【課題】チップ面積の増大を抑制しつつ、サリサイド化された素子と非サリサイド化された素子とを同一基板上に混載する。
【解決手段】シリサイド層１９ａ、１９ｂ、１９ｃが設けられたソース／ドレイン層１７ａ、１７ｂおよびゲート電極１４を半導体基板１１に形成した後、凹部３２内が埋め込まれるようにして非晶質半導体層３３を絶縁膜３１上に形成し、非晶質半導体層３３にレーザを照射することにより、非晶質半導体層３３の溶融結晶化を行い、凹部３２の周囲に略単結晶半導体粒３４を形成し、略単結晶半導体粒３４に非サリサイド素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタとを異なる半導体層上に混載することにより、伝播遅延の増大を抑制しつつ、全体のプロセス長さを大幅に短縮する。
【解決手段】半導体基板１１上にＮチャンネルトランジスタ（Ｐチャンネルトランジスタ）を形成した後、凹部３２が形成された絶縁膜３１をＮチャンネルトランジスタ（Ｐチャンネルトランジスタ）上に形成し、凹部３２内が埋め込まれるようにして非晶質半導体層３３を絶縁膜３１上に形成し、非晶質半導体層３３にレーザを照射することにより、非晶質半導体層３３の溶融結晶化を行い、凹部３２の周囲に略単結晶半導体粒３４を形成し、略単結晶半導体粒３４にＰチャンネルトランジスタ（Ｎチャンネルトランジスタ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の増大を抑制しつつ、外部インターフェース回路が搭載された集積回路の低電圧化を図る。
【解決手段】半導体基板１１上に集積回路を形成した後、凹部３２が形成された絶縁膜３１を集積回路上に形成し、凹部３２内が埋め込まれるようにして非晶質半導体層３３を絶縁膜３１上に形成し、非晶質半導体層３３にレーザを照射することにより、非晶質半導体層３３の溶融結晶化を行い、凹部３２の周囲に略単結晶半導体粒３４を形成し、略単結晶半導体粒３４に外部インターフェース回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜が所望の形状に形成され、略単結晶半導体膜にチャネル形成領域が形成され、優れた電気特性を示す半導体装置の製造方法と、その半導体装置を用いた電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０上に絶縁膜を形成し、絶縁膜に体積Ｖの穴であるアライメント・マーク１３と微細な穴を形成し、膜厚ｔの半導体膜を形成し、半導体膜に熱処理を行って微細な穴周辺に略単結晶半導体膜を形成し、半導体膜を島状に加工する。島状半導体膜１６ｂ、１６ｃは、アライメント・マーク１３の表面形状と相似形で中心が等しい面積Ｓをもつ禁止領域１８よりも外側になるように加工され、Ｖ＜Ｓ・ｔの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】 表面の凹凸の小さな半導体膜を備える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、下地膜の表面に半導体膜１３を配置する工程と、半導体膜１３の表面に保護膜１４を配置する保護膜配置工程と、保護膜１４の上方から局所的にレーザ光を照射することにより、半導体膜１３の一部を厚さ方向に溶融する工程を含む。溶融した半導体膜１３の一部を冷却して、半導体膜１３の表面にほぼ平行な長手方向を有する結晶を形成する結晶化工程を含む。保護膜１４が半導体膜１３の表面に配置された状態で半導体膜１３を平坦化する平坦化工程を含む。結晶化工程は、発現する半導体膜１３の突起部１７が保護膜１４を突き抜ける工程を含む。平坦化工程は、突起部１７の少なくとも一部を除去する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 液晶等の電気光学装置において、積層構造や製造プロセスの単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】 電気光学装置は、データ線及び走査線と、データ線より下層側に配置された薄膜トランジスタとを備える。更に、データ線より上層側に配置されており、画素電位側電極、誘電体膜及び固定電位側電極が下層側から順に積層されてなる蓄積容量と、画素毎に配置されており、画素電位側電極及び薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、誘電体膜の上層側に積層された層間絶縁膜とを備える。