説明

Fターム[5F110HM14]の内容

薄膜トランジスタ (412,022) | ソース、ドレイン−共通 (7,931) | 配置 (4,297) | ゲートに対する配置 (3,125) | オフセット (2,875)

Fターム[5F110HM14]の下位に属するFターム

LDD (2,472)

Fターム[5F110HM14]に分類される特許

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【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、耐光性を高め、高品位の画像を表示する。
【解決手段】 電気光学装置は、TFTアレイ基板(10)上に、画素電極(9a)と、これに接続されたTFT(30)と、これに接続された配線(3a、6a)と、TFTの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層(300、6a)と、このTFTの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層(11a)とを備える。基板には、配線に対向する領域に格子状やストライプ状の溝(10cv)が掘られており、この溝内でチャネル領域に対向する領域に凹部(401)が更に掘られている。下側遮光膜は、該凹部内に形成されている。 (もっと読む)


【課題】 本発明は薄膜トランジスタアレイ及びその製造方法と液晶表示装置及びその製造方法とエレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関するものであり、均一性と性能に優れた薄膜トランジスタ及びその製造方法を生産性が高く低コストで提供することを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極側面に側壁を形成することによって、自己整合的にLDDまたはオフセット領域を形成し、また、層間絶縁膜を複数の層で形成し、これら複数の層間絶縁膜上にソース・ドレイン電極とソースバス配線と画素電極を一括して形成する。 (もっと読む)


【課題】 電気光学装置において、比較的簡単な構成を用いて、画素部のTFTのチャネル領域やチャネル隣接領域における入射光や戻り光に対する遮光性能を高める。
【解決手段】 電気光学装置は、一対の基板間に挟持された電気光学物質層(50)と、TFTアレイ基板(10)にマトリクス状に設けられた画素電極(9a)とを備える。TFT(30)の下側には、第1遮光膜(11a)が設けられている。データ線(6a)は、遮光性の材料からなり、TFTのチャネル領域(1a’)及びチャネル隣接領域(1a”)を対向基板(20)の側から見て夫々覆う主配線部と、この主配線部の縁から層間絶縁膜に形成された溝に向けて伸びておりチャネル隣接領域を側方から囲む側方遮光部(6b)とを有する。 (もっと読む)


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