【課題】順次側面結晶化において形成される突起によるムラの発生を防止する。
【解決手段】レーザ光によって前記膜を溶融させない非完全溶融エネルギー領域を点在または、波形で振幅方向で間隔を置いて並列させ、該非完全溶融エネルギー領域間をレーザ光によって膜が溶融する溶融エネルギー領域にして、レーザ光を前記膜に照射して、膜の溶融部分を固相部分から順次側面結晶化し、さらに、前記固相部分が溶融部分となるように位置を変えて、前記非完全溶融エネルギー領域を点在させるとともに該非完全溶融エネルギー領域間を前記溶融エネルギー領域にして、前記レーザ光を前記膜に照射して順次側面結晶化する。非完全溶融エネルギー領域と前記溶融エネルギー領域とを有するレーザパターンでシリコン膜１０に照射して結晶化する。 （もっと読む）

【課題】 隣り合う２つのＴＦＴの間に短絡が発生するのを確実に防止するとともに、回路設計の自由度を増大させることができる多結晶半導体膜の形成方法。
【解決手段】 絶縁基板上において第１方向に沿って結晶成長した多結晶半導体膜を形成する本発明の方法では、第１方向に沿って第１の向きに結晶成長した結晶粒（１５ａ）と第１の向きとは逆の第２の向きに結晶成長した結晶粒（１５ｂ）とが、第１方向と直交する第２方向に沿って鋸歯状または正弦波状に衝突するように、絶縁基板上における結晶成長を制御する。 （もっと読む）

【課題】 入射光の光軸を入れ替えて出射する。
【解決手段】 第１レーザビーム（ＬＢ）の光路に配置された第１偏光ビームスプリッタ（ＢＳ）と、第１ＢＳを透過した第１ＬＢが入射する位置に配置された第２ＢＳと、第２ＢＳで反射された第１ＬＢが入射する位置に配置された第３ＢＳと、第２ＬＢの光路に配置された第４ＢＳであって、第４ＢＳを透過した第２ＬＢは第３ＢＳに入射し、第４ＢＳで反射された第２ＬＢは第１ＢＳに入射するように配置された第４ＢＳと、第１ＢＳと第２ＢＳの間の第１ＬＢの光路でＬＢの偏光面を回転させないまたは９０°回転する第１偏光面回転器と、第４ＢＳに入射する第２ＬＢの光路でＬＢの偏光面を回転させないまたは９０°回転する第２偏光面回転器とを有し、第１ＢＳを透過する第１ＬＢの出射経路と、第１ＢＳで反射される第２ＬＢの出射経路が等しく、第３ＢＳを透過する第２ＬＢの出射経路と、第３ＢＳで反射される第１ＬＢの出射経路が等しい光軸入替装置を提供する。 （もっと読む）

薄膜サンプル（１７０）を処理する方法及び装置を提供する。特に、ビーム発生器（１１０）を、少なくとも一つのビームパルス（１１１）を放出するように制御することができる。ビームパルス（１１１）は、少なくとも一つのマスクビームを生成するようにマスクされ、マスクビームは、薄膜サンプル（１７０）の少なくとも一部分を照射するのに用いられる。少なくとも一つのマスクビームパルス（１６４）によって、薄膜サンプル（１７０）の一部（５１０）は、そのような部分を後に結晶化するのに十分な強度で照射される。薄膜サンプル（１７０）のこの部分（５１０）を、第１領域（５１８）及び第２領域（５１５）から構成されるように結晶化することができる。その結晶化に応じて、第１領域（５１８）は、第１セットの粒子を含み、第２領域（５１５）は、少なくとも一つの特性が第１セットの粒子の少なくとも一つの特性と異なる第２セットの粒子を含む。第１領域（５１８）は、第２領域を包囲し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）（６１０）の活性領域を所定の距離で設けることができるように構成される。
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基板上に低温で堆積された薄膜半導体を再結晶化する高スループットシステム及び方法が提供される。薄膜半導体ワークピースは、レーザビームを照射され、前記レーザビームに露光された表面の目標領域は融解し、再結晶化する。前記レーザビームは、パターン化マスクを使用して１つ又はそれ以上のビームレットに成形される。前記マスクパターンは、前記ビームレットによって目標とされる領域が半導体再結晶化に通じる寸法及び方向を有するように前記レーザビーム放射をパターン化するのに適した寸法及び方向を有する。前記ワークピースは、前記レーザビームに対して線形経路に沿って機械的に平行移動され、前記ワークピースの表面全体を高速で処理する。レーザの位置感知トリガは、電動ステージにおいて平行移動されているときに前記ワークピースの表面における正確な位置において半導体材料を融解及び再結晶化するようなレーザビームパルスを発生するのに使用されることができる。
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【課題】基板上に均一な領域を作製して、この領域内にＴＦＴデバイスを設けることを可能にするプロセス及びシステムを提供する。
【解決手段】薄膜フィルム試料（例えば半導体薄膜フィルム）を処理するプロセス及びシステム、並びに薄膜フィルム構造を提供する。特に、ビーム発生器を制御して、少なくとも１本のビームパルスを放出することができる。このビームパルスで、フィルム試料の少なくとも一部分を十分な強度で照射して、試料のこうした部分を厚さ全体にわたって完全に融解させて、このビームパルスは所定形状を有する。フィルム試料のこの部分が再凝固して、再凝固した部分の少なくとも一部が、第１領域及び第２領域から成る。再凝固時に、第１領域は大粒子を含み、第２領域は核化によって形成された領域を有する。第１領域は第２領域を包囲し、第２領域の粒子構造とは異なる粒子構造を有する。第２領域は、この領域上に電子デバイスの活性領域を設けるように構成される。
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