蓄積容量は、層間絶縁膜に開けられた開口から露出した誘電体膜上に、固定電位側電極が積層された積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶化されたポリシリコンの結晶粒が突出して荒れた表面を平坦化して半導体層の電気的特性を向上させることができるポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれによって製造された薄膜トランジスタ基板を含む液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ポリシリコン結晶粒が形成された基板をローディングする段階と、ポリシリコン結晶粒の間の結晶粒界で突出している結晶粒を化学的機械的研磨によって除去して研磨された基板を形成する段階と、研磨された基板を洗浄して洗浄された基板を形成する段階と、洗浄された基板をアンローディングする段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来方法に比べ格段に粒径の大きな多結晶シリコン薄膜を形成して、性能の向上した電子回路装置を構成できる薄膜半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】異種基板０１、０９上に非晶質シリコン薄膜０４ａ、１１ａを所望の膜厚以上に形成し、連続波レーザ光０６、１３を照射し走査を行なうことによって多結晶シリコン薄膜０４ｂ、１１ｂを形成し、その後、所望の膜厚まで薄くし、多結晶シリコン薄膜０４ｂ’、１１ｂ’を形成する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン表面を酸化してゲート絶縁膜を形成する酸化工程に先だって、ガスクラスタイオンビームを多結晶シリコン表面に照射し、表面凹凸を平坦化するとともに、多結晶シリコン表層部の結晶を破壊してアモルファスシリコン化する工程を加えることにより、酸化工程において、平坦なゲート絶縁膜を形成でき、耐電圧の向上が図られ、かつ、シリコンの酸化速度が速められ、プロセス時間の短縮が図られる薄膜半導体の製造方法を得る。
【解決手段】絶縁基板１上にアモルファスシリコン層２を形成する工程と、アモルファスシリコン層２をアニールして多結晶シリコン層３を形成する工程と、多結晶シリコン層３の表面にガスクラスタイオンビームを照射する工程と、ガスクラスタイオンビームが照射された多結晶シリコン層３の表面に酸素を含む雰囲気を作用させて酸化シリコン層５を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。また、被剥離層の形成において、熱処理温度、基板の種類等の限定を受けない剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属層を形成し、前記金属層上に酸化物層を形成し、前記酸化物層上に被剥離層を形成し、前記被剥離層を前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において物理的手段により剥離する。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ、イオン注入などの必要がないSOIウェーハを提供する。また、従来のレーザー結晶化技術をIC用ウェーハに適用する際にSi層の性能を改良する。
【解決手段】基板１として、少なくも表面がSiO₂からなる材料を使用し、この表面に、多結晶Si層または水素濃度が１質量％以下の非晶質Si層３を厚さ400nm以下に形成する。Si層３に、レーザー光のスポットが照射される面積当たり10J/cm²以上のエネルギーで固体連続波レーザーを走査する。次に、レーザーを走査したSi層３の表面をＣＭＰ(chemical mechanical polishing)処理した後,水素雰囲気で800〜1200℃の温度範囲で熱処理する。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置に用いるインバータ回路に関する。
【解決手段】インバータのＮチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＮ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられ、かつ前記Ｎ型の不純物の少なくとも１つと重なっているゲイト電極とを有する。
またインバータ回路のＰチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のＰ型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタで構成された回路と積層素子とを集積化する。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、コンタクト用の電極３０５が形成された積層素子とを有し、前記層間絶縁膜上に、前記薄膜トランジスタと接続する配線が設けられ、前記絶縁性基板１０１の裏面から前記絶縁性基板１０１と前記層間絶縁膜とを貫通しなおかつ前記配線と接続する端子２０６が設けられ、前記絶縁性基板１０１の裏面側にて前記端子２０６と前記コンタクト用の電極３０５が電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素用ＴＦＴ、駆動回路用高耐圧ＴＦＴに適した特性の異なるＴＦＴを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０上の結晶粒径の比較的大きな第１、第２の島状多