【課題】 格子定数が異なる複数種類の半導体素子を同一の基板上に混載することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、シリコン基板２１の一部に絶縁膜２２を形成し、シリコン基板２１と絶縁膜２２上にアモルファスＳｉＧｅ層２３を形成し、シリコン基板を熱処理し、アモルファスＳｉＧｅ層２３を絶縁膜２２上に横方向に固相若しくは液相成長させて結晶化し、シリコン基板２２と絶縁膜２２上に格子定数が後に形成される材料層の格子定数に整合されたＳｉＧｅ層２３ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】工程を簡単にしながらも、多結晶化された半導体層の厚みの変動を低減する。
【解決手段】半導体装置１は、基板１１の平坦な表面に形成された遮光膜１４と、遮光膜１４を直接に覆って基板１１に形成されると共に、平坦化された表面を有する平坦層１５と、遮光膜１４に重なるように平坦層１５上に形成され、多結晶化された半導体層１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】赤色の光の感度を充分に得ることを可能にする固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体層３の内部にフォトダイオードを構成する電荷蓄積領域４が形成され、この電荷蓄積領域４の内部又は下に、電荷蓄積領域４を透過した光を反射させて電荷蓄積領域４の中央部に向かわせる反射膜１６が設けられている固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】第１領域と第２領域に違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層が形成された表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置において、第１領域と第２領域を有する基板層と、基板層の第１領域に形成された第１多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第２領域に形成された第２多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】複数の半導体集積回路が固着された繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ構造体に形成された開口に設けられ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

半導体コンポーネントは支持体を具備し、支持体の一面では少なくとも１つの半導体層が多結晶で構成されている。多結晶半導体層は結晶化シードを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能な高信頼性のアクティブマトリクス方式の表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０１上に成膜したＳｉ窒化膜１０２、Ｓｉ酸化膜１０３の上に非晶質Ｓｉ膜１０４を成膜する。非晶質Ｓｉ膜１０４は脱水素処理される（図１の（ａ)）。この非晶質Ｓｉ膜１０４に炭酸ガスレーザーによるアニールと同時にＵＶ光を照射することで結晶化率が９０％以上、表面の凹凸差が１０ｎｍ以下の結晶化Ｓｉ膜が得られる（図１の（ｃ)）。この結晶化Ｓｉ膜を用いて表示装置のための薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成する。炭酸ガスレーザーのみでのアニールでは結晶化率が９０％以上の結晶化Ｓｉ膜を得るためには３５０℃以上の基板加熱が必要である（図１の（ｂ））。 （もっと読む）

【課題】同一の非晶質半導体膜を結晶化して形成されたＴＦＴおよびＴＦＤの半導体層の結晶状態を別個に制御して最適化する。
【解決手段】半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上に支持され、チャネル領域１１４、ソース領域およびドレイン領域１１２ａを含む半導体層１０７ｔと、チャネル領域１１４の導電性を制御するゲート電極１０９と、半導体層１０７ｔとゲート電極１０９との間に設けられたゲート絶縁膜１０８とを有する薄膜トランジスタ１２４と、基板１０１の上に支持され、少なくともｎ型領域１１３ａとｐ型領域１１７ａとを含む半導体層１０７ｄを有する薄膜ダイオード１２５とを備える。薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔおよび薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、同一の非晶質半導体膜を結晶化することによって形成された結晶質半導体層であり、薄膜ダイオード１２５の半導体層１０７ｄは、薄膜トランジスタ１２４の半導体層１０７ｔのチャネル領域１１４よりも高い結晶性を有している。 （もっと読む）

【課題】高性能で安価な半導体装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、単結晶半導体基板にイオンを打ち込み前記基板に貼り付けた後熱処理を加えることにより残存させた単結晶半導体層を有する第１の領域と、非単結晶半導体層を有する第２の領域と、を設ける。また、劈開単結晶半導体層に不活性雰囲気中においてレーザー光の照射を行い、非単結晶半導体層には、少なくとも一度、大気雰囲気中においてレーザー光の照射を行うとより好ましい。 （もっと読む）

