【課題】井戸層数、変調器長を変化させないまま消光比を増大することができる光半導体装置の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体混晶からなる基板と、前記基板の上に形成される、量子井戸層、バリア層を含む多重量子井戸構造の活性部と、前記活性部の上下をそれぞれ覆う上下クラッド部とを有し、前記上クラッド部の一部をエッチングし、光波長程度の幅のリッジメサ部をもつ、リッジ導波路構造を作製し、前記リッジメサ部の両脇を熱伝導率の小さい有機材料で埋め込んだ構成の電界吸収型光変調器と、注入電流により光を出力する半導体レーザと、前記半導体レーザと前記電界吸収型光変調器との間に設けられ、前記半導体レーザから出力された光が導波する光導波装置とを具備する光半導体装置の制御方法であって、前記電界吸収型光変調器の消光比を、前記半導体レーザへの注入電流を変化させることにより制御するものとする。 （もっと読む）

【課題】接触層と電極との界面にショットキー障壁が形成されるのを抑制可能な窒化物系半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＮ基板３と、ＧａＮ基板３の主面Ｓ１に設けられており発光層１１を含む六方晶系の窒化ガリウム系半導体領域５と、窒化ガリウム系半導体領域５上に設けられており金属からなるｐ電極２１とを備える窒化物系半導体発光素子のＬＤ１を提供する。窒化ガリウム系半導体領域５は、歪みを内包する接触層１７を含み、接触層１７はｐ電極と接しており、主面Ｓ１は、ＧａＮ基板３のｃ軸方向に直交する面から所定の傾斜角度θで傾斜した基準平面Ｓ５に沿って延びており、傾斜角度θは、４０度より大きく９０度より小さい範囲、又は、１５０度以上１８０度未満の範囲、の何れかに含まれている。窒化ガリウム系半導体領域５はＧａＮ基板３に格子整合している。 （もっと読む）

【課題】 自励発振機能を有し、動作特性が良好で、かつ、素子寿命が長い端面発光型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
半導体結晶層の積層体と、光出射端面とを含み、前記積層体が、活性層１０３と、可飽和吸収層１０５と、光導波路とを含み、
可飽和吸収層１０５は、結晶構造中に（０００１）面を含み、
可飽和吸収層１０５の（０００１）面の法線ベクトル＜０００１＞の可飽和吸収層１０５主面への投影ベクトルをＡ、前記光出射端面から出射される直前の光の導波方向のベクトルをＢとし、ＡとＢのなす角をθとしたとき、｜Ａ｜＞０、かつ、０≦｜ｃｏｓθ｜＜１であり、
可飽和吸収層１０５の不純物濃度は、可飽和吸収層１０５以外の前記半導体結晶層のうち最も不純物濃度が高い層の不純物濃度以下であることを特徴とする端面発光型半導体発光素子。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズを低減でき、かつ高出力である新規な発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置１００は、基板１０２と、その上方に形成された第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、を含み、活性層は、第１側面と、第１側面に平行な第２側面１０７と、を有し、活性層のうちの少なくとも一部は、第１利得領域１４０と、第２利得領域１４２と、を構成し、第１利得領域および前記第２利得領域に生じる光の波長帯において、第１側面の反射率は、第２側面の反射率よりも高く、第１利得領域および第２利得領域の各々では、第１側面側から平面的に見て、第１側面側の端面と、第２側面側の端面とは、重ならず、第１利得領域の第１側面側の端面の少なくとも一部と、第２利得領域の第１側面側の端面の少なくとも一部とは、重なっており、第１利得領域の長さと、前記第２利得領域の長さは、等しい。 （もっと読む）

【課題】高速で長距離伝送が可能な、アンクールドタイプの電界吸収型変調器集積分布帰還型レーザの提供。
【解決手段】変調器部に位置する活性層の半導体材料及びメサ構造を最適化し、かつ、所定の温度におけるレーザ部の発振波長に対して、レーザ部の利得ピーク波長の適合値及び変調器部のフォトルミネッセンス波長の適合値の範囲を求め、それら適合値の範囲のいずれかの値になるよう設計してレーザ部及び変調器部を作製する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有する自励発振型の埋込型の窒化物半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、基板の上に形成された窒化物半導体からなる活性層１０６と、活性層１０６の上に形成され、活性層１０６に選択的に電流を流す開口部１０９ａを有する電流狭窄層１０９とを備え、開口部１０９ａと電流狭窄層１０９との実効屈折率差をΔｎとし、活性層１０６から発光するレーザ光のうち活性層１０６に閉じ込められるレーザ光の垂直方向の光閉じ込め率をΓｖとするとき、０．０４４＜Δｎ／Γｖ＜０．０６２の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】低電圧化を可能とした半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ側コンタクト層１８は、ｐ側電極２１側の面に、凹部３１および凸部３２を有する凹凸構造３０を有し、表面積が増加している。ｐ側電極２１は、凹凸構造３０の上面、側面および底面でｐ側コンタクト層１８に接触しており、ｐ側コンタクト層１８との接触面積が増加するので、低電圧駆動が可能となる。また、ｐ側コンタクト層１８は、材料または組成の異なる第１ｐ側コンタクト層１８Ａと第２ｐ側コンタクト層１８Ｂとの積層構造を有する。第１ｐ側コンタクト層１８Ａおよび第２ｐ側コンタクト層１８Ｂの間には、両者の歪差によるピエゾ電界効果により、ホールが蓄積されたキャリア蓄積層が形成される。このキャリア蓄積層において、ｐ側電極２１とｐ側コンタクト層１８とのショットキー障壁のない理想的なオーミック接触が可能となる。 （もっと読む）

