり、下地第二層２２は、下地第一層２１に接する面と反対側の面２２ａの表面粗さＲｍｓ_２が０．３ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート型の薄膜トランジスタにおいて、オンオフ比の高いトランジスタを提供すること。
【解決手段】絶縁基板１０１上に少なくともゲート電極１０２と、ゲート絶縁層１０３が順次積層され、このゲート絶縁層上に酸化物を含む半導体層１０４とソース電極１０５およびドレイン電極１０６が設けられたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、半導体層のゲート側の面の酸素密度が、反対の面の酸素密度よりも低いことを特徴とする薄膜トランジスタとする。このため半導体層１０４に酸素含有プラズマを照射する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタ表面の凹凸に起因する、ゲートリーク電流や素子の絶縁破壊を抑制することができる薄膜トランジスタおよび画像表示装置を提供すること。
【解決手段】透明な基板上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線に離間して形成されたキャパシタ配線と、前記ゲート配線およびキャパシタ配線上に形成された透明なゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体活性層と、前記ゲート絶縁膜上及び前記半導体活性層上に一部重なって形成されたソース配線と、前記ゲート絶縁膜上及び前記半導体活性層上に一部重なり、前記ソース配線と離間して形成されたドレイン電極とを備え、前記オーバーコート層がくぼみを有し、前記ゲート配線がくぼみ部分に配置されていることを特徴とする薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタを薄膜トランジスタの基板側ではなく上層、もしくは薄膜トランジスタ内部にカラーフィルタを形成する薄膜トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決方法】実質的に透明な基板と、基板上に形成された実質的に透明なゲート電極と、ゲート電極の同一層に隔離して形成された実質的に透明なキャパシタ電極と、ゲート電極及びキャパシタ電極を覆うように形成された実質的に透明なゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された実質的に透明な半導体層と、半導体層に跨って形成された実質的に透明なソース電極及び実質的に透明なドレイン電極と、ソース電極またはドレイン電極上に貫通孔を設けて形成された実質的に透明な層間絶縁層と、ソース電極またはドレイン電極のいずれかにより延在された電極領域に電気的に接続され、導電性着色材料により形成された画素電極と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】オン電流が高く、かつオフ電流が低い、つまり高いオンオフ比を持つ薄膜トランジスタを提供することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に少なくともソース、ドレイン、ゲートの各電極と酸化物を含む半導体層とゲート絶縁層を有する薄膜トランジスタであって、該半導体層が第一の領域と、該第一の領域よりも該ゲート絶縁層に近い第二の領域を含み、且つ該第一の領域の導電率が、該第二の領域の導電率よりも低いことを特徴とする薄膜トランジスタとする。 （もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】ソース電極２０ａと、ドレイン電極２０ｂと、ゲート電極５０と、ゲート電極５０に対してソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを絶縁するゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０に接触して設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０のゲート絶縁層４０と反対側に接触して設けられたバッファ層６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方を、下記一般式（１）、または（２）で表される絶縁性高分子を主材料として構成される。
（もっと読む）

【課題】吸湿性が低く、特性が経時的に劣化し難い有機半導体装置、かかる有機半導体装置を備え信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁層４０と、バッファ層（第２の絶縁層）６０とを有し、ゲート絶縁層４０およびバッファ層６０の少なくとも一方は、下記一般式（Ｉ）で表される高分子の端部の少なくとも一方がフッ素原子またはフッ素原子を含有する置換基で置換したものであって、理論フェノール価が２．０ＫＯＨｍｇ／ポリマーｇ以下である絶縁性高分子を主材料として構成されている。


［ただし、式中、Ｒ^１は、芳香環を含む二価の連結基を示し、式中、Ｙは、酸素原子または硫黄原子を示し、式中、Ｚは、カルボニル基または硫黄原子を含む二価の連結基を示す。また、ｎは、２以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】可撓性基材上に形成した薄膜トランジスタが剥がれることなく、耐久性及び信頼性に優れたに製品を得ることができる薄膜トランジスタ基板及びこれを用いた画像表示装置を提供する。
【解決手段】可撓性基材１の第１の面である表面に第１の下地層２を設け、可撓性基材１の第１の面と反対の第２の面である裏面に第２の下地層３を設け、第１の下地層２上には半導体回路４を形成し、この半導体回路４上に画像表示要素５を設ける。そして、第１の下地層２の膜厚を第２の下地層３の膜厚より薄くした。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、特にフレキシブル薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と基板の密着性が強く、基板からゲート絶縁層が剥離しない信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物を含む半導体層が順次積層され、前記半導体層上にソース電極とドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層が前記絶縁基板に接する下部層と前記下部層上に設けられた少なくとも一層以上の上部層からなり、且つ前記下部層はＩｎ、Ｚｎ、Ｇａのいずれか1種の元素を含む酸化物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊を起さない半導体特性に優れた半導体装置、かかる半導体装置を確実に製造する方法、当該半導体装置を備える高性能な半導体回路、電気光学装置および信頼性の高い電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、基板２上にソース電極４およびドレイン電極５を形成する工程と、少なくともソース電極４およびドレイン電極５との間に、π共役系の有機化合物を含む有機半導体層７を形成する工程と、有機半導体層７上に、芳香族性をもたない炭素環式化合物である脂環式化合物の高分子がパラフィン炭化水素溶媒に溶解した塗布液を塗布した後、当該塗布液を脱溶媒処理することにより、前記脂環式化合物の高分子含むゲート絶縁層６を形成する工程と、ゲート絶縁層６上にゲート電極３を形成する工程とを有する。 （もっと読む）