【課題】 結晶性の良好な微結晶シリコン膜、並びに、それを用いた薄膜トランジスタ等の半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る微結晶シリコン膜は、５×１０^１６ｃｍ^−３以上、５×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の金属元素を含み、かつ、ラマン分光法により５２０ｃｍ^−１と４８０ｃｍ^−１の２つのピークを示すことを特徴とする。ここで、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種又は複数種類の元素が望ましい。また、前記２つのピーク強度比は、１０：１程度であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】 ナノスケール領域のボトムアップ型微細加工方法とそれを用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブに代表されるナノ細線材料２に関して、外部からエネルギーを投入することで局所的に発生するジュール熱、光又は熱電子を、外部から添加される原料９の化学反応や固相成長やナノ細線材料２自身の物性変換のための微小エネルギー４として利用することにより、ナノ細線材料２の近傍のみを自己整合的・自己制限的に加工する。 （もっと読む）

【課題】照射面上にレーザの干渉縞を生じさせることがなく、強度分布を均一にしてレーザビームを照射する。
【解決手段】レーザ発振器から出射したレーザビームはを回折光学素子により、強度分布が均一にされる。回折光学素子を通過したビームをスリットを通過させて、ビームの長軸方向の強度の弱い端部を遮断する。ビームを、投影レンズ及び集光レンズを通し、スリットの像を照射面に投影する。投影レンズは、スリットと照射面とが共役の関係になるように配置される。スリットによる回折を防ぎ、強度が均一なレーザを照射面に照射することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ハロゲン化アルミニウム、より好ましくは、塩化アルミニウム(AlCl₃)と異種金属又はこれらの金属化合物とを含む混合雰囲気の低温条件で非晶質シリコン薄膜を結晶化することによって、経済的且つ効率的に多結晶シリコン薄膜を製造することを目的とする。
【解決手段】 本発明の多結晶シリコン薄膜の製造方法は、基板上に形成された非晶質シリコン薄膜をハロゲン化アルミニウムと異種金属又はこれらの金属化合物を99:1〜1:99の比で混合された雰囲気下、400℃〜600℃の温度で熱処理する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁表面を有する基板上に、均一に結晶成長した結晶性珪素膜を得る。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に微結晶性を有する珪素膜を形成し、前記微結晶性を有する珪素膜の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持し、加熱処理を行って前記微結晶性を有する珪素膜よりも結晶性の高い結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜の表面をエッチングし、前記結晶性珪素膜にレーザー光を照射した後、加熱処理を行う。また、前記金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素を用いる。 （もっと読む）

プラスチック基板上にアモルファスSi層を形成し、前記アモルファスSi層をレーザ照射により結晶化して得られる結晶性Si層形成基板の製造方法において、前記レーザの発振波長の光に対する前記プラスチック基板の透過率が30〜100％であることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 レーザ光の照射により安定して効率よく結晶粒の位置とその大きさを制御した大粒径結晶を有する多結晶半導体膜を形成し、さらにその多結晶半導体膜を薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作可能な薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】 固体レーザの基本波の照射により多結晶半導体膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であって、絶縁表面を有する基板上に下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に島状に基本波の吸収が可能な光吸収層を形成し、基本波の照射により前記島状の光吸収層を選択的に加熱することによって、半導体膜を所定の方向に結晶成長させて多結晶半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えない剥離方法を提供し、小さな面積を有する被剥離層の剥離だけでなく、大きな面積を有する被剥離層を全面に渡って剥離することを可能とする。また、被剥離層の形成において、熱処理温度、基板の種類等の限定を受けない剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に金属層を形成し、前記金属層上に酸化物層を形成し、前記酸化物層上に被剥離層を形成し、前記被剥離層を前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において物理的手段により剥離する。 （もっと読む）

