【課題】バッファー層にレーザー光線を照射することによりサファイア基板を剥離する際に、レーザー光線の適正な出力を設定する出力設定方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して積層された光デバイス層にレーザー光線を照射することにより、エピタキシー基板を剥離する際のレーザー光線の出力を設定する方法であって、エピタキシー基板の裏面側からバッファー層にレーザー光線を、出力を変更しつつ照射するレーザー光線照射工程と、レーザー光線照射工程によって発生するプラズマにおけるバッファー層を形成する物質の波長域の光強度を、バッファー層に照射したレーザー光線の出力に対応して表示手段に表示するプラズマ光強度表示工程と、表示手段に表示されたレーザー光線の出力に対応したプラズマの光強度に基づいて、適正なレーザー光線の出力を設定する出力設定工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】一般的な結晶成長方法による窒化物半導体層の積層で、分極効果が制御できるようにする。
【解決手段】ｃ軸方向に結晶成長された窒化物半導体から構成されて主表面がＩＩＩ族極性面１０４ａとされた第２半導体層１０４の主表面に、第１半導体層１０３のＩＩＩ族極性面１０３ａを貼り合わせた後、第１半導体層１０３と基板１０１とを、分離層１０２で分離する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成するステップと、犠牲層の一部が露出するように半導体結晶層をエッチングし、半導体結晶層を複数の分割体に分割するステップと、転写先基板に接することとなる半導体結晶層形成基板側の第１表面と、第１表面に接することとなる転写先基板側の第２表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、半導体結晶層形成基板および転写先基板をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、を有し、前記半導体結晶層が、Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）からなる、複合基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体薄膜を製造する薄膜製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造方法は、ａ−Ｓｉ膜等の半導体薄膜を第１の基板上に堆積する工程Ｓ１と、第１の基板をエッチングして第１の基板と半導体薄膜との間に中空部を形成する工程Ｓ２と、半導体薄膜に第２の基板を接触させる工程Ｓ３と、半導体薄膜に第２の基板を押し付け、または半導体薄膜が溶融する強度を有するレーザ光を半導体薄膜に照射する工程Ｓ４と、第１の基板を半導体薄膜から引き離す工程Ｓ５とを備える。 （もっと読む）

【課題】バッファリーク電流およびゲートリーク電流が抑制された高性能のＨＥＭＴを提供する。
【解決手段】本ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板の製造方法は、ＧａＮバルク結晶１０の主表面から０．１μｍ以上１００μｍ以下の深さの面１０ｉへの平均注入量が１×１０¹⁴ｃｍ^-2以上３×１０¹⁷ｃｍ^-2以下の水素イオン注入工程と、水素イオン注入されたＧａＮバルク結晶１０の上記主表面へのＧａＮと化学組成が異なる異組成基板２０の貼り合わせ工程と、ＧａＮバルク結晶１０の熱処理によりＧａＮバルク結晶１０を水素イオンが注入された深さの面１０ｉにおいて分離することによる異組成基板２０上に貼り合わされたＧａＮ薄膜１０ａの形成工程と、を含む。ＧａＮ系ＨＥＭＴの製造方法は、上記ＧａＮ薄膜貼り合わせ基板１のＧａＮ薄膜１０ａ上への少なくとも１層のＧａＮ系半導体層３０の成長工程を含む。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第１の単結晶板１１は、第１の側面を有し、炭化珪素からなる。第２の単結晶板１２は、第１の側面と対向する第２の側面を有し、炭化珪素からなる。接合部ＢＤは、第１および第２の側面の間で第１および第２の側面を互いにつなぎ、炭化珪素からなる。接合部ＢＤの少なくとも一部は多結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下を防止する。
【解決手段】シリコンウェーハを反応炉内で水素ベークする第１の工程（ステップＳ３）と、反応炉にシリコン原料ガス及びドーパントガスを導入することにより、水素ベークされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する第２の工程（ステップＳ４）とを備える。第１の工程においては、反応炉内にドーパントガスを導入し、外方拡散により低下するシリコンウェーハ表層の不純物濃度を補う。これにより、シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面における不純物濃度の低下が抑制されたエピタキシャルウェーハを製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】活性材料要素をしじたいに移し替えるコストを低減する。
【解決手段】第１の材料から成る活性要素の表面上における支持体２への接合対象部位に非晶質材料６を蒸着する工程を備え、第２の材料が第１の材料よりも希少ではないことを特徴とする。更に、特に光学、電子工学又は光電子工学用の基板を製造する際に第１の材料から成る活性要素８を第２の材料から成る支持体２の表面に接合する操作を行う基板製造方法にも関する。この方法は、活性要素８又は支持体２が少なくともその表面上の接合対象部位に多結晶材料を含み、接合に先立ち、この多結晶材料を含む表面上に非晶質材料６の層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を有する複合基板を用いた半導体装置の製造工程において、炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制する。
【解決手段】支持部３０と第１および第２の炭化珪素基板１１、１２とを有する接合基板が準備される。第１の炭化珪素基板１１は、支持部３０に接合された第１の裏面と、第１の裏面に対向する第１の表面と、第１の裏面および第１の表面をつなぐ第１の側面とを有する。第２の炭化珪素基板１２は、支持部３０に接合された第２の裏面と、第２の裏面に対向する第２の表面と、第２の裏面および第２の表面をつなぎ、第１の側面との間に隙間を形成する第２の側面とを有する。隙間を充填する充填部４０が形成される。次に第１および第２の表面が研磨される。次に充填部４０が除去される。次に隙間を閉塞する閉塞部が形成される。 （もっと読む）

