【課題】アモルファスシリコン膜をレーザアニールして、低温ポリシリコン膜を形成する際に、ＹＡＧレーザのような低コストのレーザ光源装置を使用しても、アモルファスシリコン膜に対して、十分なエネルギを与えて効率的に相転移させることができるレーザアニール方法及び装置を提供する。
【解決手段】ＹＡＧレーザ光源１１からの基本波を、波長変換器１２，１３で第２高調波及び第３高調波に変換し、第３高調波のレーザ光を被照射体１８に照射すると共に、基本波は、約３ｍの第３の光学系２１及び約６ｍの第４の光学系２２を経由させ、約１０ｎｓ及び約２０ｎｓ遅延させて、被照射体１８に照射する。これにより、第３高調波で溶融したアモルファスシリコン膜の溶融部は基本波がＰ波とＳ波とに分割されて照射されるので、アモルファスシリコン膜には吸収されないＹＡＧ基本波が溶融Ｓｉに吸収されてその加熱に有効に使用される。 （もっと読む）

【課題】 光ヘッド部の軽量化。
【解決手段】複数のレーザ発光部から発光したレーザビームを光ファイバ２を介して導光板１３に入射し、該導光板１３から出射したレーザビームを対物レンズ１６を用いて集光したレーザスポットを照射対象物に照射するものであって、この照射対象物から反射された反射レーザビームを導光板１３により受光し、この受光した反射レーザビームを導光板１３の端側面に接続した戻り光用ファイバ５によりＡＦ光学系３０に導き、ＡＦ光学系３０が前記反射レーザビームを用いて自動焦点合わせの制御を行うもの。 （もっと読む）

【課題】厚さが４０ｎｍ以下の半導体膜をレーザビームで完全溶融させて、大粒径結晶とする。
【解決手段】絶縁表面上に島状の半導体膜１２を形成する。半導体膜１２に隣接して、ミラーとして機能する構造体１３を形成する。構造体１３は金属膜で形成される。半導体膜の上方からレーザビーム１４を照射する。構造体１３で反射されたレーザビーム１４は、側面１２ａから半導体膜１２に入射する。スネルの法則に従って、入射したレーザビーム１４は、半導体膜１２と空気の界面、および半導体膜１２と絶縁膜１１との界面で全反射されながら、半導体膜１２中を伝搬する。その結果、半導体膜１２が完全溶融し、大粒径結晶が形成される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも簡易な光学系を用い、均一なレーザ照射を行うことのできるレーザ照射装置を提供することを課題とする。また、このようなレーザ照射装置を用いたレーザ照射方法を提供し、レーザ照射方法を工程に含む半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】レーザと、レーザから射出されたレーザ光を偏向させ、ステージにおいて移動させる手段と、ステージを固定し、偏向されたレーザ光をステージに対して一定の角度で入射させる手段とを有し、レーザ光をステージにおいて形状を一定に保ちつつ移動させることを特徴としている。そして、このようなレーザ照射装置を用いて、半導体膜に対してレーザ光の照射を行い、半導体膜の結晶化や活性化を行うことができる。 （もっと読む）