【課題】単一基板上にソース・ドレインを同一工程で同時形成したＩＩＩ−Ｖ族半導体のｎＭＩＳＦＥＴおよびＩＶ族半導体のｐＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域抵抗または接触抵抗を小さくする。
【解決手段】第１半導体結晶層に形成された第１チャネル型の第１ＭＩＳＦＥＴの第１ソースおよび第１ドレインと、第２半導体結晶層に形成された第２チャネル型の第２ＭＩＳＦＥＴの第２ソースおよび第２ドレインが、同一の導電性物質からなり、当該導電性物質の仕事関数Φ_Ｍが、数１および数２の少なくとも一方の関係を満たす。
（数１） φ_１＜Φ_Ｍ＜φ_２＋Ｅ_ｇ２
（数２） ｜Φ_Ｍ−φ_１｜≦０．１ｅＶ、かつ、｜（φ_２＋Ｅ_ｇ２）−Φ_Ｍ｜≦０．１ｅＶ
ただし、φ_１は、Ｎ型半導体結晶層の電子親和力、φ_２およびＥ_ｇ２は、Ｐ型半導体結晶層の電子親和力および禁制帯幅。 （もっと読む）

【課題】１３族窒化物からなる第１の基板と、セラミックスからなる第２の基板とを貼り合わせた複合基板につき、放熱性をよくすると共に製造時の製造時のプロセスを簡単にする。
【解決手段】セラミックスからなる第２の基板１２の表面１２ａに金属膜２３を形成し（ｃ）、この金属膜２３を介して１３族窒化物からなる第１の基板２１と第２の基板１２とを接合する（ｄ）。金属膜２３は一般に酸化膜と比べて熱伝導率が高いため、こうすることで酸化膜を介して第１の基板２１と第２の基板１２とを接合した場合と比べて放熱性のよい複合基板１０を得ることができる。また、酸化膜を用いないため外方拡散の工程が不要となり、プロセスが簡単になる。 （もっと読む）

【課題】高品質のデバイス層が作製可能で、かつＧａＡｓ基板の剥離が容易な化合物半導体ウェハ、及び化合物半導体デバイス用ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にデバイス層を有する化合物半導体ウェハ１０において、ＧａＡｓ基板１とデバイス層３の間に劈開性の優れた層状化合物からなる剥離層２を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、優れたエピタキシャル層の特性やデバイス特性を得ることができるように窒化物系化合物半導体の状態が制御された複合基板を提供することにある。
【解決手段】本発明の複合基板は、窒化物系化合物半導体からなる第１の基板と、該第１の基板を構成する窒化物系化合物半導体以外の物質からなる第２の基板とを貼り合わせてなるエピタキシャル層成長用の複合基板であって、該窒化物系化合物半導体は、六方晶の結晶構造を有し、該第１の基板に対して＜０００１＞方向からレーザ光を入射させることにより後方散乱配置Ｚ（Ｘ，Ｘ）−Ｚ＋Ｚ（Ｘ，Ｙ）−Ｚにて得られるバックグラウンドを除いたラマン散乱スペクトルのＥ₂^Hモードのピーク強度をＩ１とし、３７０ｃｍ^-1±１５ｃｍ^-1または６７０ｃｍ^-1±１５ｃｍ^-1のピーク強度をＩ２とする場合、下記式（Ｉ）を満たすことを特徴とする。
０≦Ｉ２／Ｉ１≦０．３５ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】窒化物層上にエピタキシャル層を形成したときにクラックが発生することを抑制でき、かつエピタキシャル層が半導体基板から剥がれることを抑制できる半導体基板および半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０ａは、窒化物層１２の主面１２ａ上にエピタキシャル層を形成するための半導体基板であって、異種基板１１と、異種基板１１上に形成された窒化物層１２とを備え、窒化物層１２は応力緩和領域を有する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い光電変換素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。または、簡単な工程で、特性の良い光センサ光電変換装置を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】光透過性を有する基板と、光透過性を有する基板上の絶縁層と、絶縁層上の、光電変換を奏する半導体領域、第１の導電型を示す半導体領域、および、第２の導電型を示す半導体領域を有する単結晶半導体層と、第１の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第１の電極と、第２の導電型を示す半導体領域と電気的に接続された第２の電極とを有する光電変換素子とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