【課題】複合基板を用いた半導体装置の製造において単結晶炭化珪素基板の間の隙間に起因した工程変動を抑制する。
【解決手段】第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の辺Ｓ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の辺Ｓ２とが直線状に並ぶように、第１の単結晶炭化珪素基板１１の第１の頂点Ｐ１と、第２の単結晶炭化珪素基板１２の第２の頂点Ｐ２とが互いに突き合わされている。また第１の辺の少なくとも一部と、第２の辺の少なくとも一部とが、第３の単結晶炭化珪素基板１３の第３の辺Ｓ３に突き合わされている。 （もっと読む）

【課題】複合基板が有する複数の炭化珪素基板の間の隙間への異物の残留を防ぐことができる複合基板を提供する。
【解決手段】第１の炭化珪素基板１１は、支持部３０に接合された第１の裏面Ｂ１と、第１の裏面Ｂ１に対向する第１の表面Ｔ１と、第１の裏面Ｂ１および第１の表面Ｔ１をつなぐ第１の側面Ｓ１とを有する。第２の炭化珪素基板１２は、支持部３０に接合された第２の裏面Ｂ２と、第２の裏面Ｂ２に対向する第２の表面Ｔ２と、第２の裏面Ｂ２および第２の表面Ｔ２をつなぎ、第１の側面Ｓ１との間に隙間ＧＰを形成する第２の側面Ｓ２とを有する。閉塞部２１は隙間ＧＰを閉塞している。 （もっと読む）

