【課題】多結晶シリコンのように電気的特性が向上した薄膜トランジスタ表示板を低コストで製造することができる方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されている制御電極１２４ａと、制御電極１２４ａ上に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されていて、制御電極と重畳する半導体１５１と、半導体１５１と一部分が重畳する入力電極１７３ａと、半導体１５１と一部分が重畳する出力電極１７５ａと、を含み、半導体１５１は非晶質シリコンからなる第１部分と多結晶シリコンからなる第２部分とを含む。 （もっと読む）

【課題】 コストが低く歩留まりの高い、引っ張り歪みＳＯＩ層を形成するための方法および引っ張り歪みＳＯＩ層の構造を提供する。
【解決手段】 歪みＳｉベースの層を製造するための方法、この層に製造されるデバイス、ならびに、かかる層およびデバイスを含む電子システムを開示する。この方法は、基板上にＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長させるステップと、このＳｉＧｅ層において様々なＧｅ濃度を生成するステップを含む。ＳｉＧｅ層内のＧｅ濃度は、Ｇｅ濃度が突然かつ著しく増大する固有のＧｅオーバーシュート・ゾーンを含む。ＳｉＧｅ層上に、Ｓｉベースの層をエピタキシャル堆積させ、これによって引っ張り歪みが与えられる。また、典型的にＳｉまたはＳｉＧｅである歪みＳｉベースの層を、異なるバルク基板または絶縁体に転写可能であることも開示される。 （もっと読む）