【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器１では基板Ｗ表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ２は供給ライン５１を介して処理容器１に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ５１よりも吐出流量の大きな循環ポンプ３にて、処理容器１内の流体を循環ライン５３に循環させた後、処理容器１内の流体を排出ライン５２から排出する。 （もっと読む）

【課題】半導体工業において使用するのに十分な純度を達成するためのＣＯ_２の精製方法を提供する。
【解決手段】汚染物の除去に適した条件下で、ＣＯ_２の流れを少なくとも１種の金属の混合金属酸化物と接触させる。該混合金属酸化物は１種または複数の金属の少なくとも２つの酸化状態、あるいは異なる化学的性質を有する、類似の比較的高い酸化状態の２種の金属を含む。次いで、各吸着剤を除染／活性化することにより、吸着剤を混合酸化状態に戻し、さらなる回数の除染を可能にする。各吸着剤は、互いに補完し合い、別々の汚染物を選択的に吸着するように選択される。加えて、各吸着剤は、再生時に金属の一部のみが還元され、その１種の吸着剤が元の状態に戻されるように、異なる程度の還元を受ける。 （もっと読む）

【課題】パターン倒壊を防止し、低ダスト・高スループットでの超臨界乾燥を実現する。
【解決手段】ウェーハ支持部３１によりウェーハＷを把持して洗浄チャンバ１からウェーハＷを搬出する前に、近接板３３をウェーハＷのデバイス面に近接させ毛細管力でリンス液ＲＬをウェーハＷ上に保持したままで、超臨界乾燥チャンバ２へ搬送する。 （もっと読む）

【課題】有機溶剤を含んだ二酸化炭素を超臨界状態の洗浄剤として、この洗浄剤を洗浄チャンバー内に配された被洗浄物に接触させることにより、前記被洗浄物の洗浄を行う洗浄方法及び洗浄装置において、洗浄時間の短縮化を図ること。
【解決手段】界面活性剤と有機溶剤と超臨界状態の二酸化炭素を混合し、混合流体を被洗浄物に接触させて洗浄する洗浄方法において、前記混合を管内混合手段で行い、該管内混合手段の直後に被洗浄物を配置するとともに、前記混合流体においての重量割合は、二酸化炭素に占める有機溶剤の重量割合を２０％以下とし、かつ界面活性剤の重量比率を有機溶剤と略同重量としたことを特徴とする洗浄方法及び洗浄装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

本発明は、高圧処理器に関し、本発明による高圧処理器は、高圧の二酸化炭素が内側に供給され、該高圧の二酸化炭素でウェーハを洗浄することができる収納空間部と、該収納空間部の前段で該収納空間部の高さよりさらに高い空間である開閉空間部とを備える本体と；前記本体の収納空間部に固定設置されて前記ウェーハを実装し、前記流入された高圧の二酸化炭素を前記ウェーハの表面に沿って流れるようにして洗浄するウェーハ支持部と；前記本体の開閉空間部の一側を密閉し、且つ、前記ウェーハのローディング及びアンローディングが可能な開口部が設けられたドアカバーと；前記開閉空間部内で上下移動が可能であり、前記ドアカバー側に前後移動が可能なドアと；前記ドアを上下方向に駆動させるドア駆動部と；を含む。このような構成の本発明は、気密部分が高圧の二酸化炭素に露出することを最小化し、気密部の寿命を延長させることができるという効果があり、ドアを上下及び前後に移動させることができるようにして、気密性を向上させると共に、上下駆動時に周辺との摩擦を最小化し、摩耗量を低減し、高圧処理器の寿命を延長させることができ、異物の発生を防止することができるという効果がある。 （もっと読む）

本発明による高圧処理器を利用した基板処理装置は、高圧の二酸化炭素を使用して基板を処理する高圧処理器と、前記高圧処理器で使用された二酸化炭素を排出する排出管から各々二酸化炭素を分岐する第１及び第２分岐ラインと、前記第１分岐ラインを通じて供給される二酸化炭素から添加剤を分離し、前記二酸化炭素を凝縮させ、且つ、その凝縮に冷却部の冷媒が通過する冷媒循環管と共に前記第２分岐ラインを通じて供給される二酸化炭素の断熱膨脹による温度下降が関与されるようにするリサイクル部と、前記リサイクル部または二酸化炭素供給部の液体二酸化炭素を高圧でポンピングする高圧ポンプと、前記高圧ポンプを通じて昇圧された二酸化炭素を段階的に加熱し、前記高圧処理器に供給するバッファーの役目をする第１及び第２加熱バッファー部と、を含む。このような構成を有する本発明は、集約化した単一構造のリサイクル部を構成し、洗浄または乾燥に使用された二酸化炭素から添加剤を分離し、凝縮過程を処理し、設備の体積を減少させ、フットプリントを低減し、点検項目の数を減らすことができるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】減圧に伴って樹脂成形体等の被処理体が発泡してしまう問題を解決する技術を提供する。
【解決手段】高圧処理チャンバー内で、被処理体と高圧流体とを接触させることで被処理体の高圧処理を行った後、大気圧まで減圧するための高圧処理方法であって、複数の減圧工程を含み、高圧処理直後の第１減圧工程では、上記チャンバー内の高圧流体の密度を略同等に維持しつつ減圧することを特徴とする高圧処理方法である。 （もっと読む）

