【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、半導体膜の側面に接して設けられた第１の絶縁膜と、半導体膜及び第１の絶縁膜上に設けられた第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられた第３の絶縁膜と、第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に設けられ、半導体膜の一部及び前記第１の絶縁膜の一部を露出させる開口と、開口を介して半導体膜に電気的に接続する配線又は電極と、を有し、第１の絶縁膜は、半導体膜の側面に接する部分が一部エッチングされ窪んでおり、配線又は電極は、第１の絶縁膜の窪んだ部分に入り込んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ内において大きな面積を必要とするコンタクトホール２３をなくし、高濃度領域２１とソース電極１７及びドレイン電極１８の導通確保を容易にすることを目的とする。
【解決手段】基板１０上に、半導体層１２と、ゲート絶縁層１３と、ゲート電極１４と、ソース電極１７と、ドレイン電極１８とが形成される薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極１４は、絶縁層で覆われる構成になっていて、ソース電極１７及びドレイン電極１８は、半導体層１２に接触していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドレイン・オン電流値のばらつきが小さなCNT-FETを有する半導体装置を提供することを目的とする。また、本発明は、ドレイン電流のスイッチング比のばらつきが小さなCNT-FETを有する半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数本のカーボンナノチューブをチャネルに用いる電界効果型トランジスタを二つ以上用いている半導体装置において、前記電界効果型トランジスタのドレイン・オン電流値のばらつきがσ_１(オン電流値の標準偏差を平均値で割ったもの)のとき、各電界効果型トランジスタチャネルのカーボンナノチューブの本数Nが、Ｎ＞３１×σ_１^-1なる式（１）の関係を満たすことを特徴とする半導体装置を採用する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置における受光素子の受光効率を向上させて、表示画像の輝度を適切に設定する。
【解決手段】電気光学装置（１００）は、基板（１０）と、該基板上の画素領域（１０ａ）にマトリクス状に配列された複数の画素部（９）と、画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置され、相互に平面的に重ならないＰ型半導体領域（２１０ｐ）、イントリンシック領域（２１０ｉ）及びＮ型半導体領域（２１０ｎ）を含む受光素子（２１０）と、該受光素子の光が入射する側に積層された導電部（２２０）と、該導電部を覆うように積層されると共に、イントリンシック領域の少なくとも一部に対応する開口部（４３ａ）を有する絶縁膜部（４３）とを備える。基板上で平面的に見て、前記開口部内に位置する領域は、前記導電部が配置されていない部分を有する。 （もっと読む）

【課題】大面積を有する珪素膜に対するレーザー光の照射によるアニールの均一性を向上させる。
【解決手段】被照射面に対して線状のビーム形状を有するレーザー光を照射する構成において、線状ビームの長手方向における照射エネルギー密度の分布を制御するホモジナイザー１０３や１０４を構成するシリンドリカルレンズの幅や数を最適化することで、線状レーザーの長手方向における照射エネルギー密度の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、信頼性を向上させると共に、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）若しくはその延在部、並びに画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）若しくはその延在部を有する半導体層（１ａ）と、半導体層上に形成された開口を有するストッパ膜（２００）と、層間絶縁膜（２０２、４１、４２）とを備える。データ線は、第１コンタクトホール（８１）を介して第１接続領域に電気的に接続されている。 （もっと読む）

可撓性基板上に、自己整合シリコン薄膜トランジスタを製造するシステム及び方法。前記システム及び方法は、高いパフォーマンスのトランジスタを製造するために、精密さ、レゾリューション、レジストレーションが達成されるよう、レーザアニール、エッチング技術、レーザドーピングを全て低温度で行いつつ、化学気相堆積、プラズマエンハンスト気相堆積、プリント、コーティング、及び他の堆積処理といった堆積処理を組み込むとともに組み合わせている。そのようなＴＦＴはディスプレイ、パッケージング、ラベリング等に使用できる。
