円板状物品の主表面に直角な軸線まわりで円板状物品を回転させ、回転しているときに円板状物品の上に液体を供給し、この液体は円板状物品の縁に向かって基板を横切って動かされる供給ポートから供給され、第１の気体供給ポートを通してある一領域に向かって円板状物品上に第１の気体流を供給し、この領域の中心は２０ｍｍより大きくない回転運動の中心までの距離を有し、第１の気体が供給されるこの領域は、第１の気体が供給されるとき液体層で覆われ、そしてこれにより分離した領域において液体層を開口させ、更に、回転されたときの円板状物品上に第２の気体供給ポートを通して第２の気体流を供給し、この第２の気体流は基板の縁に向かって基板を横切って動かされる第２の気体供給ポートより供給され、第２の気体供給ポートから中心までの距離は、第２の気体流及び液体が供給されている間の液体供給ポートから中心までの距離より小さい諸段階よりなる円板状物品の表面から液体を除去するための方法が明らかにされる。更に、この方法を実行するための装置が明らかにされる。 （もっと読む）

ワーク処理装置Ｓは、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置２０と、マイクロ波を伝搬する導波管１０と、導波管１０のワークＷとの対向面に設けられたプラズマ発生部３０とを具備するプラズマ発生装置ＰＵと、プラズマ発生部３０を通過するようにワークＷを搬送するワーク搬送手段Ｃとを備える。プラズマ発生部３０は、マイクロ波を受信しそのマイクロ波のエネルギーに基づきプラズマ化したガスを生成して放出するプラズマ発生ノズル３１が、複数個配列して取り付けられてなる。ワークＷは、ワーク搬送手段Ｃで搬送されつつ、プラズマ発生部３０においてプラズマ化したガスが照射される。
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膜スタックを処理するためのクラスタツール、処理チャンバ及び方法の実施形態が提供される。一実施形態においては、膜スタックのシリコン層と金属層をインサイチュエッチングするための方法であって、処理チャンバ内で膜スタックの金属上層をエッチングして下にあるシリコン層の一部を露出させるステップと、処理チャンバから基板を取り出さずにシリコン層におけるトレンチをエッチングするステップと、を含む前記方法が提供される。本発明は、フラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ製造に特に有用である。 （もっと読む）