【課題】支持基板とＩＩＩ族窒化物層との接合が良好なＩＩＩ族窒化物複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板の製造方法は、目標とする基板径より大きい径の主面１０ｍを有する支持基板１０と、目標とする基板径より大きい径の主面３０ｎを有しその主面３０ｎから所定の深さの位置にイオン注入領域３０ｉが形成されたＩＩＩ族窒化物基板３０とを、中間層２０を介在させて貼り合わせ、ＩＩＩ族窒化物基板３０をイオン注入領域３０ｉにおいてＩＩＩ族窒化物層３０ａと残りのＩＩＩ族窒化物基板３０ｂとに分離することにより、支持基板１０上に中間層２０を介在させてＩＩＩ族窒化物層３０ａが接合された第１のＩＩＩ族窒化物複合基板１を形成し、第１のＩＩＩ族窒化物複合基板１の外周部を除去することにより目標とする基板径に等しい径の主面を有する第２のＩＩＩ族窒化物複合基板２を得る。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ界面における界面準位密度を低減することができ、ＬＳＩの更なる低消費電力化及び高速化等に寄与する。
【解決手段】絶縁膜上にＧｅ層やＳｉＧｅ層を形成した素子形成用基板の製造方法であって、Ｇｅ基板１１の表面上にＳｉ膜１２を形成する工程と、Ｓｉ膜１２上に高誘電率絶縁膜１３を形成する工程と、Ｓｉ膜１２及び高誘電率絶縁膜１３が形成されたＧｅ基板１１と表面に酸化膜２２が形成された支持基板２１とを、高誘電率絶縁膜１３と酸化膜２２とを接触させて接着する工程と、支持基板２１に接着された前記Ｇｅ基板１１を、該Ｇｅ基板１１の裏面側から研磨して薄くする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】支持基板と酸化物膜との接合強度および酸化物膜とＩＩＩ族窒化物層との接合強度が高いＩＩＩ族窒化物複合基板を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物複合基板１は、支持基板１０と酸化物膜２０とＩＩＩ族窒化物層３０ａとを含み、支持基板１０は多結晶で形成され、ＩＩＩ族窒化物層３０ａは少なくともｃ軸方向に配向しているＩＩＩ族窒化物結晶で形成され、酸化物膜２０は不純物が添加され、不純物の濃度は、酸化物膜２０において支持基板１０側の第１主面２０ｓからＩＩＩ族窒化物層３０ａ側の第２主面２０ｔにかけて膜厚方向で変化し、第１主面２０ｓにおける不純物の濃度は第２主面２０ｔにおける不純物の濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＳＯＩ層の膜厚の面内均一性の良好なＳＯＩウェーハを製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 イオン注入層が形成されたボンドウェーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離して、貼り合わせＳＯＩウェーハを作製し、その後、平坦化処理を行う貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法であって、
前記剥離後の貼り合わせＳＯＩウェーハに対し、前記ＳＯＩ層表面の周辺部の自然酸化膜が除去され、中央部の自然酸化膜が残存するように、水素ガスを含む雰囲気でＲＴＡ処理を行い、前記中央部に自然酸化膜が残存した貼り合わせＳＯＩウェーハに対し、前記ＳＯＩ層の面内膜厚レンジが１．５ｎｍ以下となるように前記平坦化処理を行うことを特徴とする貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】一般的な結晶成長方法による窒化物半導体層の積層で、分極効果が制御できるようにする。
【解決手段】ｃ軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がＩＩＩ族極性面１０４ａとされた第２半導体層１０４の主表面に、第１半導体層１０３のＩＩＩ族極性面１０３ａを貼り合わせた後、第１半導体層１０３と基板１０１とを、分離層１０２で分離する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成するステップと、犠牲層の一部が露出するように半導体結晶層をエッチングし、半導体結晶層を複数の分割体に分割するステップと、転写先基板に接することとなる半導体結晶層形成基板側の第１表面と、第１表面に接することとなる転写先基板側の第２表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、半導体結晶層形成基板および転写先基板をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、を有し、前記半導体結晶層が、Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）からなる、複合基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成し、転写先基板に接することとなる前記半導体結晶層形成基板の第１表面と、前記第１表面に接することとなる前記転写先基板の第２表面と、が向かい合うように、前記半導体結晶層形成基板と前記転写先基板とを貼り合わせ、前記半導体結晶層形成基板および前記転写先基板の全部または一部をエッチング液に浸漬して前記犠牲層をエッチングし、前記半導体結晶層を前記転写先基板側に残した状態で、前記転写先基板と前記半導体結晶層形成基板とを分離する。ここで、前記転写先基板が、非可撓性基板と有機物層とを有し、前記有機物層の表面が、前記第２表面であるものとする。 （もっと読む）

【課題】複数のトランジスタが高集積化された素子の少なくとも一のトランジスタに、作製工程数を増加させることなくバックゲートを設ける半導体装置を提供する。
【解決手段】複数のトランジスタが上下に積層されて設けられた素子において、少なくとも上部のトランジスタ１０２は、半導体特性を示す金属酸化物により設けられ、下部のトランジスタ１００が有するゲート電極層を上部のトランジスタのチャネル形成領域と重畳するように配して、ゲート電極層と同一の層の一部を上部のトランジスタ１０２のバックゲートＢＧとして機能させる。下部のトランジスタ１００は、絶縁層で覆われた状態で平坦化処理が施され、ゲート電極が露出され、上部のトランジスタ１０２のソース電極及びドレイン電極となる層に接続されている。 （もっと読む）

