【課題】 本発明では、工程、装置を複雑化することなく、要求される特性を有する薄膜トランジスタを作製することを目的とする。また、薄膜トランジスタの特性を精密に自由に制御することで、高い信頼性や優れた電気特性を有する半導体装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層で覆われている半導体層のソース領域側かドレイン領域側の一方に、低濃度不純物領域を作製する。低濃度不純物領域は、ゲート電極層をマスクとして、半導体層表面に対し、斜めにドーピングすることによって形成される。よって、薄膜トランジスタの微細な特性の制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の作製に利用されるレーザープロセスにおいて、大面積に渡り均一なアニールを施すことができる技術を提供する。
【解決手段】
基板上に形成した非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜に線状レーザー光を照射して結晶性を向上させる。前記線状レーザー光はレーザー発振器１０１からレーザー光を発振し、前記レーザー光の所定方向におけるエネルギー密度分布を制御する第１のホモジナイザー１０２および第２のホモジナイザー１０３を通り、前記第１のホモジナイザー１０２および前記第２のホモジナイザー１０３を通ったレーザー光を線状に成形することにより形成され、前記所定の方向は、前記線状レーザー光の長手方向である。このようにすることで、長手方向における照射エネルギー密度の均一性を向上させた線状レーザー光により、活性層となる珪素膜をアニールすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、結晶性がよく、熱処理工程を減らすことによって高温の熱処理温度による基板の曲がりを防止することができる半導体装置の製造方法及びこれを用いて製造される半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０上に非晶質シリコンを含むシリコン層を蒸着し、不純物をドーピングしてソース／ドレイン領域を形成し、Ｈ_２Ｏ雰囲気、一定温度下で熱処理して非晶質シリコンを結晶化すると同時に不純物を活性化して半導体層２４を形成することにより、熱処理工程を減らすことによって熱による基板１０の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 レンズアレイを用いて結晶化等を行う際に照射体において反射した戻り光による悪影響を回避した、レーザ発振器の安定性を高く保ち、かつ均一なレーザ処理をすることができるレーザ照射技術、並びにそれを用いる結晶化方法及び半導体装置の作製方法の提供。
【解決手段】 レーザ発振器から射出されたレーザ光をシリンドリカルレンズアレイ等のレンズアレイを通過させて複数に分割し、分割後のレーザ光を焦点を結ぶ位置でスリットの開口を通過させ、その後更に集光レンズを通過させて照射面上に照射する。
このようにして、スリットを用いることにより照射体で反射した戻り光をカットし、レーザの出力又は周波数の変動や、ロッドの破壊を防ぐものであり、その結果レーザ光の出力を安定化させ、これによって、安定して強度分布の均一なレーザ光を照射面において照射することができ、均一なアニールを行う。 （もっと読む）

結晶質または多結晶質層を形成する方法は、基板と基板上のパターンを提供する工程を有してなる。本方法は、核形成材料を提供し、核形成材料上に結晶質層を形成する各工程も含む。基板上に堆積された結晶質材料は、単結晶質であっても多結晶質であってもよい。
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【課題】半導体層のソース／ドレイン領域の全部または一部分とキャパシターの第１電極をＭＩＣ結晶化法で結晶化して、半導体層のチャネル領域全部をＭＩＬＣ結晶化法で結晶化された薄膜トランジスタ及びキャパシターの半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】その製造方法は、薄膜トランジスタの半導体層とキャパシターの第１電極を非晶質シリコンで形成した後、ＭＩＣおよびＭＩＬＣ結晶化法で結晶化して、薄膜トランジスタのゲート電極及びキャパシターの第２電極を同じ物質で形成することによって簡単な工程で薄膜トランジスタとキャパシターを同時に形成することができるだけでなく、各素子に適合な結晶化法で結晶化することによって、低い温度及び短い時間に結晶化を進行して基板が収縮したり曲がる現象が発生しないだけでなく、薄膜トランジスタの半導体層の特性とキャパシターの特性が優秀であるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】 結晶性が優良な多結晶シリコンを結晶化すると同時に結晶化時高温の結晶化温度による基板の曲がりを防止する。
