Fターム[5F152CF07]の内容
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薄膜形成方法及びデバイスの製造方法
【課題】低コストで単結晶薄膜を形成することができる薄膜形成方法及びデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に薄膜前駆体13を堆積させる堆積ステップと、テンプレート20の単結晶部分22を前記薄膜前駆体13に対して接触状態とする接触ステップと、前記薄膜前駆体13のうち前記接触状態にある部分を結晶成長させる成長ステップと、前記テンプレート20を前記薄膜前駆体13から剥離させる剥離ステップとを備える。成長ステップでは、接触状態を保持しつつ薄膜前駆体13を加熱することにより、薄膜前駆体13のうちテンプレート20側から基板11側へと結晶成長を進行させる。剥離ステップにおいては、薄膜前駆体13に負担を掛けないよう、例えばケミカルリフトオフ法又はレーザリフトオフ法を用いる。以上の方法により、結晶成長用の単結晶基板や複雑な装置を用いることなく、低コストで単結晶薄膜を形成することができる。
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半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置、および電子機器
【課題】三次元半導体装置における特性を向上させることができる製造方法および装置構成を提供する。
【解決手段】第1半導体膜(9)上にカーボンナノチューブを備えるプラグ電極(15)を形成する工程、形成されたプラグ電極(15)の周囲に層間絶縁膜(16,18)を形成する工程、層間絶縁膜の表面を平滑化してプラグ電極(15)の頂部を露出させる工程、層間絶縁膜およびプラグ電極の頂部上に非晶質の第2半導体膜を形成する工程、非晶質の第2半導体膜にエネルギーを供給して露出したプラグ電極(15)を触媒として機能させて非晶質の第2半導体膜を結晶化させ結晶化した第2半導体膜(23)とする工程を備える。
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半導体装置の作製方法及び半導体製造装置
【課題】ばらつきの少ないしきい値電圧を有する半導体素子を形成するため、活性層中への低濃度かつ、安定した濃度で不純物を導入することのできる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板に設けられた半導体膜表面を洗浄する洗浄ユニットと、半導体膜表面に不純物を付着させる不純物導入ユニットと、不純物が付着した半導体膜を結晶化させるレーザ結晶化ユニットと、洗浄ユニット、不純物導入ユニット、及びレーザ結晶化ユニットと、をそれぞれ接続する搬送ロボットと、を有する半導体製造装置において、不純物導入ユニットでの暴露時間によって、半導体膜へ付着される不純物の量を制御し、レーザ結晶化によって半導体膜を結晶化すると同時に、低濃度の不純物を含む結晶性半導体膜を形成する。
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表示装置および表示装置の製造方法
【課題】画素間の表示バラツキを小さく抑えることが可能なアクティブマトリックス方式の表示装置を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス方式の表示装置1であって、チャネル領域を構成する半導体薄膜の結晶状態が異なる複数の薄膜トランジスタTr1,Tr2を用いて画素回路aが構成されている。薄膜トランジスタTr1,Tr2のうち、画素電極に直接接続された駆動トランジスタTr1と比較して、これを制御するスイッチングトランジスタTr2におけるチャネル領域の結晶度が低いことを特徴としている。
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