【課題】所望の反りを有する複合基板の製造方法および複合基板を提供する。
【解決手段】各々が表面および裏面を有する単結晶基板群１０が準備される。単結晶基板群１０の各々の表面が互いに傾くように単結晶基板群１０が配置される。この配置は、単結晶基板１０群の各々の表面が全体として凸面状および凹面状のいずれかの形状をなすように行われる。単結晶基板群１０の各々の裏面とベース基板３０とが対向させられる。単結晶基板群１０の各々の裏面とベース基板３０とが接合される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の製造方法は、単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板２０を準備する工程と、坩堝７０内においてＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｂに面するようにベース基板１０を配置する工程と、坩堝７０内において、ベース基板１０を、ベース基板１０を構成する炭化珪素の昇華温度以上の温度域に加熱することによりＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｂに接触するように炭化珪素からなるベース層１０を形成する工程とを備えている。そして、ベース層１０を形成する工程では、坩堝７０内に、ＳｉＣ基板２０およびベース基板１０とは別の、珪素を含む物質からなる珪素発生源９１が配置される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の製造方法は、炭化珪素からなるベース基板１０および単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板２０を準備する工程と、ベース基板１０の主面１０Ａ上に接触するようにＳｉＣ基板２０を載置して、積層基板を作製する工程と、積層基板を、ＳｉＣ基板２０よりもベース基板１０の温度が高くなるように加熱することにより、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０とを接合する工程と、ＳｉＣ基板２０が接合されたベース基板１０の、ＳｉＣ基板２０とは反対側の主面１０Ｂ上にエピタキシャル成長層３０を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の製造方法は、単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板２０を準備する工程と、坩堝８０内においてＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｂに面するようにベース基板１０を配置する工程と、坩堝８０内において、ベース基板１０を、ベース基板１０を構成する炭化珪素の昇華温度よりも高い温度域に加熱することにより、ＳｉＣ基板２０の一方の主面２０Ｂに接触するように炭化珪素からなるベース層１０を形成する工程とを備えている。そして、ベース層１０を形成する工程では、坩堝８０内に珪素を含有するガスが導入される。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防止することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素から作られた第１および第２の被支持部１１、１２の各々と、炭化珪素から作られた支持部３０とが互いに対向し、かつ第１および第２の被支持部１１、１２の間に隙間ＧＰが設けられるように、第１および第２の被支持部１１、１２、および支持部３０が配置される。支持部３０の炭化珪素を昇華および再結晶させることで、第１および第２の単結晶基板１１、１２の各々に支持部３０が接合される。この際、隙間ＧＰにつながるように支持部３０に貫通孔ＴＨが形成されることで、隙間ＧＰおよび貫通孔ＴＨを通って流体が通過し得る経路ＰＴが形成される。この経路ＰＴを塞ぐことで、炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１は、炭化珪素からなるベース層１０と、単結晶炭化珪素からなり、ベース層１０上に配置され、ベース層１０よりも不可避不純物の濃度が低いＳｉＣ層２０と、炭化珪素からなり、ベース層１０の、ＳｉＣ層２０とは反対側の主面１０Ｄ上に形成され、ベース層１０よりも不可避不純物の濃度が低い被覆層９０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶層を有する炭化珪素基板中にボイドが形成されることを防止することができる炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】材料基板２２の主面の第１の領域上に炭素層３１が形成される。第１の単結晶層１１の第１の裏面Ｂ１と、第２の単結晶層１２の第２の裏面Ｂ２との各々が材料基板２２の主面の第２の領域Ｒ２に面する部分を有するように、かつ第１の単結晶層１１の第１の側面Ｓ１と第２の単結晶層１２の第２の側面Ｓ２とによって挟まれた空隙ＧＰが炭素層３１上に配置されるように、第１および第２の単結晶層１１、１２が材料基板２２上に並べられる。材料基板２２と第１および第２の単結晶層１１、１２とを加熱することによって、第１および第２の裏面１１、１２の各々と接合したベース基板が形成される。 （もっと読む）

【課題】複数の単結晶層を有する炭化珪素基板中にボイドが形成されることを防止することができる炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】材料基板２２の主面Ｍ２の第１の領域Ｒ１を覆う昇華防止層３１が形成される。第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２によって挟まれた空隙ＧＰが昇華防止層３１上に配置されるように、材料基板２２上に第１および第２の単結晶層１１、１２が並べられる。材料基板２２と第１および第２の単結晶層１１、１２とを加熱することによって、主面Ｍ２の第２の領域Ｒ２から昇華した炭化珪素を、第１の単結晶層１１の第１の裏面Ｂ１および第２の単結晶層１２の第２の裏面Ｂ２の各々の上に再結晶させることで、第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々と接合したベース基板３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】単結晶構造を有するＳｉＣから作られた領域と、炭化珪素から作られた支持部とを有し、かつ両者の界面の電気抵抗を低減することができる半導体基板を提供する。
【解決手段】支持部３０は炭化珪素から作られている。少なくとも１つの層１１の各々は第１および第２の面Ｂ１、Ｆ１を有する。第１の面Ｂ１は支持部３０に支持されている。少なくとも１つの層１１の各々は第１および第２の領域６１、６２を有する。第１の領域６１は単結晶構造の炭化珪素から作られている。第２の領域６２はグラファイトから作られている。第２の面Ｆ１は第１の領域６１によって形成された面を有する。第１の面Ｂ１は、第１の領域６１によって形成された面と、第２の領域６２によって形成された面との各々を有する。 （もっと読む）