本発明は、半導体材料の中から選ばれた材料からなるウエハ（Ｔ）の熱アニール方法に関し、脆化領域にて前記ウエハから層を分離することを目的とし、アニーリング中に：基本熱配分をウエハに適用し、前記基本熱配分は層を分離するために必要とされる配分より若干劣り、かかる配分を脆化領域にわたって均一に分布し；さらに脆化領域の設定範囲において追加的な熱配分をも局所的にウエハに適用することにより、同範囲において層の分離を開始することを特徴とする。また本発明は、かかる方法を実施する装置にも関する。
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