【課題】半導体デバイス用基板、特に表面に金属配線を有する半導体デバイス用基板を化学的機械的研磨工程後の洗浄工程に用いられ、金属配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、Ｎ−アシル−Ｌ−システイン及び下記一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物を含有し、かつｐＨが１．５以上、６．５未満である半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ＯＨ^- （１）
（但し、Ｒ¹は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ¹は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】コロイダルシリカを研磨材として用いたとしても洗浄性に優れ、砥粒や研磨カスを十分に除去できる電子デバイス基板用洗浄剤組成物、および電子デバイス基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）成分：アルカリ金属の水酸化物を０．０１〜５．００質量％、（Ｂ）成分：ヒドロキシカルボン酸および／またはその塩を０．１０〜１０．００質量％含有し、界面活性剤の含有量が１．００質量％未満であることを特徴する電子デバイス基板用洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造工程における平坦化研磨工程後の洗浄工程に用いられる洗浄剤であって、半導体デバイス表面、特に、表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面を、銅配線の腐食を引き起こすことなく、有機物汚染、パーティクル汚染を、短時間で除去することができ、基板表面を高清浄化しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に銅配線が施された半導体デバイスの製造工程における化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、特定のトリアゾール化合物またはテトラゾール化合物を腐食防止剤化合物として含有する半導体基板表面用洗浄剤。 （もっと読む）

残渣を表面から除去する方法であって、表面を、式Ｅ−またはＺ−Ｒ^１ＣＨ＝ＣＨＲ^２を有する化合物（式中、Ｒ^１およびＲ^２は独立に、Ｃ_１〜Ｃ_６ペルフルオロアルキル基、またはＣ_１〜Ｃ_６ヒドロフルオロアルキル基である）からなる群から選択される少なくとも１つの不飽和フッ素化炭化水素を含む組成物と接触させるステップと、表面を組成物から回収するステップとを含む方法が開示されている。フッ素系潤滑剤を表面に被着させる方法、および少なくとも水の一部分を濡れた基板の表面から除去する方法において、フッ素化炭化水素は溶媒組成物としても使用される。 （もっと読む）

本開示は、半導体装置の製造中における化学的機械的平坦化（ＣＭＰ）後の半導体ウエハの洗浄を検討する。金属特に銅の相互接続を含有するウエハのＣＭＰ後洗浄のための酸性化学剤が開示されている。残存スラリー粒子、特に銅または他の金属粒子は、金属を有意にエッチングすることなく、表面に付着物を残すことなく、または有意の有機（炭素のような）汚染質を表面に与えることなく、しかも金属を酸化および腐食から保護しながら、表面から除去される。さらに、溶液中の金属イオンを錯化し、誘電体からの金属の除去を促進し、ウエハ上への再付着を防止するために、少なくとも１種の強力なキレート化剤が存在する。酸性化学剤を用いると、ＣＭＰ後に使用される洗浄溶液のｐＨをウエハ表面で使用された最後のスラリーのそれとマッチさせることができる。 （もっと読む）