【課題】銅めっきをアンテナに用いた、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を防止し、また、集積回路とアンテナが一体形成された半導体装置において、アンテナと集積回路の接続不良に伴う半導体装置の不良を防止する装置を提供する。
【解決手段】半導体装置によると、同一の基板１０２上に集積回路１００とアンテナ１０１とが一体形成された半導体装置において、銅めっき層１０８をアンテナ１０１の導体に用いた場合に、アンテナ１０１の下地層１０７に所定の金属の窒化膜を用いているので銅の回路素子への拡散を防ぎ、銅の拡散による回路素子の電気特性への悪影響を低減できる。また、アンテナの下地層の金属の窒化物の一つにニッケルの窒化物を用いることで、アンテナと集積回路の接続不良を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体膜を、歩留まり良く、レーザ光の照射で結晶化する。
【解決手段】絶縁膜、半導体膜、絶縁膜、および半導体膜の順で、基板上に膜を積層する。基板の上方からレーザ光を照射下層および上層の半導体膜を溶融させて、下層の半導体膜を結晶化させる。レーザ光の照射により、上層の半導体膜が液相状態になることで、レーザ光が反射されるため、レーザ光によって下層の半導体膜に過剰に加熱されることを防ぐことができる。また、上層の半導体膜も溶融することで、下層の半導体膜の溶融時間を延ばすことができる。 （もっと読む）

【課題】線状レーザビームの照射により結晶化される半導体膜の結晶粒の面方位を揃える。また、結晶粒の面方位が揃った結晶性半導体を高い歩留まりで作製する。
【解決手段】基板上に、下地の絶縁膜、半導体膜及びキャップ膜を形成する。連続発振レーザなどのレーザから発振されるレーザビームを非球面シリンドリカルレンズまたは屈折率分布レンズにより幅が５μｍ以下の線状のレーザビームに集光する。この線状レーザビームを照射して半導体膜を完全溶融させ、かつ線状レーザビームを走査することで、完全溶融した半導体膜をラテラル成長させる。線状ビームの幅が５μｍ以下と非常に細いため、液体状態となっている半導体の幅も狭くなり、液体状態の半導体に乱流が発生することが抑制される。このため、隣り合う結晶粒の成長方向が乱流で乱れることなく、均一化されるため、ラテラル成長した結晶粒の面方位を揃えることができる。 （もっと読む）

【課題】画素部や駆動回路の要求に合わせてＴＦＴの構造を最適化しようとす
ると製造工程が複雑となってしまう。また、触媒元素を添加して結晶質半導体膜
を形成した場合、触媒元素の濃度を十分に低減しないでＴＦＴを形成するとオフ
電流が突発的に上がってしまう等の問題がある。
【解決手段】第１のｎチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲート電極の外側に設け
られた第１の不純物領域及び第２の不純物領域を有し、第２のｎチャネル型ＴＦ
Ｔの半導体層はゲート電極と一部が重なるように設けられ、かつ、ゲート電極の
外側に設けられた第３の不純物領域を有し、ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層はゲ
ート電極と一部が重なるように設けられた第４の不純物領域、ゲート電極の外側
に設けられた第５の不純物領域を有する半導体装置であり、触媒元素を用いて形
成された結晶質シリコン膜からバリア層を介して希ガス元素を含む半導体膜に触
媒元素を移動させる。 （もっと読む）

【課題】被照射物の位置合わせを行い、精度良くレーザビームを照射するレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供する。また、レーザビームの所望の照射位置に精密に照準を合わせる方法を用いて、信頼性の高いＴＦＴを作製する方法を提供する。
【解決手段】マーカー付き基板を、赤外光透過材料で形成されたステージ上に載置し、ステージ上に載置されたマーカー付き基板に設けられたマーカーを、赤外光を検知可能なカメラによって検出して、ステージの位置を制御し、レーザ発振器からレーザビームを射出し、レーザ発振器から射出されたレーザビームを光学系によって線状に加工し、ステージに載置されたマーカー付き基板に照射する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを有し、製造コストが低く、薄型化が可能な表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画像を表示する表示領域と周辺領域を有するパネルと、前記表示領域に形成された複数の薄膜トランジスターと、前記周辺領域に形成されたｐ型薄膜トランジスター１２０ｃ、１４１ｃ及びｎ型薄膜トランジスター１２０ｂ、１４１ｂと、前記表示領域または前記周辺領域に形成された少なくとも１つの水平構造を有するフォトダイオード５００と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の方向や結晶粒の幅を制御することが可能な結晶性半導体膜の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に非晶質半導体膜を形成し、非晶質半導体膜上に、キャップ膜を形成し、キャップ膜を透過する連続発振又は繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザビームが非晶質半導体膜に照射されるように走査して非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化する。このとき、レーザビームのビームスポットにおける長さ方向のエネルギーの周期が０．５μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは１μｍ以上５μｍ以下であり、レーザビームのビームスポットにおける幅方向のエネルギー分布はガウス分布であり、非晶質珪素膜の一領域あたりにレーザビームを５マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下照射するようにレーザビームを走査する。 （もっと読む）

