【課題】本明細書では、基板基材が熱によって劣化することを抑制することができる構造の半導体モジュールを開示する。
【解決手段】半導体モジュール２は、基板基材４内にＩＧＢＴ１０、ダイオード２０、プリント配線３０〜４４、及び、断熱部５０が配置されて形成されている。ＩＧＢＴ１０とダイオード２０は、基板基材４内に並べて配置されている。プリント配線３０は、ＩＧＢＴ１０及びダイオード２０と接続されている。同様に、プリント配線３４、３６は、ＩＧＢＴ１０と接続されている。また、プリント配線３８は、ダイオード２０と接続されている。プリント配線３０〜４４の一部は、基板基材４の表面に露出している。断熱部５０は、ＩＧＢＴ１０と基板基材４との間、ダイオード２０と基板基材４との間、及び、プリント配線３０、３４、３６、３８と基板基材４との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 搭載される電子部品の温度を均一にすることができる配線基板および撮像装置を提供すること。
【解決手段】 実装領域２と、平面視で実装領域２の周囲に配置された複数の接続電極３と、一端が接続電極３に接続されているとともに他端が実装領域２の周囲の外表面に引き出されている配線導体４とを備えた配線基板において、平面視で、実装領域２の周囲に、実装領域２を囲むように、複数の低熱伝導部５が形成されて構成されている配線基板である。低熱伝導部５が設けられていることから、低熱伝導部５が設けられていない実装領域２と実装領域２の周囲とが連続している部分（橋部Ｘ）を介してのみ熱が伝導し、搭載された電子部品に熱の偏りが生じたとしても熱が外部に伝わりにくくなり、電子部品の高温部の熱が外部ではなく電子部品の低温部へと伝わりやすくなる。 （もっと読む）

【課題】１つのパッケージに複数の半導体チップを搭載する半導体装置において、各半導体チップに他の半導体チップからの放熱の影響を受けにくい構造を簡易に実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、上面に第１の半導体チップ１０５Ａを保持すると共に、下面に電気信号を導通可能な上基板１０２と、下面に第２の半導体チップ１０５Ｂを保持すると共に、上面に電気信号を導通可能な下基板１０３と、上基板１０２及び下基板１０３の間に保持され、上基板１０２と下基板１０３とを電気的に接続する樹脂基板１０４とを有している。樹脂基板１０４は、第１の半導体チップ１０５Ａと第２の半導体チップ１０５Ｂとの間に形成された中空部１０４ａを有している。 （もっと読む）

【課題】 高精度な温度補償が可能な電子装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電子装置１０は、電子素子チップ１２と、前記電子素子の温度特性を補償する温度補償回路チップ１３と、基板１１とを備え、前記電子素子チップ１２と前記温度補償回路チップ１３とが、前記基板１１に実装され、さらに、熱的接続手段１４を備え、前記電子素子チップ１２と前記温度補償回路チップ１３とが、前記熱的接続手段１４により接続され、前記温度補償回路チップ１３の前記熱的接続手段１４に接続されている部分以外の部分が、前記熱的接続手段１４の熱伝導率より、熱伝導率の低い条件下にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】この発明は、端子に接続される周辺回路が半導体チップで発生する熱により破壊されるのを防止できるパワー半導体装置を提供することを目的する。
【解決手段】パワー半導体装置は、半導体チップ１３と、半導体チップ１３と電気的に接続された端子１２と、半導体チップ１３の全体および端子１２の一部を収容するパッケージ１１と、端子１２におけるパッケージ１１から突出する部分を直接冷却する冷却手段２０とを含む。冷却手段２０は、たとえば、内部に冷却液が流通する液冷パイプ２１と、端子１２におけるパッケージ１１から突出する部分を液冷パイプ２１に熱的に接続する接続部材２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】発熱体において発生した熱を、伝熱部材により、発熱体から離間した位置まで゛伝熱させて放熱させる放熱構造を提供する。
【解決手段】伝熱部材１と、この伝熱部材１に接触している発熱体２（半導体素子が搭載された基板等）及び放熱手段３１（ヒートシンク等）と、を備え、発熱体２と放熱手段３１とは、伝熱部材１の面方向において離間して配置されており、伝熱部材１は、伝熱性エラストマー層１１（アルミナ粉末等の熱伝導性充填材を配合したスチレン系エラストマー等を用いて射出成形法等により成形してなる層など）と伝熱性剛性体１２（アルミニウムシート等であり、射出成形法等により伝熱性エラストマー層と一体に成形されることが好ましい。）とが積層されて構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで、冷却能力や冷却効率の向上された発熱体の冷却構造体を提供すること。
【解決手段】扁平な形状を呈する外管１２内に、細径な内管１４の複数を内挿して、それら内管１４が一列に密接配列され、さらに外管１２の内周面に内管１４の外周面が密接されるようにして構成した第一のユニット１６ａ及び第二のユニット１６ｂの二つを、発熱体２６が取り付けられる側の外管１２の平坦面２４がそれぞれ外側となるようにして、重ね合わせた状態において直列に接続し、第一のユニット１６ａと第二のユニット１６ｂとの対向する平坦面１８，１８間に、断熱材２０を挟み込んで、冷却構造体１０を構成した。 （もっと読む）