【課題】支持基板上にＩＩＩ族窒化物層が接合していない欠陥領域がない高品質のＩＩＩ族窒化物層複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物層複合基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物基板２０にイオン注入領域２０ｉを形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０のイオンが注入された側の主表面側および支持基板１０の主表面側の少なくともひとつに接合用前駆体層４０を形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０と支持基板１０とを接合用前駆体層４０を介在させて接合し、接合用前駆体層４０をリフローさせることにより接合層５０を形成し、ＩＩＩ族窒化物基板２０をイオン注入領域２０ｉにおいて分離してＩＩＩ族窒化物層２１と残りのＩＩＩ族窒化物基板２２とにすることにより、支持基板１０の主表面上に接合層４０を介在させてＩＩＩ族窒化物層２１が接合されたＩＩＩ族窒化物層複合基板１を形成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶の半導体層を支持基板上に転写し、転写された層がもはや脆化注入によって生成される可能性のある結晶欠陥を含まない方法を提供する。
【解決手段】単結晶の半導体層３を支持基板上に転写する方法に関し、（ａ）ドナー基板３１に注入種を注入するステップと、（ｂ）ドナー基板３１を支持基板に接合するステップと、（ｃ）層３を支持基板上に転写するためにドナー基板３１を破壊するステップと、前記単結晶の層３の第２の部分３５の結晶格子の秩序を乱すことなしに、転写されるべき単結晶の層３の部分３４が非晶質にされるステップであり、部分３４、３５が、それぞれ、単結晶の層３の表面部分および埋め込み部分であるステップと、非晶質の部分３４が５００℃未満の温度で再結晶化されるステップであり、第２の部分３５の結晶格子が再結晶化のための種結晶として働くステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物とは化学組成の異なる異組成基板とＩＩＩ族窒化物層とが貼り合わされた複合基板であっても、反りおよびクラックを発生させることなくその複合基板上にＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を形成することができる複合基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板２Ｄは、ＩＩＩ族窒化物以外の化学組成を有する異組成基板１０と、異組成基板１０に貼り合わされたＩＩＩ族窒化物層２１と、含み、ＩＩＩ族窒化物層２１は、平面充填が可能な少なくとも１種類の平面形状を有する複数のＩＩＩ族窒化物タイル２１ｐに分離している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の再生に適した方法を提供する。
【解決手段】損傷半導体領域と絶縁層とを含む凸部が周縁部に存在する半導体基板に対し、絶縁層を除去するエッチング処理と、硝酸、硝酸によって酸化された半導体基板を構成する半導体材料を溶解する物質、半導体材料の酸化速度及び酸化された半導体材料の溶解速度を制御する物質、及び亜硝酸を含み、亜硝酸の濃度が１０ｍｇ／ｌ以上１０００ｍｇ／ｌ以下である混合液を用いて、未損傷の半導体領域に対して損傷半導体領域を選択的に除去するエッチング処理と、を行うことで半導体基板を再生する。 （もっと読む）

【課題】プラスチック支持体を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】プラスチック支持体上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ
上に形成された接着層と、前記接着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され
た薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成された発光素子とを有する。また
は、プラスチック支持体と、前記プラスチック支持体に対向する対向基板と、前記プラス
チック支持体と前記対向基板との間に保持された液晶とを有し、前記プラスチック支持体
上に形成されたカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成された接着層と、前記接
着層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された薄膜トランジスタとを有する。 （もっと読む）

【課題】単一基板上にソース・ドレインを同一工程で同時形成したＩＩＩ−Ｖ族半導体のｎＭＩＳＦＥＴおよびＩＶ族半導体のｐＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域抵抗または接触抵抗を小さくする。
【解決手段】第１半導体結晶層に形成された第１チャネル型の第１ＭＩＳＦＥＴの第１ソースおよび第１ドレインと、第２半導体結晶層に形成された第２チャネル型の第２ＭＩＳＦＥＴの第２ソースおよび第２ドレインが、同一の導電性物質からなり、当該導電性物質の仕事関数Φ_Ｍが、数１および数２の少なくとも一方の関係を満たす。
（数１） φ_１＜Φ_Ｍ＜φ_２＋Ｅ_ｇ２
（数２） ｜Φ_Ｍ−φ_１｜≦０．１ｅＶ、かつ、｜（φ_２＋Ｅ_ｇ２）−Φ_Ｍ｜≦０．１ｅＶ
ただし、φ_１は、Ｎ型半導体結晶層の電子親和力、φ_２およびＥ_ｇ２は、Ｐ型半導体結晶層の電子親和力および禁制帯幅。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体を破損することなく効率的に基板上に実装する方法の提供。
【解決手段】第１基板の上に犠牲層を介して形成された半導体層を第２基板に移設して半導体装置を製造する方法であって、第１の粘着面に移設用基板が接合された両面粘着材の第２の粘着面を前記半導体層の上に接合する工程と、エッチングを行って前記犠牲層を除去することにより、前記第１基板から前記両面粘着材に接合された前記半導体層を分離し、前記分離された前記半導体層を第２基板に接着剤を介して接合する工程と、前記両面粘着材から前記移設用基板を分離し、その後、前記半導体層から前記両面粘着材を剥離する工程とを含み、前記第１の粘着面における粘着力は、前記第２の粘着面における粘着力よりも小さい。 （もっと読む）