【課題】基板のベベル部および基板裏面を短時間で、しかも良好に洗浄することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】遮断部材５が基板Ｗの表面Ｗｆに近接して対向配置された状態で基板Ｗの上面ベベル部に第１処理液が供給されてベベル洗浄が実行される。このベベル洗浄中に裏面処理ノズル２から第２処理液が基板裏面Ｗｂに供給されて裏面洗浄が実行される。また、遮断部材５の下面周縁部に段差部ＳＴが形成されており、環状部５０ｂに付着した処理液などが基板対向面側に移動しようとしても、当該移動は段差部ＳＴにより阻止される。その結果、基板対向面５０ａと平面領域ＦＰの間に液密層が形成されるのを確実に防止する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、基板の主面に接触することなく基板を保持することができる基板保持回転機構およびそのような基板保持回転機構を備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板保持回転部材２は、円盤状のスピンベース７を備えている。スピンベース７の上面には、その周縁部に複数個の固定支持部材１０ａ〜１０ｆがほぼ等角度間隔で固定配置されている。ウエハＷは、その周端面の下方部が固定支持部材１０ａ〜１０ｆに点接触して、基板保持回転部材２に保持される。スピンベース７が回転されると、スピンベース７の上面とウエハＷの下面との間の雰囲気が、遠心力によって、スピンベース７の外方へと吐き出されて減圧され、ウエハＷの下方の空間が負圧空間となる。ウエハＷがスピンベース７側に引き寄せられ、ウエハＷの周端面の下方部が固定支持部材１０ａ〜１０ｆに押し付けられる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部の所定範囲を精度良く良好に処理できるようにすること。
【解決手段】本発明では、基板（ウエハＷ）の周縁部に対してエッチング又は洗浄などの処理を行う基板処理装置(1)において、基板(W)の周縁部を処理するための周縁処理装置(4)と、周縁処理装置(4)に対して相対的に回転する基板(W)を保持するための基板保持装置(2)とを有し、周縁処理装置(4)は、基板(W)の周縁部に処理液を供給する処理液供給部(9)と、基板(W)の周縁部にリンス液を供給するリンス液供給部(10)と、基板(W)の周縁部に乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給部(12)と、基板(W)に向けてガスを噴出するガス噴出部(11)とを有し、回転方向に沿って上流側から順に処理液供給部(9)、リンス液供給部(10)、乾燥ガス供給部(11)を配置するとともに、これら処理液供給部(9)・リンス液供給部(10)・乾燥ガス供給部(11)よりも基板(W)の周縁部に対して内側にガス噴出部(12)を隣設した。 （もっと読む）

【課題】活性度の高い処理液を得ることができ、その処理液による良好な処理を基板に施すことができる、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】第２薬液供給管１１において、塩酸と過酸化水素水とが混合され、ミキシングバルブ８において、その混合により得られる混合液とＤＩＷとが混合される。これにより、塩酸と過酸化水素水との混合液がＤＩＷで希釈され、ウエハＷに供給すべき濃度の処理液が得られる。すなわち、塩酸と過酸化水素水とは、ＤＩＷにより希釈される前に、それぞれ濃度が高い状態で混合される。その結果、塩酸と過酸化水素水との良好な化学反応が生じ、活性度の高い混合液を得ることができる。そして、この活性度の高い混合液にＤＩＷが適当に混合されることにより、活性度が高くかつウエハＷの処理に適した濃度の処理液を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理に用いられる複数種の薬液の組合せが混触に危険を伴うような組合せであっても、それらの薬液の混触を確実に防止して、その基板処理を１つの処理室において完遂することができる、基板処理装置を提供する。
【解決手段】メモリには、過去直近に開成されたバルブ（最終開バルブ）を特定するための情報が記憶されている。バルブを新規に開成する場合、その開成に先立ち、メモリに記憶されている最終開バルブを特定するための情報が参照される。そして、基板に対する第１薬液の供給に引き続いて、基板に第２薬液が供給されることになる場合など、処理室２内などで第１薬液、第２薬液および第３薬液の相互間の混触を生じることになる場合には、そのバルブの新規開成が禁止される。そのため、処理室２内などにおける第１薬液、第２薬液および第３薬液間での混触を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液による基板処理の面内均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】二流体ノズルからの薬液の液滴の噴流が導かれるウエハの表面上の供給位置が、ウエハの回転中心からウエハの周縁部に至る範囲を円弧状の軌跡を描きつつ移動する。薬液の供給位置がウエハの回転中心から離れるにつれて、二流体ノズルからウエハに供給される薬効成分の濃度が高くされている。その一方で、回転中心から離れているほど、ウエハの表面位置は高速に移動している。その結果、単位面積あたりの薬液の薬効成分の量がウエハの全域においてほぼ等しくなる。 （もっと読む）

【課題】基板を汚染することなく基板の周端面を良好に処理することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】支持ピンによりスピンベース１５から上方に離間させた状態で基板Ｗを略水平姿勢で支持する。支持ピンに支持された基板Ｗの表面Ｗｆに対向部材５が配置され、対向部材５の下面５０１と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに窒素ガスが供給される。これにより、基板Ｗが支持ピンに押圧されてスピンベース１５に保持される。また、対向部材５のノズル挿入孔５２に第１ノズル３が挿入された状態で、第１ノズル３から回転する基板Ｗの表面周縁部ＴＲに向けてフッ硝酸を吐出させて該表面周縁部ＴＲに連なる周端面ＥＦに供給する。これにより、基板Ｗの周端面ＥＦが全周にわたってエッチング処理される。 （もっと読む）

【課題】処理室で平坦な壊れやすい基板（２）に処理液（１４）を供給するために、取扱いが容易で側面案内が可能である処理装置を提供する。
【解決手段】基板（２）は、搬送装置（３）によって水平通過で処理室を通して案内される。円筒状の回転可能に軸受けされる側面案内ローラ（２０）を備える側面案内装置は、送給方向（４）に配向された基板（２）の有利な送給を確実にする。 （もっと読む）