【課題】表示装置を含む絶縁基板上に、ＭＯＳトランジスタとバイポーラトランジスタを同時に集積してなる画素制御回路を形成する。
【解決手段】絶縁基板（１０１）上に設けられ所定の方向に結晶化された半導体薄膜（１０５）に形成された半導体薄膜を用いて形成された複数の半導体素子を有する電子装置または表示装置であって、複数の半導体素子は、ＭＯＳトランジスタ（３００）と、少なくともラテラルバイポーラ薄膜トランジスタ（１００）またはＭＯＳ−バイポーラハイブリッド薄膜トランジスタ（２００）のいずれかを含む電子装置または表示装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の酸化を防ぎ、良好な多結晶シリコン膜を得ることができると共に、絶縁性基板上に低コストで多結晶シリコン膜を形成することが可能な多結晶シリコン膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に非晶質シリコン膜を非酸化性雰囲気下で形成する非晶質シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜を非酸化性雰囲気下で多結晶化させる多結晶シリコン膜形成工程と、非晶質シリコン膜形成工程から多結晶シリコン膜形成工程に被処理基板を移行するときの工程であって、非晶質シリコン膜を形成した後に非晶質シリコン膜形成工程の非酸化性雰囲気を大気雰囲気又は所定の酸素分圧を有する雰囲気に変化させ、その後、被処理基板２を多結晶シリコン膜形成工程に移行して、多結晶シリコン膜形成工程内の雰囲気を非酸化性雰囲気に変化させる雰囲気制御工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子間での電気特性のばらつきが低減された半導体膜、それを備えた半導体装置及びそれらの作製方法の提供。
【解決手段】その作製方法は、基板上に絶縁膜を形成し、前記絶縁層上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜上に、膜厚が２００〜１０００ｎｍであり、且つ酸素を１０ａｔｏｍｉｃ％以下含み、且つ珪素に対する窒素の組成比が１．３以上１．５以下である窒化珪素膜を形成し、前記窒化珪素膜を透過する連続発振のレーザ光または繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ光を前記非晶質半導体膜に照射して前記非晶質半導体膜を溶融させた後結晶化して、結晶性半導体膜を形成し、前記結晶性半導体膜を用いて半導体素子を形成することを特徴とするものであり、この方法により、直交する３面において結晶の面方位が一定の割合以上揃う結晶性半導体膜を形成することができ、その結果、隣接する半導体素子間での電気特性のばらつきが低減され、優れた特性を有する半導体装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜の結晶化に際し、当該半導体膜表面の平坦性および結晶性の双方を良好に実現させ、高性能な結晶性半導体を形成する形成方法および形成装置、並びに当該形成方法を用いた半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２と、ステージ２ａと、レーザー照射手段３と、酸素供給手段４とを備えた形成装置１を用いて、雰囲気中の酸素濃度が４×１０^２ｐｐｍから１×１０^４ｐｐｍまでの範囲となるように、雰囲気中に露出した非晶質ケイ素膜１２表面に直接酸素を供給するか、非晶質ケイ素膜１２上に酸化膜１４が形成されている場合は、雰囲気中の酸素濃度を、０を超えて、１×１０^４ｐｐｍまでの範囲となるように、非晶質ケイ素膜表面に直接酸素を供給する。 （もっと読む）