炭素ナノチューブを用いたフレキシブル基板の製造方法が開示される。その方法は、基板上に炭素ナノチューブを含有したインクを塗布して蒸着層を形成し、前記炭素ナノチューブ蒸着層上に高分子或いは単分子を含む化学溶液をコーティングして薄膜層を形成することを含む。その方法によれば、スピンコーティング(回転塗布)された炭素ナノチューブ層上に高分子或いは単分子化学溶液をコーティングしてベース基板と高分子フィルムとが当接する面積を最小化することにより、外部ストレスやレーザを加えることなく基板から容易に分離可能なフレキシブル基板を形成できる効果がある。
（もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体層の欠落部分の少ない高品質のＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体接合基板の製造方法は、主表面２０ｍに現れる表面異状領域２２の大きさおよび密度が所定の範囲内のＩＩＩ族窒化物半導体基板２０を準備する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の主表面２０ｍ側にイオンを注入する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０の主表面２０ｍに異種基板１０を接合する工程と、ＩＩＩ族窒化物半導体基板２０をイオンが注入された領域２０ｉで分離して異種基板１０に接合したＩＩＩ族窒化物半導体層２０ａを形成することにより、ＩＩＩ族窒化物半導体層接合基板１を得る工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高抵抗且つ低転位密度のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のＺｎドープ３Ｂ族窒化物結晶は、比抵抗が１×１０²Ω・ｃｍ以上、３Ｂ族窒化物結晶中のＺｎ濃度が１．０×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上２×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、エッチピット密度が５×１０⁶／ｃｍ²以下のものである。この結晶は、液相法（Ｎａフラックス法）により得ることができる。 （もっと読む）

改良された特性を備えた半導体材料、基板、およびデバイスの製造方法および構造が開示される。歪みが低減された構造を形成するための構造および方法が、複数の実質的に歪み緩和されたアイランド構造を形成し、半導体材料の歪み緩和された実質的に連続した層を引き続きさらに成長するために、このようなアイランド構造を利用することを含む。 （もっと読む）

【課題】レーザー光を照射することにより単結晶半導体層の結晶性を回復させる場合であっても、レーザー光の照射時に酸素が取り込まれるのを抑制し、レーザー光の照射前後において、単結晶半導体層に含まれる酸素濃度を同等又は低減することを目的の一とする。
【解決手段】貼り合わせによりベース基板上に設けられた単結晶半導体層にレーザー光を照射して当該単結晶半導体層の結晶性を回復（再単結晶化）させる工程を有し、レーザー光の照射を還元性雰囲気下または不活性雰囲気下で行う。 （もっと読む）

本発明は、1mmを越える粒度を持つ自立式結晶化シリコン薄膜の製法に係る。本発明は、また自立式シリコンリボンを製造するための該方法の利用およびこのようにして得られたリボンにも係る。 （もっと読む）

【課題】半導体層とベース基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成し、酸化膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板の表面から所定の深さの領域に脆化領域を形成し、半導体基板上の酸化膜及びベース基板上に対して、バイアス電圧を印加してプラズマ処理を行い、半導体基板の表面とベース基板の表面とを対向させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させ、酸化膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域を境として分離することにより、ベース基板上に酸化膜を介して半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】異なる格子の基板上に成長した良質なエピタキシャル層を備えたウェーハおよびウェーハ製造方法の提供。
【解決手段】単結晶の第１の材料の基板はオンアクシスシリコン基板であり、オンアクシスシリコン基板上に第２の材料を成長させるウェーハの製造方法に関し、第２の材料が、第１の材料上にエピタキシャル成長し、第１の材料の格子とは異なる格子を持っている。オンアクシスシリコン基板を研磨ステップ１０４で研磨して、ウェーハ表面粗さを増大させる。ＳｉＧｅ層である傾斜バッファ層及び緩和層をウェーハ上に形成した後、ＣＭＰ最終研磨１０８を実施する。上述のタイプの方法により解決され、基板の最終表面仕上げの前に第２の材料の成長を実施する。 （もっと読む）

