【課題】単結晶半導体層と支持基板との間に導電層を形成する半導体装置において、熱による支持基板の反り量の小さくする。また、同半導体装置の生産性の良い作製方法を提供する。
【解決手段】単結晶半導体層と支持基板との間に導電層が形成され、前記単結晶半導体層と前記導電層との間にゲート絶縁膜が形成された構造を有し、前記導電層と支持基板との間に、隙間が設けられる構成を有する。単結晶半導体基板に前記導電層を作製時、第一の絶縁層が単結晶半導体層と支持基板との間に形成されるが、前記導電層形成時に用いたレジスト上に成膜し、この上部の第一の絶縁層はレジストと共に除去することで、第一の絶縁層に凹部を設ける。前記凹部を有した状態で単結晶半導体基板と支持基板とを貼り合わせることで、前記隙間を有する構造とし、また貼りあわせ前の単結晶半導体基板表面平坦化は不要となる。 （もっと読む）

【課題】微細化ＴＦＴに適用が可能な低抵抗のソース・ドレイン構造を低温プロセスで形成可能な薄膜半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明絶縁性基板上に形成され、所定の間隔を隔てて第１導電型の不純物を含むソース領域及び第１導電型の不純物を含むドレイン領域を有する島状半導体層、前記ソース領域及びドレイン領域の間の島状半導体層上に形成されたゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上に形成され、側壁に絶縁膜からなるサイドウオールスペーサを有するゲート電極、及び前記ソース領域並びにドレイン領域上にそれぞれ６００℃以下の温度で固相成長された、第１導電型の不純物を含む積上げソース多結晶半導体層並びに第１導電型の不純物を含む積上げドレイン多結晶半導体層を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】チャネル形成領域の空乏化領域を増やし、電流駆動能力の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】島状の半導体領域と、前記島状の半導体領域の側面及び上面を覆って設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面を覆って設けられたゲート電極とを有し、前記島状の半導体領域の前記側面及び前記上面はチャネル形成領域として機能する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】積層体中の被剥離体に損傷を与えず、短時間で被剥離体を転写体への転写する方法の提供を課題とする。また、基板上に作製した半導体素子を、転写体、代表的にはプラスチック基板に転写する半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層と被剥離体を形成し、両面テープを介して被剥離体と支持体を接着し、剥離層と被剥離体を物理的手段によって剥離した後被剥離体を転写体に接着し、被剥離体から支持体と両面テープを剥離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの耐熱性の低い支持基板にバッファ層を介して単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】加速された水素イオンを半導体基板に照射し、水素を多量に含んだ損傷領域を形成する。単結晶半導体基板と支持基板を接合させた後、半導体基板を加熱して損傷領域で単結晶半導体基板を分離する。単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層にレーザビームを照射する。レーザビームの照射により単結晶半導体層を溶融させることで、再結晶化することでその結晶性を回復させ、かつ単結晶半導体層の表面を平坦化させる。レーザビームの照射後、単結晶半導体層を溶融させない温度で加熱し、そのライフタイムを向上させる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化を課題の一とする。または、大面積化に際して生じる問題点を解決することを課題の一とする。または、上記の半導体基板を用いた半導体装置の信頼性を向上することを課題の一とする。
【解決手段】半導体基板の大面積化を図るために、ベース基板としてガラス基板等の絶縁表面を有する基板を用いる。そして、該ベース基板に大型の半導体基板を用いて単結晶半導体層を形成する。なお、ベース基板には複数の単結晶半導体層を設けることが好ましい。その後、単結晶半導体層を、パターニングにより複数の単結晶半導体領域に切り分ける。そして、表面の平坦性を向上し、欠陥を低減するために、単結晶半導体領域に対してレーザー光を照射する、又は加熱処理を施す。該単結晶半導体領域の周縁部は半導体素子として用いずに、中央部を半導体素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐えうる単結晶半導体層を備えたＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。