【課題】迷光を散乱、吸収、或いは反射する散乱／吸収／反射構造と光導波路との間隔を広く設定しても、遠視野像のプロファイル形状を改善可能とする。
【解決手段】迷光を散乱、吸収、ないしは反射する機能を有する構造２０を、光導波路１１に沿った領域に複数ずつ備える。光導波路１１に沿った領域を該光導波路１１の長手方向において３つ以上に等分した分割領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の各々に、少なくとも１つ以上の構造２０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 活性層中の水素イオンの濃度を低減することにより活性層の結晶性を向上できる構造を有する半導体光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体光素子１は、第１のｎ型半導体層１３と、活性層１５と、ｐ型半導体層１７と、第２のｎ型半導体層１９とを備える。第１のｎ型半導体層１３は基板１１上に設けられている。活性層１５は、第１のｎ型半導体層１３上に設けられており、Ｖ族元素として窒素及び砒素を含むIII-V族化合物半導体層を有する。ｐ型半導体層１７は、活性層１５上に設けられている。第２のｎ型半導体層１９は、活性層１５とｐ型半導体層１７との間に設けられている。第２のｎ型半導体層１９には、ｎ型ドーパントが添加されている。第２のｎ型半導体層１９とｐ型半導体層１７とはｐｎ接合Ｊを形成する。 （もっと読む）

【課題】素子分離溝等の凹部による電流リークを防止すると共に、十分に深い凹部を形成した場合においてもレーザ素子の発振しきい値の変動現象を防止できるようにする。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子は、基板１０１上に形成され、活性層１０５、ｐ型電子障壁層１０６、ｎ型電流ブロック層１０８及びｐ型光ガイド層１０７、１１１を含む積層構造体１２０を有している。ｎ型電流ブロック層には、第１の開口部である電流注入部１０８ａと第２の開口部である電流遮断部１０８ｂとが形成されており、ｐ型光ガイド層１１１は、電流注入部１０８ａ及び電流遮断部１０８ｂにも形成されている。積層構造体１２０は、電流注入部に対して電流遮断部の外側に形成され且つｐ型電子障壁層を貫通する素子分離溝１１７と、電流注入部と電流遮断部との間に形成され且つその底面がｐ型電子障壁層の下面よりも上側に位置する電流ブロック溝１１６とを有している。 （もっと読む）

【課題】緩和振動を抑制し得る構造を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型半導体層１０２，１０３と、ｐ型半導体層１１０，１１１と、これらｎ型半導体層１０２，１０３とｐ型半導体層１１０，１１１との間に介在する活性層１０５とを含む積層構造を有する。活性層１０５は、積層方向に垂直な方向のキャリア拡散長が積層方向のキャリア拡散長よりも大きい機能層を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤレベルを高めるために量子井戸活性層の無秩序化を強化すると共に、格子欠陥の発生と無効電流の発生を抑制し、高出力動作状態における発光効率の飽和が回避され、安定した基本横モード発振を行うことが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】同一基板上にＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるバッファ層と、拡散防止層と、第一クラッド層と、量子井戸活性層と、第二クラッド層とを有する第１の半導体レーザと第２の半導体レーザとを備え、端面近傍における第二クラッド層、量子井戸活性層および第一クラッド層に不純物が拡散されて無秩序化された窓領域が形成され、窓領域における第一クラッド層と拡散防止層との間にｐｎ接合が形成され、第１、第２の半導体レーザの量子井戸活性層の禁制帯幅をＥ１、Ｅ２、第１、第２の半導体レーザのｐｎ接合の立ち上がり電圧をＶ１、Ｖ２とすると、Ｅ１＜ｅ×Ｖ１、Ｅ２＜ｅ×Ｖ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】高出力の半導体レーザ素子においても、共振器端面での発熱を最小限にとどめて、ＣＯＤレベルを向上させることができるとともに、良好なＦＦＰを得ることができ、信頼性が高く、長寿命の半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】第１導電型半導体層、活性層５及び第２導電型半導体層からなり、共振器を備えた積層体と、前記第２導電型半導体層上に接触して設けられたストライプ状の導電層１１と、前記第２導電型半導体層上に接触し、前記導電層１１の延長線上に配置され、前記導電層１１の屈折率以下の屈折率を有する第１埋込層１０とを有する半導体レーザ素子。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗の低減、結晶歪みの抑制およびサイドリーク電流の発生抑制を実現し得る半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１０Ａは、下部電極層１１と、下部電極層１１上に形成された下部クラッド層２３と、下部クラッド層２３上に形成された発光層２４，２５，２７と、電流狭窄層１８Ａ，１８Ｂと、これら電流狭窄層１８Ａ，１８Ｂ上に形成された上部クラッド層２８と、上部クラッド層２８上に形成された上部電極層１２Ａとを備える。上部クラッド層２８は、方向１３の分極電界を有する第１電界層２８６と、逆方向１４の分極電界を有する第２電界層２８５とを含む。 （もっと読む）