【課題】被剥離層に損傷を与えず、小さな面積の被剥離層だけでなく、大きな面積の被剥離層も歩留まりが良好な剥離方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の材料を含む第１の層を形成する工程と、第１の層上に第２の材料を含む第２の層を形成する工程と、第２の層上に被剥離層を形成する工程と、加熱処理またはレーザー光の照射を行って、第２の層の圧縮応力を用いることにより、基板と被剥離層とを分離する工程とを含む。第１の材料は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ及びＰｔから選択された１つ又は複数である。第２の材料は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンである。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でＮｉシリサイドを形成する。
【解決手段】基板上に半導体膜を形成し、前記基板を加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。また基板上に半導体膜を形成し、前記基板を４５０℃以上に加熱しながら前記半導体膜上にＮｉ膜を１０ｎｍ以上成膜することにより、前記半導体膜にＮｉシリサイドを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性が高く、製作コストを抑制した半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、チャネル形成領域となる島状半導体膜と、前記島状半導体膜の側面に接し、ソース領域又はドレイン領域となる半導体膜を有する半導体装置及びその作製方法に関する。チャネル形成領域となる島状半導体膜とソース領域又はドレイン領域となる半導体膜をドーピング装置を用いないで形成することにより、製造コストを抑制することができる。かつチャネル形成領域である島状半導体膜の側面にソース領域又はドレイン領域が接することにより、空乏層が膜厚方向だけでなく横方向に広がり、ドレイン電圧による電界が緩和されるため信頼性の高い半導体装置を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】また、ＣＷレーザまたは擬似ＣＷレーザを用いてレーザアニールを行った場合、エキシマレーザを用いた場合に比べ生産性が悪く、更なる生産性の向上が必要である。
【解決手段】レーザ光を非線形光学素子に通すことなく基本波のままとし、高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を半導体薄膜に照射してレーザアニールを行うことを特徴とする。非線形光学素子を用いず、且つ、高調波に変換しないため、大きな出力を有するレーザ発振器をレーザアニール法に用いることが可能となる。従って、一度の走査で形成される大粒径結晶の領域の幅を拡大することができるため、格段に生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 チップは貼り合わせ加工すると表面に配線が露出されない。そのため、接触式の検査を行うことが難しかった。
接触式の検査は、非接触式と比べて、精度が高く、検査装置も簡便なものであるため、適用することが望まれていた。
【解決手段】 本発明は、基板上に剥離層を介して形成された半導体膜に、接続する配線を形成するため、剥離層が露出するように、または露出する直前で止めるように開口領域を形成する。その後、基板を剥離すると、配線を露出することができ、チップに対して接触式の検査を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 大面積のガラス基板上に薄膜からなる集積回路を形成した後、基板から剥離を行い、接触、好ましくは非接触でデータの受信または送信が可能な微小なデバイスを大量に効率よく作製する方法を提供することを課題とする。特に薄膜からなる集積回路は、非常に薄いため、搬送時に飛んでしまう恐れがあり、取り扱いが難しかった。
【解決手段】
本発明は、分離層に対して少なくとも異なる２種類の方法を用いてダメージ（レーザ光照射によるダメージ、エッチングによるダメージ、または物理的手段によるダメージ）を複数回与えることにより、基板から被剥離層を効率よく剥離する。また、剥離後のデバイスに反りを持たせることによって、個々のデバイスの取り扱いを容易とする。 （もっと読む）

【課題】
結晶化と同時に触媒元素のゲッタリングを可能にし、熱処理行程を減少させることをことを課題とする。
【解決手段】
基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質半導体膜、１５族から選ばれた元素を含む半導体膜を形成する。非晶質半導体膜及び１５族から選ばれた元素を含む半導体膜を、島状非晶質半導体膜及び島状半導体膜からなる島状領域に形成し、島状領域上にソース電極又はドレイン電極を形成する。ソース電極又はドレイン電極をマスクとして、ソース電極又はドレイン電極に覆われていない島状半導体膜の除去、及び島状非晶質半導体膜の膜厚を減少させ、また一部を露出させる。島状非晶質半導体膜の露出した領域に、結晶化を助長する触媒元素を導入し、加熱により島状非晶質半導体膜の結晶化及び触媒元素のゲッタリングを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、所望の形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。また、バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部を酸化して酸化物層を形成した後、該酸化物層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に所望の形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細な形状を有する半導体領域の形成方法を提供する。バラツキの少ない半導体装置の作製方法を提供する。また、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体膜の一部にレーザ光を照射し、絶縁層を形成した後、該絶縁層をマスクとして半導体膜をエッチングして、所望の形状を有する半導体領域を形成した後、該半導体領域を用いる半導体装置を作製する。本発明では、公知のレジストを用いたフォトリソグラフィー工程を用いずとも、所定の場所に微細な形状を有する半導体領域を形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】
線状レーザの走査回数を減少させ、レーザアニールにかかる時間を短縮させ、半導体装置の作製工程、作製時間、作製にかかるコストを短縮させることを課題とする。
【解決手段】
本発明では、線状レーザビームの照射面に重なり合うように高温の気体を局所的に噴き付ける。線状レーザビームは、レーザ発振器から射出したレーザビームをレンズに入射することにより得られる。高温の気体は、気体圧縮ポンプで圧縮された気体をノズル型ヒータにより加熱することによって得られる。加熱された気体は、線状レーザビームの照射面に重ね合わせるように噴出する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射時の振動の発生を抑制し、一様なエネルギープロファイルを持つレーザビームを一方向に移動させることにより、信頼性のよい半導体装置を短時間で量産する。
【解決手段】 円柱状の回転体の表面に、回転体の曲率に沿って基板を回転体表面に吸着させ、回転体を回転させ、基板上に成膜された半導体膜を一度にレーザ照射する。また、回転体の回転軸方向に移動機構を設け、回転体が１回転したときに照射位置をずらすようにする。または回転体を回転させながら回転軸方向に移動させることも可能である。 （もっと読む）