また、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層に電磁波を照射し、電磁波の照射された半導体層表面に研磨処理を行う。電磁波の照射により半導体層の少なくとも一部の領域を溶融させ、半導体層中の結晶欠陥を低減させることができる。さらに、研磨処理によって半導体層表面を研磨し、平坦化することができる。従って、電磁波の照射と研磨処理によって、結晶欠陥が低減され、かつ平坦性も高い半導体層を有するＳＯＩ基板を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物を用いた絶縁膜を低温プロセスで結晶化することが可能で、これによりガラス基板やプラスチック基板上に特性の向上が図られた素子を設けることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、金属酸化膜１５と非晶質シリコン膜１９との積層体を成膜形成する。積層体の上部に光吸収層２３を形成する。光吸収層２３で吸収される波長のエネルギー線Ｌｈを光吸収層２３に対して照射し、光吸収層２３で発生させた熱により非晶質シリコン膜１９と金属酸化膜１５とを同時に結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いることができる多結晶半導体膜を、非晶質半導体膜にフェムト秒レーザを照射して結晶化することにより作製する方法に関する。
【解決手段】フェムト秒レーザを使用してレーザ結晶化を行うことにより、キャップ膜を上面に成膜した非晶質半導体膜をレーザ結晶化する際に、半導体膜の結晶化とキャップ膜の除去とを同時に行うことが可能となる。そのため、後工程のキャップ膜除去の工程を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の動作特性を向上させ、かつ、低消費電力化を図る。特に、オフ電流値が低く、バラツキの抑えられたＴＦＴを得ることを課題とする。
【解決手段】シリコンの結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化された第１のシリコン膜の金属元素をゲッタリングするために、希ガスを含み且つ非晶質構造を有する第２のシリコン膜を使用する。また、雰囲気を変えて２回レーザー照射を行う。２回目のレーザー照射は照射領域が不活性気体雰囲気となるようにして行うと第１のシリコン膜の平坦性が向上される。 （もっと読む）

【課題】高圧水蒸気アニール処理等のアニール処理工程を、過不足なく適正化できるようにし、これによって良好な特性の半導体装置を製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】膜質改善処理のためのアニール処理工程を備えた半導体装置の製造方法である。基板１の、ＴＦＴ８の形成領域とは異なる領域に、アニール処理によって光学定数が変化する光学定数可変材料からなるモニタ膜１０を形成する工程と、アニール処理工程の後、モニタ膜１０の光学定数の変化を検出し、アニール処理が、膜質改善処理として予め設定した適正範囲になっているか否かを評価する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】１．５μｍのＤＲによるＴＦＴ製造において、電源電圧・しきい値電圧の要求仕様と一般的なＴＦＴに要求されるＧＩ耐圧を同時に達成し、また、３．０μｍのＤＲによるＴＦＴ製造においても、ＧＩ耐圧を低下させることなく電源電圧等を引き下げる半導体装置及びその製造方法、及び、低消費電力性の良好な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁性基板と、絶縁性基板上に設けられたベースコート膜と、ベースコート膜上に設けられ、且つ、平坦面を有する半導体層と、半導体層の平坦面上に設けられた酸化シリコン膜と、酸化シリコン膜上に設けられた窒化シリコン膜と、により２層構造に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 レーザアニール法を大きく変更することなく特性バラツキを解消することが可能なポリシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 アモルファスシリコン膜２を堆積したガラス基板１を相対移動させながらパルスレーザビームを照射することによってレーザアニールを行う。アニール工程の後、プラズマ処理によりレジストを除去するレジスト除去工程（アッシング）を行う。レジスト除去工程におけるプロセス時間を、レジスト除去開始からレジスト除去終了までの時間の１．５倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】 ＬＳＩを構成する微細な縦型電界効果型トランジスタ、特に半導体層の両側にゲート電極を有するダブルゲート縦型電界効果型トランジスタの製造方法として最適な縦型電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】 矩形断面を持つ半導体領域を跨ぐように、ゲート絶縁膜を介してゲート電極５を設け、続いてゲート電極５のうち、少なくとも前記略矩形の断面を持つ半導体領域の上端よりも低い位置を絶縁膜で覆うとともに、前記略矩形の断面を持つ半導体の側面のうちゲート電極に覆われない領域の少なくとも一部を露出させ、前記露出した前記略矩形の断面を持つ半導体の側面に、半導体を選択的に成長させ、選択成長と同時または選択成長後に選択的に成長させた前記半導体に不純物を導入することにより、選択的に成長させた前記半導体をソース／ドレイン領域もしくはソース／ドレインエクステンション領域となす （もっと読む）