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）層と、結晶粒径の比較的小さな第３の島状ｐ−Ｓｉ層と、第１のｐ−Ｓｉ層上の第１の厚さを有する第１のゲート絶縁膜と、第２、第３のｐ−Ｓｉ層上の第１の厚さ以上の第２、第３の厚さを有する第２、第３のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、チャネル領域の外側に高濃度にｎ型不純物を添加して形成された高濃度ｎ型ソース／ドレイン領域と、第２、第３のｐ−Ｓｉ層のチャネル領域と高濃度ｎ型ソース／ドレイン領域の間に形成された第２、第３の低濃度ｎ型ソース／ドレイン領域と、を有し、第３の低濃度ｎ型ソース／ドレイン領域の不純物添加量は、第２の低濃度ｎ型ソース／ドレイン領域の不純物添加量より高い。 （もっと読む）

【課題】 結晶方位がそろった結晶粒から構成された結晶質半導体膜であって、結晶粒の平均粒径が約４μｍ以下に微細化された結晶質半導体膜の製造方法等を提供する。
【解決手段】 本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、（ａ）基板１０１の上に非晶質半導体膜１０４を形成する工程と、（ｂ）非晶質半導体膜１０４に結晶化を促進する触媒元素１０６を付与する工程と、（ｃ）Ａｒガスを含む雰囲気下で加熱することによって非晶質半導体膜１０４を結晶化し、結晶質半導体膜１０４ｂを得る工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】大気中に曝すことなく不純物元素の混入を防ぎ、かつフラットバンド電圧のバラツキを抑えるための半導体装置の製造方法を安価にかつ容易に実現する。
【解決手段】基板１００上に半導体膜１０２を形成する第１工程（ａ）、半導体膜から水素を除去する脱水素処理を行う第２工程（ｂ）、脱水素処理によって活性化した半導体膜表面に不純物元素を含む分子をドープ量に対応した密度で供給し当該半導体膜の結合手を終端させて不活性化する第３工程（ｃ）、不活性化した当該半導体膜にエネルギーを供給して当該結合手に結合した当該分子中の前記不純物元素を当該半導体膜にドーピングしつつ当該半導体膜を結晶化させる第４工程（ｄ）を備え、これらの工程を大気から隔離された環境下で連続的に行う。 （もっと読む）

（課題）
本発明は、被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って歩留まりよく剥離することを可能とすることを目的としている。また、本発明は、様々な基材に被剥離層を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。特に、フレキシブルなフィルムにＴＦＴを代表とする様々な素子（薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子やシリコン抵抗素子）を貼りつけ、軽量された半導体装置およびその作製方法を提供することを課題とする。
（解決方法）
基板上に金属層１１を設け、さらに前記金属層１１に接して酸化物層１２を設け、さらに被剥離層１３を形成し、前記金属層１１をレーザー光で照射することで酸化を行い金属酸化物層１６を形成させれば、物理的手段で金属酸化物層１２の層内または金属酸化物層１６と酸化物層１２との界面において、きれいに分離することができる。
（もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタ等の半導体装置において半導体膜のエッジ部分における電界集中を回避して信頼性を向上させることを可能とする技術を提供すること。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁基板(10,11)の上に半導体膜(12)を島状に形成する第１の工程と、半導体膜(12)のエッジ部を含んで半導体膜(12)を第１の絶縁膜(13)で覆う第２の工程と、半導体膜(12)上部の第１の絶縁膜(13)を該半導体膜のエッジ部を避けて開口する第３の工程と、少なくとも絶縁膜(13)の開口部の半導体膜(12)上に第１の絶縁膜(13)よりも相対的に薄い厚さの第２の絶縁膜(14)を形成する第４の工程と、第２の絶縁膜(14)上に電極配線膜(18)を形成する第５の工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が優良な多結晶シリコンを結晶化すると同時に結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止する。
【解決手段】 基板上に非晶質シリコンを含むシリコンフィルムをＰＥＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によって蒸着する段階，シリコンフィルムをＨ_２Ｏ雰囲気，一定温度下で熱処理して多結晶シリコン膜を形成する段階，多結晶シリコン膜上部にゲート絶縁膜を形成する段階，多結晶シリコン膜に不純物領域を形成してソース／ドレイン領域を定義する段階，及び不純物領域を活性化する段階を含む。 （もっと読む）