Fターム［5F157BC33］の内容
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二酸化炭素 (34)
Fターム［5F157BC33］に分類される特許
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イオン注入されたフォトレジストを除去するための非フッ化物含有超臨界流体組成物
イオン注入フォトレジストを、かかるフォトレジストを有する半導体基板から除去するための方法および組成物が記載される。除去組成物には、イオン注入フォトレジストを除去する際に用いられる超臨界ＣＯ２（ＳＣＣＯ２）、共溶媒および還元剤が含まれる。かかる除去組成物は、除去試薬としてのＳＣＣＯ２の固有の欠陥、すなわち、ＳＣＣＯ２の無極特性、およびフォトレジストに存在し、かつ効率的な洗浄のために半導体基板から除去されなければならない無機塩類および極性有機化合物などの種を可溶化できないＳＣＣＯ２関連の無力性を克服する。 
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