【課題】ステージと基板との位置ずれを抑制することにより、所望の領域のみにレーザを照射することができるようにする。
【解決手段】半導体材料の付着した基板を所定の基板載置部に収納可能とする密閉容器と、半導体材料に照射されて半導体材料を所定の熱処理温度まで加熱するための光を照射する光源と、密閉容器に設けられて光源からの光を透過して密閉容器内に導入するための光透過窓と、基板載置部に設けられて基板を基板載置部に固定保持するための保持手段と、光の照射時における密閉容器内の雰囲気圧力を、光照射によって溶融加熱された半導体材料の温度によって規定される蒸気圧を下まわらないように制御する圧力制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＳ基板上に形成されたＭＯＳＦＥＴ等のトランジスタの低消費電力化。
【解決手段】サファイア基板１０上にＳｉエピタキシャル成長によりＳｉエピタキシャル層１２を形成し、該Ｓｉエピタキシャル層にＳｉをイオン注入し、熱処理を施し固相エピタキシャル化させた基板を用意する工程と、基板に対して特定の元素Ｆ，Ｈ，Ｎ，Ｏ，Ｃの内の一つまたは複数をイオン注入する工程と、基板に対して結晶欠陥の不活性化アニールを施す工程と、Ｓｉエピタキシャル層上にＣＭＯＳデバイスを形成する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】微小構造体、当該微小構造体を制御する電気回路を同一基板上に形成したマイクロマシンおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】電気回路の半導体素子はゲート電極上に半導体層を有する。半導体素子の半導体層は、基板１０１上で、非晶質シリコンを加熱処理またはレーザ照射により結晶化した多結晶シリコンを含む層でなる。得られた多結晶シリコンを含む層を構造体１１９の可動電極などの構造層１０８にも用いられる。そのため、構造体１１９と構造体１０８を制御する電気回路を同一基板上に同時に形成することができる。その結果、マイクロマシンを小型化することができる。また、組み立てやパッケージが不要となり、製造コストを低減することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】レーザーアニールを行うための、均質な線状レーザービームを照射するに際し、エネルギーロスの小さい光学系とし、被照射物に十分なエネルギーを与え、またレーザー光源を長寿命として使用できるレーザーアニール装置およびレーザーアニール方法を提供する。
【解決手段】パルスレーザー発振器と、レーザー光を分割拡大する複眼状のフライアイレンズと、分割拡大されたレーザー光を線状に集光する第１のシリンドリカルレンズと、線状に集光されたレーザー光の線方向の均質性を向上させる第２のシリンドリカルレンズと、均質性が向上した線状レーザー光を被照射面である半導体膜上面に集光する第３のシリンドリカルレンズと、半導体膜を前記線状に集光されたパルスレーザー光の線幅方向に相対的に移動させるステージとを有し、被照射面を上下に変化させることで、被照射面と第３のシリンドリカルレンズとの距離を変化させる。 （もっと読む）

【課題】基板全体に渡って高性能な薄膜トランジスタを安定的に得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板(11)の一方面側に凹部(125)を形成する第１工程と、上記基板の一方面側に第一半導体膜(130)を形成する第２工程と、上記第一半導体膜側から上記基板の一方面に向けて平坦化処理を行う第３工程と、上記基板の一方面側に第二半導体膜(130b)を形成する第４工程と、上記第二半導体膜に熱処理を行い、上記凹部を略中心とする略単結晶粒(131)を形成する第５工程と、上記第二半導体膜を用いて半導体素子を形成する第６工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＰチャンネルトランジスタとＮチャンネルトランジスタとを異なる半導体層上に混載することにより、伝播遅延の増大を抑制しつつ、全体のプロセス長さを大幅に短縮する。
【解決手段】半導体基板１１上にＮチャンネルトランジスタ（Ｐチャンネルトランジスタ）を形成した後、凹部３２が形成された絶縁膜３１をＮチャンネルトランジスタ（Ｐチャンネルトランジスタ）上に形成し、凹部３２内が埋め込まれるようにして非晶質半導体層３３を絶縁膜３１上に形成し、非晶質半導体層３３にレーザを照射することにより、非晶質半導体層３３の溶融結晶化を行い、凹部３２の周囲に略単結晶半導体粒３４を形成し、略単結晶半導体粒３４にＰチャンネルトランジスタ（Ｎチャンネルトランジスタ）を形成する。 （もっと読む）