【課題】 基板上に、成長の核となる微結晶を作製し、その粒径と密度を制御し、大粒径多結晶Si薄膜を作製できるGe微結晶核付き基板の作製方法及びGe微結晶核付き基板を提供する。
【解決手段】 電子工業用ガラス基板、石英ガラス基板、熱酸化したSiウェーハ又はSiO₂膜付き基板の上に固相成長法により島状に独立したGe微結晶を形成し、次いで酸素エッチングによってGe微結晶の粒径と密度とを、３００〜６００℃の範囲のエッチング温度とエッチング時間とで制御する。前記基板の上に粒径が１〜４０ｎｍのGe微結晶を、密度が１×１０⁵〜１×１０⁷個／ｃｍ²となるように分散配置した。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能であり、小型化が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタは、透明なサファイア基板１０と、サファイア基板１０の所定領域を覆うＳｉ０₂膜と、Ｓｉ０₂膜上に形成されており、ソース領域２０ａ１、ドレイン領域２０ａ３及びチャンネル領域２０ａ２を備える単結晶シリコン層２０ａと、
単結晶シリコン層２０ａのチャンネル領域２０ａ２上に順次積層されたゲート絶縁膜２６及びゲート電極２８と、を備えている。 （もっと読む）