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【課題】ボイドのでき易い深いトレンチもしくは経済性の悪い幅広トレンチを形成せずに、高耐圧に必要なオフセットドレイン領域の幅を確保しつつ占有面積を小さくすることができる横型ＭＯＳ半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板の一方側の表面層に、それぞれ一導電型の、ソース領域１３とドレイン領域１２と、該ドレイン領域１２より低不純物濃度で互いに接するオフセットドレイン領域５とを備え、前記ソース領域１３表面と前記オフセットドレイン領域５表面に挟まれる他導電型のチャネル領域４表面にゲート絶縁膜を介して設けられるゲート電極６を有する横型ＭＯＳ半導体装置において、前記オフセットドレイン領域５に、相互に並列で蛇行状の平面パターンであって表面から垂直に形成されるトレンチ列８を備え、該トレンチ列８に電流阻害材料７が充填されている横型ＭＯＳ半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】データ線の位置する層における隣接するデータ線間の段差形状を上層側に保持しつつ、データ線及び画素電極間の容量結合に起因するクロストークを防止する。
【解決手段】電気光学装置において、シールド層４００は、データ線６ａより上層側であって且つ画素電極９ａより下層側に透明導電材料により形成されており、データ線６ａの配置された層の表面において、データ線間領域９９ｃに位置する第１部分６６ａとデータ線６ａの位置する第２部分６６ｂとの間で生じる段差形状に沿うように第１部分６６ａ及び第２部分６６ｂにわたって、非開口領域９９ｂから開口領域９９ａに連続的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有する画素部を有する。前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極とを有し、前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極とを有する。前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、及び一対の第２の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、及び一対の第３の不純物領域を有する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素スイッチング用のＴＦＴに対する遮光性を高めつつ、開口率を向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、走査線（１１）及びデータ線（６ａ）と、画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、第１の接合領域（１ｂ）及び第２の接合領域（１ｃ）を有する半導体層（１ａ）と、半導体層における少なくとも第２の接合領域の一部を含む所定領域の側壁上に設けられた絶縁膜からなるサイドウォール（６１）と、走査線に電気的に接続され、チャネル領域にゲート絶縁膜（２）を介して対向するように配置されると共に、所定領域及びサイドウォールを覆うように設けられたゲート電極（３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｌｏｃｏｓ酸化膜のソース電極側での耐圧特性における電界集中を緩和した横型ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
横型ＭＯＳトランジスタは、基板１００、ｎ−活性層１０１、ｎ−ドリフト層１０１ａ、Ｌｏｃｏｓ酸化膜１０２、ｎ−ウェル領域１０３、ｐ−ボディ拡散層１０４、ゲート酸化層１０５、ゲートポリサイド電極１０６、ｎ＋ドレイン領域１０７、ｎ＋ソース領域１０８、ｐ＋基板電極１０９、及びｐ＋拡散層１１０を備える。ｐ＋拡散層１１０は、Ｌｏｃｏｓ酸化層１０２のソース領域側の第１端部１０２ａに隣接する領域に形成され、ｎ−活性層１０１とは導電型が逆の不純物が注入される。これにより、第１端部１０２ａ付近に生じる過剰なキャリアが打ち消され、キャリア濃度を最適化され、第１端部１０２ａ付近における耐圧特性が緩和される。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、走査線の上層側に設けられ、走査線と交差するデータ線（６ａ）と、データ線の上層側に、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に、画素電極に容量絶縁膜（７５）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）と、走査線の上層側且つデータ線の下層側に設けられ、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、及び走査線と同一層からなると共に走査線に電気的に接続された第１ゲート電極（３ａ）にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、走査線の上層側に設けられ、走査線と交差するデータ線（６ａ）と、データ線の上層側に、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に、画素電極に容量絶縁膜（７５）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