【課題】活性層の発光状態を観察することが可能な半導体レーザ素子を提供し、この半導体レーザ素子の発光状態の像を得る方法を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、活性層１８を含む半導体積層と、半導体積層を搭載する主面及び裏面１１ｂを有する基板１１と、裏面１１ｂの上に設けられた電極層２１とを備える。電極層２１は、第１の開口２２、第２の開口２３、第１の側面２１ｃ及び第２の側面２１ｅを有する。第１の開口２２は第１の側面２１ｃから第２の側面２１ｅへ向かう方向に第１の側面２１ｃから延在する。第１の開口２２は第２の側面２１ｅから離間する。第１の開口２２と第２の開口２３とは、電極層２１の第１の側面２１ｃから第２の側面２１ｅへ向かう方向と直交する方向に電極層２１の一部を挟んでいる。活性層１８は第１の側面２１ｃから第２の側面２１ｅへ向かう方向に延在する。 （もっと読む）

【課題】動作モード制御性に優れる半導体レーザの作製方法を提供する。
【解決手段】光の伝播方向において活性層領域Ａと制御層領域Ｂとが交互に接続する半導体レーザの作製方法において、活性層領域Ａの上側ＳＣＨ層１３又は制御層領域Ｂの上側ＳＣＨ層１７のうちいずれか一方の上層に半導体犠牲層１８を形成し、活性層領域Ａ及び制御層領域Ｂの表面に回折格子を形成し、活性層領域Ａ及び制御層領域Ｂの上層に半導体犠牲層１８と同一材料の半導体層２０を形成する際、半導体犠牲層１８の厚さを厚くして、活性層領域Ａの回折格子の深さ又は制御層領域Ｂの回折格子の深さのうちいずれか一方を浅く形成する。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、第１クラッド層と、第１クラッド層の上方に形成された活性層と、活性層の上方に形成された第２クラッド層と、を含み、活性層は、第１側面１０５と、第１側面１０５に平行な第２側面１０７と、を有し、活性層のうちの少なくとも一部は、第１利得領域１６０と、第２利得領域１６２と、を構成し、第１利得領域１６０と、第２利得領域１６２は、第１側面１０５の垂線Ｐに対して傾いて設けられており、第１端面１７０の中心と第３端面１７４との中心を通る第１中心線１６０ａと、第２端面１７２の中心と第４端面１７６との中心を通る第２中心線１６２ａとは、交点Ａを有し、重なり面１７８は、交点Ａに対して、第２側面１０７から第１側面１０５に向かう方向に位置している。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの付着によって発生する結晶欠陥部を積極的に除去して、市場への不良流出を抑制できる半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３と、活性層４と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５と、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７と、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層８と、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層９とを順次積層し、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層９上にフォトレジスト１２を塗布した後、アッシングを行って、パーティクルに対応して各層に亘って形成された結晶欠陥部１０、１１の先端部１１Ａを露出させ、ｎ型ＧａＡｓ基板１に達するまでエッチングを行って凹部を形成する。次に、誘電体マスク１４を用いてエッチングを行ってリッジ部１５を形成した後、誘電体マスク１４で覆われた部分以外に電流ブロック層１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】放熱性を改善しつつＡｌ含有層の酸化が低減された、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体光素子を提供すること。
【解決手段】半導体レーザ１００は、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体レーザにおいて、Ａｌ系材料で構成された活性層１０５と、活性層１０５の上の境界層１０８Ａと、境界層１０８Ａの上の、Ａｌを含有しない導波層１０９を有するリッジ１１１と、境界層１０８Ａの上のリッジを埋め込む埋め込み層１１２とを備える。境界層１０８Ａは、リッジ１１１を形成するためのエッチングにより露出する表面とＡｌ含有層である上側ＳＣＨ層１０６との間に存在し、上側ＳＣＨ層１０６や量子井戸活性層１０５が露出して酸化することを回避する。導波層１０９は、リッジ１１１内部にありエッチングにより側面が露出するが、Ａｌを含有しないので、Ａｌ含有層が露出することによる酸化の問題は生じない。 （もっと読む）

【課題】基板面に垂直方向に形成された複数の活性層に流れる電流の水平方向の調整の精度を高めることができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】第１の一導電型クラッド層３、第１の活性層５及び第１の反対導電型クラッド層７が順に形成され、第１の反対導電型クラッド層７の上に第２の一導電型クラッド層１１、第２の活性層１３及び第２の反対導電型クラッド層１５が順に形成され、さらに、第１の反対導電型クラッド層７と第２の一導電型クラッド層１１の間に部分的に形成されたトンネルジャンクション層１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系化合物半導体層のヘテロ接合を有する積層部を形成して半導体素子を形成しても、ｐ形ドーピングを確保しつつ駆動電圧の上昇を引き起こさず、しかも結晶性を良好にして素子特性の優れた酸化亜鉛系化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】 Ａ面｛１１−２０｝またはＭ面｛１０−１０｝が−ｃ軸方向に傾斜した面を主面とするＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ＜１）からなる基板１の主面上に、ＺｎＯ系化合物半導体層２〜６がエピタキシャル成長されている。 （もっと読む）

【課題】 従来、位相シフト型の分布帰還型半導体レーザ素子は、縦モードの戻り光耐力向上のためにλ/4シフト構造が用いられてきたが、λ/4シフト位置での光子密度が周囲と比較して極端に高く、電子密度が低いために、チャーピングが大きく、直接変調した場合に長距離伝送に適さないという課題があった。
【解決手段】 λ/4の位相シフト構造の代わりに導波路中の回折格子にλ/8の位相シフト構造を採用し、そのλ/8の位相シフト構造の位置を導波路の中央よりも後方向端面側に形成し、かつ、前方向端面コーティング膜の反射率が後方向端面コーティング膜の反射率が小さくすることで、戻り光耐力を保つとともに、シフト位置での光子密度の低減し、チャーピングを抑制することが可能となる。 （もっと読む）