【解決手段】 基板上に非晶質シリコンを含むシリコンフィルムをＰＥＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によって蒸着する段階，シリコンフィルムをＨ_２Ｏ雰囲気，一定温度下で熱処理して多結晶シリコン膜を形成する段階，多結晶シリコン膜上部にゲート絶縁膜を形成する段階，多結晶シリコン膜に不純物領域を形成してソース／ドレイン領域を定義する段階，及び不純物領域を活性化する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】消去電圧などの動作電圧について低電圧化が可能であり、低コスト化が可能である半導体不揮発性記憶装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電荷蓄積層を有するメモリトランジスタが接続された半導体不揮発性記憶装置の製造方法であって、ガラスあるいはプラスチックからなる絶縁性基板上にチャネル形成領域を有する半導体層を形成する工程と、前記半導体層の上層に電荷蓄積層を形成する工程と、前記電荷蓄積層の上方にコントロールゲートを形成する工程と、前記チャネル形成領域に接続するソース・ドレイン領域を形成する工程とを有し、前記メモリトランジスタとなる薄膜トランジスタを形成する。 （もっと読む）

本発明は、電気的絶縁層と、アモルファス層又は多結晶シリコン層とに順次覆われる可撓性支持材を備える電子回路用基板に関する。前記電気的絶縁層は、多孔性酸化層である。本発明は、可撓性支持材を含む電子回路用基板に関する。本発明は、このような基板を製造する方法にも関する。
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高エネルギー、高繰り返しレートの被加工物加熱方法及び装置であって、約４０００Ｈｚにおいて又はそれ以上で動作し且つ約３５１ｎｍの中心波長においてレーザ出力光パルスビームを生成するパルス化ＸｅＦレーザと、レーザ出力光パルスビームの短軸において２０μｍ以下にレーザ出力光パルスビームを縮小し且つ長軸の被加工物カバリング範囲をビームの長軸において形成するようにレーザ出力光パルスビームを拡大する光学系と、を有することが可能である、方法及び装置であり、その光学系はレーザと被加工物との中間に視野絞りを有し、その被加工物は加熱される層を有し、光学系は、強度レベルが高過ぎるビームレベルにおいてビームプロファイルをブロックすることなく、視野絞りが被加工物において十分に急峻なビームプロファイルを維持することを可能にするように十分に急峻な側壁を有する強度プロファイルを維持するに十分な拡大を伴って視野絞りにおいてレーザ出力光パルスビームをフォーカシングする、方法及び装置について開示している。その装置は又、被加工物に供給されるレーザ出力光パルスビームにおいて高平均パワーと短軸光学アセンブリにおいてラインボウ補正機構とを有することが可能である。ラインボウ補正機構は、複数の弱いクロスシリンダを有することが可能である。そのシステムは反射屈折投影システムを有することが可能である。レーザ回折及び発散のために線幅は幾何学的制限より小さい。そのシステムは、被加工物において異なる焦点面を有するそれぞれの隣接ピーク各々の個別の中心波長により全体の焦点深度を改善するように名目のＸｅＦスペクトルの隣接ピークを投影することが可能である。そのシステムは、ラインボウであって、視野絞り面においてラインボウを補正する視野絞り光学アセンブリと視野絞り面においてラインボウを補正する被加工物投影光学アセンブリとにおいて補正機構である、ラインボウを有することが可能である。
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後に絶縁層およびシリコン薄膜が形成される基板中のシリコン薄膜の焼鈍方法が開示される。本方法は、基板が処理中に変態しない温度範囲内でシリコン薄膜を加熱または予備加熱して、そこに内因性キャリヤを生成させることにより、抵抗をジュール加熱が可能な値に低下する工程；および予備加熱されたシリコン薄膜に電界を印加して、ジュール加熱をキャリヤの移動によって引き起こすことにより、結晶化を行い、結晶欠陥を排除し、結晶成長を確実にする工程を含む。本方法を用いると、予備加熱条件に従って、ａ−Ｓｉ薄膜、ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ薄膜またはポリ−Ｓｉ薄膜にジュール加熱が選択的に引き起こされ、それによって良好な品質のポリ−Ｓｉ薄膜が、非常に短時間に、基板を損傷することなく作製される。 （もっと読む）