【課題】 高信頼性を実現するプロセスモニタに適したデプレッション型電界効果型ＭＯＳトランジスタを提供する。
【解決手段】 多結晶シリコン中に作製したダイオード及び半導体基板中に作製したダイオードで双方向ダイオードを形成し、この双方向ダイオードを金属配線でデプレッション型電界効果型ＭＯＳトランジスタのゲート電極と半導体基板間に接続する。 （もっと読む）

【課題】 ホットキャリア耐性が高いＦＥＴを備える半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１０２とシリコン基板１０２上に形成されるＬＤＤ構造のＭＯＳＦＥＴ１１０とを備える半導体装置１００において，ＭＯＳＦＥＴ１１０のＬＤＤ部は，相互に注入エネルギが異なる２度以上のイオン注入により形成されることを特徴としている。したがって，ホットキャリアの発生位置をシリコン基板１０２の深部に移動させ，ＭＯＳＦＥＴ１１０のホットキャリア耐性が向上する。 （もっと読む）