【課題】歩留まりが良好で、特性の劣化が抑制された半導体レーザ装置とその製造方法、及び半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ装置は、ｎ型基板６と、ｎ型基板６上に形成されたｎ型クラッド層７と、ｎ型クラッド層７上に形成された活性層９と、活性層９上に形成され、活性層９の上面に達する開口部を有するｎ型電流ブロック層１１と、ｎ型電流ブロック層１１上に形成され、開口部を埋めるｐ型クラッド層１２とを備えている。平面的に見て開口部を挟んで設けられ、半導体レーザ素子の共振器端面となる端面領域において、ｐ型クラッド層１２を貫通し、底面が活性層９の上面よりも高い位置にあるへき開ガイド溝３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズが低減され、小型、低コストかつ高性能なＩＩＩ族窒化物半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るＩＩＩ族窒化物半導体レーザは、第１導電型の半導体基板１０１と、半導体基板上に形成された第１導電型の半導体層１０３と、第１導電型の半導体層１０３上に形成された活性層１０５と、活性層上において所定の方向にストライプ状に延設された電流狭窄構造１０７と、電流狭窄構造１０７上に形成された第２導電型の半導体層１０９とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体レーザであって、活性層１０５の発光領域が、半導体基板１０１の主面に対する勾配が異なる複数の結晶面に形成されているものである。 （もっと読む）

【課題】半導体利得媒質の劣化速度を抑えて、その長寿命化を達成できる波長可変レーザを得る。
【解決手段】少なくとも電流注入により光学的利得が発生する半導体利得媒質10と、例えば半導体発光素子10の一端面10ａと回折格子15とで構成されて半導体利得媒質10から発せられた光12をレーザ発振させる共振器と、発振するレーザ光12の波長を掃引する波長掃引手段（例えば回折格子15、スキャナ16およびスキャナドライバ17からなる）とを有する波長可変レーザにおいて、半導体利得媒質10に注入する駆動電流Ｉを、波長掃引手段の動作と同期させて、掃引波長に応じた値に設定する電流制御手段19を設ける。 （もっと読む）

【課題】スロープ効率の低下を抑制し、良好な素子特性が得られる能動ＭＭＩ型半導体レーザを提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体発光素子は、能動多モード干渉導波路１１０ｂと、能動多モード干渉導波路１１０ｂ内の光強度に応じて形成され、能動多モード干渉導波路１１０ｂ内の電流量を制御する電流制御構造１０４ｂと、を有することを特徴とするものである。電流制御構造１０４ｂにより、無効電流を十分低減できると同時に、結合損失をほぼ零にすることができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程が増加するのを抑制しながら、歩留まりが低下するのを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この２波長半導体レーザ素子１（半導体レーザ素子）では、赤色レーザ素子部３は、互いに異なるリッジ幅を有するリッジ部３ａ、３ｂおよび３ｃを含み、赤外レーザ素子部４は、互いに異なるリッジ幅を有するリッジ部４ａ、４ｂおよび４ｃを含む。赤色レーザ素子部３の３つのリッジ部３ａ、３ｂおよび３ｃと、赤外レーザ素子部４の３つのリッジ部４ａ、４ｂおよび４ｃとにより、３つの一対のリッジ部６ａ、６ｂおよび６ｃが構成されている。一対のリッジ部６ａ、６ｂおよび６ｃは、各々の一対のリッジ部６ａ、６ｂおよび６ｃの中心間距離（Ｗ３１、Ｗ３２、Ｗ３３）が同じになるように配置され、１つの一対のリッジ部６ｂが、電流通路として機能する。 （もっと読む）

【課題】従来の窒化物半導体レーザ装置の放熱経路に加えて新しい放熱経路を付加することにより、さらなる窒化物半導体レーザ装置の放熱の向上を提供する。
【解決手段】第１導電型の導電性基板の第１主面上に、第１の電極を少なくとも有し、導電性基板の第２主面上に、第１導電型の窒化物半導体層と、活性層と、第２導電型の窒化物半導体層と、第２の電極とを少なくとも有し、さらに第１主面に平行なストライプ状導波路構造を有する窒化物半導体レーザ素子が、窒化部物半導体レーザ装置において、第１主面に平行方向かつストライプ状導波路構造から発する光出射方向に垂直な方向に２個以上配置され、第１のサブマウントと窒化物半導体レーザ素子の第１の電極とが電気的に、かつ、熱伝導するように、接続され、第２のサブマウントと窒化物半導体レーザ素子の第２の電極とが電気的に、かつ、熱伝導するように、接続された構造を備える窒化物半導体レーザ装置に関する。 （もっと読む）