【課題】高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても、縦モードホッピングの発生を抑制することができ、より安定した単一縦モード発振が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の、第１および第２のミラーとで共振器が構成され、第１と第２のミラーとの間に設けられた第１の活性層と、第１の活性層と第１のミラーとの間に設けられた第２の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、第１の活性層は、実効的な共振器長Ｌを構成する実効共振器の端から３Ｌ／８〜５Ｌ／８となる第１の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、第２の活性層は、実効共振器の端から３Ｌ／８Ｍ〜５Ｌ／８Ｍ（Ｍは２以上の整数）となる第２の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長を中断してウェハを外部に出すことなく、電流狭窄層を形成でき、電流狭窄効果が高い半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流狭窄層を有する半導体レーザ１であって、前記電流狭窄層は、ｎ型不純物原子がドープされたn++接合層１９、絶縁層１７、及びｐ型不純物原子がドープされたp++接合層１５から構成され、前記p++接合層１５は、その周辺部１５ｂよりも厚い中央部１５ａを備え、前記n++接合層１９は、前記中央部１５ａにおいて前記p++接合層１５と接してトンネル接合を形成し、前記絶縁層１７は、前記周辺部１５ｂにおいて、前記n++接合層１９とp++接合層１５とを隔てることを特徴とする半導体レーザ１。 （もっと読む）

【課題】活性層における注入電流分布を均一化できる面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】半導体基板３と、前記半導体基板３における一方の面に設けられた第１の電極５と、前記半導体基板３における反対側の面に設けられた、第１の分布反射ミラー７、第１のクラッド層９、活性層１１、第２のクラッド層１３、第２の分布反射ミラー１５、及び第２の電極１７と、を備え、前記第１の電極５と前記第２の電極１７のうち、一方は、開口部Ａを有する出射側電極であり、他方は、コンタクト部１７ａを有する非出射側電極であり、前記活性層１１と前記出射側電極との間に、前記コンタクト部１７ａよりも小さい開口部２１ａを有する電流狭窄層２１を備えることを特徴とする面発光レーザ素子１。 （もっと読む）

【課題】温度変動による共振波長の変動を低減したレーザ素子を提供する。
【解決手段】基板と、内部光を共振させてレーザ光を出力する共振部と、基板の表面と垂直な方向に順次形成され、内部光の少なくとも一部を反射させることで内部光を共振させる下部反射層および上部反射層とを備え、共振部は、下部反射層および上部反射層の間に形成され、光を生成する活性層、活性層に正孔を注入するｐ型クラッド層、および、活性層に電子を注入するｎ型クラッド層を含む半導体層と、下部反射層および上部反射層の間に、共振方向において半導体層と直列に設けられ、半導体層とは熱光学係数の符号が異なる調整層とを有するレーザ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】閾値電流を低下することができる面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光レーザ素子は、第１半導体層１１及び第２半導体層１２を有する半導体部と、半導体部の第１半導体層側に設けられた第１反射器４１と、半導体部の第２半導体層側に設けられた第２反射器４２と、を有する。特に、第２半導体層１２と第２反射器４２との間に設けられ第２半導体層１２と接続された第２電極３２と、第２反射器４２の周囲に設けられ第２電極３２と接続された接続電極５０と、第２半導体層１２と前記接続電極５０との間に設けられ半導体部１０からの光を反射可能な電流狭窄部２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減する。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるｐ型半導体層中のＯ原子混入量を適切な範囲とする。
【解決手段】ｐ型結晶層を有する半導体基板であって、前記ｐ型結晶層が、３族原子としてアルミニウム原子を含む３−５族化合物半導体からなり、ｐ型不純物原子として炭素原子を含み、１×１０^１７ｃｍ^−３以上、１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度の水素原子を含み、かつ、２×１０^１７ｃｍ^−３以上、２×１０^２０ｃｍ^−３以下の濃度の酸素原子を含む半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】閾値が低く、光吸収が少なくて高効率な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】第１の電極１３４と、第２の電極１３１と、第１の反射鏡１０２と、第２の反射鏡１４０と、共振器１１０とを備え、共振器１１０は、活性層１０５と、電流が流れる第１の領域１０７ｂと、電流の流れを制限する第２の領域１０７ａとを有する電流経路制限層１０７と、第１の半導体層１１１、１１２とを備え、第１の半導体層１１１、１１２は、第２の半導体層１２１と、第３の半導体層１２２とを備え、第２の半導体層１２１は第３の半導体層１２２よりも第２の電極１３１に近く設けられ、第２の半導体層１２１と第３の半導体層１２２は第１の半導体層１１１、１１２よりもドーピング濃度が高く、第２の半導体層１２２の導電率と膜厚の積が第３の半導体層１２１の導電率と膜厚の積よりも高い。 （もっと読む）

