【課題】 トランジスタの動作性能劣化を引き起こす可能性を軽減しつつ、低温プロセス、かつ、高スループットで有機化合物ガスを用いた基板処理を可能とする基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Ｗと、複数のダミー基板ＤＷとを、複数段の被処理基板保持部６ａを有する被処理基板ボート５に、交互に保持させていく工程と、被処理基板Ｗ及びダミー基板ＤＷを、交互に保持した被処理基板ボート５を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート５に保持された被処理基板Ｗに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたパターンの倒壊を抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のパターンが隣接して形成された基板を処理する基板処理装置であって、薬液に対する耐性を有し、前記基板を前記薬液により洗浄するための第１のチャンバと、前記第１のチャンバの上方または下方に配置され、前記第１のチャンバよりも高い耐圧性を有し、前記基板を超臨界乾燥するための第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に設けられ、開閉可能なゲート部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板を均一かつ効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア排出ダクト６３は、吸気装置６５０に接続されている。吸気装置６５０は、ドライエア排出ダクト６３を通して処理槽４上の雰囲気を吸引し、吸引した雰囲気を外部へ排出する。ドライエア排出ダクト６３は、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅからなる。基板の処理前には、複数の排出ダクト６３ａ〜６３ｅに対応する処理槽４上の複数の測定点Ｐ１〜Ｐ５でドライエアＤＦの流速が測定される。基板の乾燥処理時には、処理槽４に貯留された処理液から基板が引き上げられる。そして、引き上げられる基板にドライエアＤＦが供給される。このとき、予め得られた流速分布の測定結果に基づいて、排出ダクト６３ａ〜６３ｅの内部に取り付けられた弁ｖａ〜ｖｅの開度が個別に調整される。 （もっと読む）