）と、走査線の上層側且つデータ線の下層側に設けられ、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、及びデータ線と同一層からなると共に走査線に電気的に接続されたゲート電極（３ａ）にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０と、データ線６ａ及び走査線１１と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極９ａと、半導体層１ａと、半導体層より第１の絶縁膜２を介して上層側に配置されると共に遮光性の導電膜を含んでなり、且つ、半導体層のチャネル領域に重なる本体部３ａと、この本体部から半導体層の脇で、半導体層の第２の接合領域１ｃの側へ少なくとも第２の接合領域に隣接するように延設された延設部３１とを有するゲート電極３とを備える。更に、ゲート電極と同一膜からなり、半導体層の画素電極側ソースドレイン領域１ｅと少なくとも部分的に重なると共に画素電極及び画素電極側ソースドレイン領域と電気的に接続された遮光部４１０を備える。 （もっと読む）

高エネルギー注入プロセス（２０３）中に、高度な半導体デバイス（２００）のゲート電極構造（２５２）上に注入ブロック材料（２５８）を設けることによって、トランジスタ（２５０Ａ，２５０Ｂ）のチャネル領域（２５５）に対する必要な遮蔽効果を得ることができる。後の製造段階において、層間絶縁材料（２１０）の堆積時のプロセス条件を向上させるために、注入ブロック部分（２５８）が除去されてゲート電極高さ（２５３Ｈ）が所望の高さに低減され、これにより、高密度のデバイス領域であっても、層間絶縁材料（２１０）内にボイドなどの不規則性が形成されるリスクを大幅に低減することができる。
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【課題】高品質の薄膜トランジスタを用いた表示デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の表示デバイスは、画素駆動用トランジスタと、該画素駆動用トランジスタの動作を制御する周辺回路部用トランジスタとを有し、前記周辺回路部用トランジスタは、絶縁性基板と、該絶縁性基板表面上に形成された第１の絶縁バッファ層と、該第１の絶縁バッファ層の表面上に形成された第１のシリコン層と、該第１のシリコン層の表面上に形成された第２の絶縁バッファ層と、該第２の絶縁バッファ層の表面上に形成された第２のシリコン層を備え、該第２のシリコン層が前記周辺回路部用トランジスタの活性層であり、前記画素駆動用トランジスタは、前記第１の絶縁バッファ層表面上に形成された、前記第１のシリコン層と同一層の第３のシリコン層を備え、該第３のシリコン層が、前記画素駆動用トランジスタの活性層である。 （もっと読む）

【課題】 自己発熱していない状態のパワー半導体素子の電流・電圧特性を、比較的簡易な手法により精度良く得ることのできるパワー半導体素子の評価方法および評価装置を実現する。
【解決手段】 自己発熱状態の評価対象ＬＤＭＯＳ４の電流・電圧特性を測定し（Ｓ１）、自己発熱していない状態におけるドレイン電流値をＩd0、Ｓ１により測定されたドレイン電流値をＩd、Ｓ１における測定開始時のパワー半導体素子の絶対温度をＴｏ、ドレイン電圧（Ｖd）を上昇させたときの温度上昇分をΔＴ、ｎ＝1.5〜2とした場合に、次式、Ｉd0＝Ｉd×（（Ｔｏ＋ΔＴ）／Ｔｏ）^ｎを用いて自己発熱していないときの電流値Ｉd0を求め、評価対象ＬＤＭＯＳ４の自己発熱していない状態における電流・電圧特性を演算する（Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、光リーク電流の発生を低減し、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上において、互いに交差して延在するデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して規定される画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、第１の接合領域（１ｂ）、及び第２の接合領域（１ｃ）を有する半導体層（１ａ）と、第１の接合領域を覆うように島状に設けられた第１絶縁膜（３１ａ）と、第２の接合領域を覆うように島状に設けられた第２絶縁膜（３１ｂ）と、チャネル領域にゲート絶縁膜（２）を介して対向すると共に、第１及び第２絶縁膜上に延在されているゲート電極（３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、電蝕の発生を防止すると共に発熱を抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、複数の画素電極（９ａ）と、画素電極の下地として配置された絶縁膜（４３）と、絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（８５）を介して画素電極に電気的に接続された第１導電膜（９３）とを備える。更に、画素電極より下層側且つ絶縁膜より上層側に、基板上で平面的に見て、コンタクトホールに重なるように島状に形成された第２導電膜（４１０）とを備える。 （もっと読む）