【課題】ベース基板としてガラス基板を用いた場合にも、実用に耐えうる半導体層を備えたＳＯＩ基板及びその作製方法を提供することを課題の一とする。または、そのようなＳＯＩ基板を用いた信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ＳＯＩ基板のベース基板として用いるガラス基板の少なくとも一方の面上に変質層を形成して、ＳＯＩ基板を作製する。変質層は、ガラス基板を塩酸、硫酸又は硝酸を含む溶液で洗浄することによって、ガラス基板の少なくとも一方の面上に形成する。変質層は、ガラス基板より、その組成において酸化シリコンの割合が大きく、密度が低い層である。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層の結晶性及び平坦性を高めることのできる技術的手段を提供することを目的の一とする。
【解決手段】表面に絶縁膜が形成され、表面から所定の深さの領域に脆化領域が形成された単結晶半導体基板と、支持基板とを絶縁膜を介して貼り合わせた後、熱処理を行い脆化領域において分離することにより、支持基板上に絶縁膜を介して単結晶半導体層に対してレーザ光を照射し、前記単結晶半導体層の表面をエッチングし、前記単結晶半導体層の表面にプラズマ処理を行うことにより結晶欠陥を低減させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、補助基板上に緩和エピタキシャルベース層を得ることを含む、エピタキシャル成長のための基板の作製方法に関する。本発明の目的は、望ましい格子パラメータを有する材料が、異なる格子パラメータを有する別の材料の上で、より効率的に、熱力学的及び結晶学的に高い安定性を有してエピタキシャル成長することを可能にする基板を作ることにある。
【解決手段】この目的は、上記のタイプの方法であって、エピタキシャルベース層の少なくとも一部をキャリア基板上に移してベース基板を形成することと；エピタキシャルベース層の材料をキャリア基板上でさらに成長させることとをさらに含む方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性が低く、かつ撓みやすい基板をベース基板に用いても、単結晶半導体層を精度良くベース基板に固定することを可能とする半導体基板製造装置を提供する。
【解決手段】接合層として機能する絶縁層が表面に設けられ、且つ表面から所定の深さの領域に脆化領域が設けられた単結晶半導体基板と、ベース基板と、の接合面を洗浄する洗浄部と、ベース基板及び単結晶半導体基板を貼り合わせ、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射して単結晶半導体基板を加熱し、損傷領域を劈開面として単結晶半導体基板を分離する電磁波照射部と、ベース基板に固定された単結晶半導体層を熱処理する熱処理部と、を有する半導体基板製造装置を用いて、ベース基板上に単結晶半導体基板から分離された単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板等の耐熱性の低いベース基板にバッファ層を介して、複数の単結晶半導体層が固定された半導体基板を作製する。
【解決手段】水素イオンを半導体基板に添加し、水素を多量に含んだ損傷領域と、バッファ層が形成された単結晶半導体基板を複数枚準備する。ベース基板に、この単結晶半導体基板を１枚または複数固定し、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射してベース基板上の単結晶半導体基板を損傷領域で分割する。単結晶半導体基板の固定と、電磁波の照射を繰り返して、ベース基板上に、必要な数の単結晶半導体基板が固定された半導体基板を作製する。さらに、この半導体基板の単結晶半導体層にレーザ光を照射して、溶融させ、再結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】基板上に大面積の単結晶の有機薄膜を形成することができる有機薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１の有機分子からなる規則的な分子配列を有する第１の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層の上にエピタキシャル成長する第２の有機分子層を形成する工程と、前記第１の有機分子層を昇華、蒸発あるいは溶解して前記第２の有機分子層から除去する工程を有する有機薄膜の製造方法。前記第１の有機分子がアントラセン、前記第２の有機分子がペンタセンであることが好ましい。 （もっと読む）