【課題】電気回路装置のパッケージ内部雰囲気温度の上昇を防ぎ、効率的に放熱すること。
【解決手段】金属基板３１に接続したＭＯＳＦＥＴ４０と樹脂基板３０上にマウントされた部品４１〜４３によって電気回路を形成する電子制御装置１において、要放熱部品であるＭＯＳＦＥＴ４０をリード線などでパッケージ１０の外側に引き出し、放熱板２０に設置する。これにより、ＭＯＳＦＥＴ４０が発する熱をパッケージ１０の外部で放出して内部雰囲気温度の上昇を回避し、発熱部品の放熱性向上を実現する。 （もっと読む）

【課題】ＣＰＵ、ＧＰＵ等のロジックＬＳＩから発生する熱を効率的に放熱でき、温度上昇や温度分布を小さくすることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】積層ＤＲＡＭ１の一端面は、インターポーザ２に固定され、インターポーザ２には、ＣＰＵ、ＧＰＵ等のロジックＬＳＩ３が固定されている。ロジックＬＳＩ３のインターポーザ２と反対側の面には、放熱フィン４がロジックＬＳＩ３に直接接合されている。よって、ロジックＬＳＩ３が発生する熱の大部分は放熱フィン４を伝わって大気中に放熱され、インターポーザ２を介して積層ＤＲＡＭ１に伝わる熱量は少なくなる。従って、積層ＤＲＡＭ１が高温となったり、大きな温度分布を持つことが防止される。 （もっと読む）

【課題】放熱特性を向上させることができ、更に、汎用性に富んだ電子部品の放熱構造及び半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板３１に実装された電子部品３５の放熱構造において、前記配線基板３１の上部に断熱材３３が設けられ、前記断熱材３３の上部に第１放熱体３４が設けられ、前記第１放熱体３４の上部に前記電子部品３５が載置されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を基板に高密度に実装したとき、半導体素子の特性の変化を抑制することができる半導体素子用パッケージ及びマルチチップモジュールを提供することである。
【解決手段】イメージセンサ６や駆動用素子８等の半導体素子を実装するための複数の領域間の熱伝導を妨げる断熱部９を備えた。 （もっと読む）

【課題】実装基板に複数の半導体素子が設けられた半導体装置において、それぞれの半導体素子の放熱性を確保しつつ、組み立てにおける作業工数を軽減する手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、プリント基板１０４、プリント基板１０４に実装された第一の半導体素子１０３ａおよび第二の半導体素子１０３ｂ、ならびに第一の半導体素子１０３ａの上部から第二の半導体素子１０３ｂの上部にわたって設けられたヒートシンク１０１を含む。ヒートシンク１０１は、第一の半導体素子１０３ａに対応する第一の放熱領域１２３ａ、第二の半導体素子１０３ｂに対応する第二の放熱領域１２３ｂ、および第一の放熱領域１２３ａと第二の放熱領域１２３ｂとの間に挟まれた領域であって、第一の放熱領域１２３ａと第二の放熱領域１２３ｂとの間の熱伝導を抑制する接続領域１２５を含む。 （もっと読む）