【課題】硬化層が形成されたレジストを、基層にダメージを与えないように除去する。
【解決手段】レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーで不純物から二酸化炭素を分離させることが可能であって、簡単に二酸化炭素の分離速度を高めることが可能な二酸化炭素の分離方法を提供する。
【解決手段】洗浄装置１の分離装置２００に用いられる二酸化炭素の分離方法は、不純物が含まれる超臨界または加圧された液体状態の二酸化炭素に遠心力を与えることによって不純物から二酸化炭素を分離することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高圧二酸化炭素を用いた洗浄等の処理工程後、被処理体の表面が高い清浄度に維持される簡易な処理方法、及び処理装置を目的とする。
【解決手段】被処理体を保持、収納する高圧容器１１に、フィルタ１３を有する供給ライン２０から、高圧二酸化炭素を供給する工程（１）と、前記高圧二酸化炭素により被処理体を処理する工程（２）と、高圧容器１１内の高圧二酸化炭素を排出ライン３０から排出する工程（３）とを含み、前記工程（１）及び／又は前記工程（３）のにおける高圧二酸化炭素の流量を特定の条件に調整する、高圧二酸化炭素を用いた被処理体の処理方法。また、高圧容器１１と供給ライン２０と排出ライン３０とを備え、供給ライン２０及び／又は排出ライン３０に、高圧二酸化炭素の流量を調整する流量調整手段４０、５０を有する処理装置１。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体が基板洗浄空間内に形成する渦の中心位置を変更することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、洗浄空間Ｓを規定する内壁２５に対して所定の角度αで当該洗浄空間Ｓ内に超臨界流体を吐出させる３つ以上の流体吐出部２１と、流体吐出部２１にそれぞれ超臨界流体を供給するための供給流路と、供給流路から分流されて各流体吐出部２１から吐出される超臨界流体の流量を制御する吐出流量制御手段３０と、を備え、吐出流量制御手段３０は、一部の流体吐出部２１から第１の流量で超臨界流体が吐出されると共にそれ以外の流体吐出部２１から第１の流量よりも小流量の第２の流量で超臨界流体が吐出され、且つ、第１の流量が分流される流体吐出部２１が順次移行するように、供給流路１１における超臨界流体の分流の流量を調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】装置構成の簡単な単一の洗浄処理チャンバーを用いて、単位時間当り可能な限り多くの枚数の被洗浄物の洗浄処理を可能とする。
【解決手段】洗浄処理チャンバーと、該洗浄処理チャンバー内に洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段と、上記洗浄処理チャンバー内の不要物を排出する流体排出手段とを備え、上記洗浄処理チャンバー内を超臨界状態に維持することによって、当該洗浄処理チャンバー内の被洗浄物の洗浄処理を行うようにしてなる超臨界流体洗浄装置であって、洗浄前の被洗浄物を洗浄処理チャンバー内に搬送搬入する搬送搬入手段および洗浄処理終了後の被洗浄物を洗浄処理チャンバーから取り出す搬出搬送手段を設け、洗浄処理チャンバー内の複数の位置に同時に複数枚の被洗浄物を収納セットして順次洗浄処理することができるようにした。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体の存在下に被処理基板に対して成膜工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の加工を容易に行うことのできる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基板が設置された反応室内に超臨界流体を充填し、該超臨界流体に溶解させた原料を基板の表面近傍で反応させることで基板の表面を加工する基板の製造方法であって、基板を、反応室内の天井部１０に基板の表面を下方に向けて設置するものである。 （もっと読む）

【課題】表面硬化層が形成されたレジストを基板の表面から良好に剥離することのできるレジスト剥離方法およびレジスト剥離装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗが処理チャンバー１１にローディングされると、プレート１４に吸着保持された基板Ｗは基板加熱用ヒータ１９からの発熱により加熱処理される。このとき、コントローラは基板Ｗの温度が３００℃以上で、かつ４５０℃以下の温度範囲となるように基板加熱用ヒータ１９を駆動制御する。基板Ｗの加熱によりレジストにポッピング現象が生じると、表面硬化層の内側（下層側）に位置する未硬化層のポッピングによる衝撃で表面硬化層に亀裂が生じ、未硬化層が灰化される。続いて、加熱処理後に高圧流体を用いたレジスト除去を行うことで、基板表面からレジストが表面硬化層ごと剥離される。 （もっと読む）

超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板（１０５，２０５）を処理するための方法およびシステム（１００，２００）を説明する。プロセス過酸化物を含有するプロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。この過酸化水素ベースの成分が開始剤とともに使用される。ここで、開始剤は、プロセス過酸化物のラジカルの生成を促進する。
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マイクロエレクトロニクスデバイス基板上の小さい寸法からの粒子汚染物を洗浄するための洗浄組成物。洗浄組成物は、高密度ＣＯ_２（好ましくは超臨界ＣＯ_２（ＳＣＣＯ_２））、アルコール、フッ化物源、アニオン界面活性剤源、非イオン界面活性剤源および任意にヒドロキシル添加剤を含有する。洗浄組成物は、Ｓｉ基板／ＳｉＯ_２基板上に粒子状汚染物を有する基板の損傷のない且つ残留物のない洗浄を可能にする。
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浸漬リソグラフィ手段のレンズ及び浸漬液を通じてフォトレジストに照射するステップを含み、浸漬空間において浸漬液はレンズ及びフォトレジストと接触しており、浸漬空間から浸漬液を除去するステップ、浸漬空間に超臨界流体を注入するステップ、浸漬空間から超臨界流体を除去するステップ、及び浸漬空間に浸漬液を注入するステップを含む、浸漬リソグラフィの方法及びシステムが開示される。
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