【課題】安定したレーザ発振をすることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板１００と、高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成されたｎ型のＡｌＧａＡｓからなる共振器延長領域１０４と、共振器延長領域１０４上に形成された活性領域１０６と、活性領域１０６上に形成された高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有し、上部ＤＢＲ１０８の高屈折率層と低屈折率層の屈折率差は、下部ＤＢＲ１０２の高屈折率層と低屈折率層の屈折率差よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】簡素な製造工程により、光検出精度を高めることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】活性層２２および半導体光検出素子１の間に、電流狭窄のための第１酸化層４１とは別に、一層以上の第２酸化層４２を設ける。自然放出光は発散成分が多いので、第２酸化層４２によって反射散乱されて、半導体光検出素子１側への伝播が抑えられる。半導体光検出素子１による自然放出光の検出レベルが低減され、光検出精度が高まる。第１酸化層４１と第２酸化層４２とを一回の酸化工程で形成することが可能となり、製造工程の簡素化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】隣り合う面発光レーザとのクロストークを抑制することが可能となる二次元フォトニック結晶を備えた面発光レーザアレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】活性層と二次元フォトニック結晶を備え、該二次元フォトニック結晶の面内方向に共振モードを有し、該二次元フォトニック結晶の面に対して垂直方向に光を取り出す面発光レーザが、アレイ状に配列された面発光レーザアレイであって、
前記面発光レーザはメサ状の傾斜した側壁面を有し、
前記二次元フォトニック結晶を含む導波路に入射光が結合する前記メサ状の傾斜した側壁面に対する最大受光角度をθｍａｘ°としたとき、
前記二次元フォトニック結晶の面と前記メサ状の傾斜した側壁面とのなす角度が、（９０＋θｍａｘ）°超、または（９０−θｍａｘ）°未満とされている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の偏光方向を一方向に安定化することが可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０側から順に、下部ＤＢＲミラー層１１、下部スペーサ層１５Ａ、発光領域１６Ａを有する活性層１６、上部スペーサ層１５Ｂ、電流狭窄層１７、上部ＤＢＲミラー層１８およびコンタクト層１９を有する積層構造２０を備える。積層構造２０は柱状のメサ部２１を有する。下部ＤＢＲミラー層１１内の下部第２ＤＢＲミラー層１３は、発光領域１６Ａと対応する領域の周辺に酸化部３０を有する。酸化部３０は、発光領域１６Ａを中心にして回転する方向に不均一に分布する一対の酸化部３１，３２からなる。酸化部３１，３２は、低屈折率層１３Ａの中の相対的に酸化されやすい複数の屈折率層を酸化することにより複数の酸化層３１Ａ，３２Ａとして形成されている。酸化層３１Ａ，３２Ａの不均一な分布に対応した異方的な応力が活性層１６に発生する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低く抑えつつ、寄生容量を小さくすることの可能な面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属層１１上に柱状のメサ部１７が設けられている。メサ部１７の上面には、環状の上部電極２１が設けられており、メサ部１７の側面（周囲）には、少なくとも下部ＤＢＲ層１２にまで達する複数の溝１９が設けられている。複数の溝１９は、メサ部１７を中心にして回転する方向に所定の間隙で形成されている。メサ部１７のうち活性層１４および電流狭窄層１８を含む柱状部分１７Ａは、下部ＤＢＲ層１２との対向領域内および上部ＤＢＲ層１６との対向領域内に形成されており、柱状部分１７Ａが、上部ＤＢＲ層１６の断面積よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子と半導体光検出素子との間で電気的なクロストークが生じるのを抑制することの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子４０と、半導体光検出素子１０との間に、絶縁層２０および金属層３０が挿入されている。絶縁層２０は、半導体光検出素子１０のｐ型コンタクト層１３上に形成されたＡｌＡｓ層に含まれる高濃度のＡｌを酸化することにより形成されたものであり、金属層３０によって半導体レーザ素子４０に貼り合わされている。 （もっと読む）

【課題】１．３μｍよりも長波長側の波長帯で発光する光半導体素子及び集積素子を実現する。
【解決手段】光半導体素子を、ＩｎＡｓ量子ドット５と、ＩｎＡｓ量子ドット５の上下に接する一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６と、一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６のＩｎＡｓ量子ドット５に接する側の反対側に接し、ＩｎＧａＡｓバリア層４，６よりも直接遷移バンドギャップが狭いＳｉＧｅ層３，７とを備えるものとし、ＳｉＧｅ層３，７が接するＩｎＧａＡｓバリア層４，６の厚さを、ＩｎＡｓ量子ドット５と一対のＩｎＧａＡｓバリア層４，６とによって決まる量子準位のバンドギャップよりも量子準位のバンドギャップが狭くなるように設定する。 （もっと読む）

【課題】高歩留まり性及び高信頼性を有し、高速変調動作が可能な面発光レーザを提供すること。
【解決手段】本発明に係る面発光レーザは、基板と、前記基板上に形成された第１の多層膜ブラッグ反射鏡と、前記第１の多層膜ブラッグ反射鏡上に形成され、ｐ型の導電性を有する酸化電流狭窄層と、前記酸化電流狭窄部上に形成され、少なくとも一部にｐ型の導電性を有する第１の半導体スペーサ層と、前記第１の半導体スペーサ層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成され、少なくとも一部にｎ型の導電型を有する第２の半導体スペーサ層と、前記第２の半導体スペーサ表面に形成された段差構造と、前記第２の半導体スペーサ上に形成され、屈折率差が１以上の低屈折率層と高屈折率層とから構成される第２の多層膜ブラッグ反射鏡と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】高次横モードの発振を抑えつつ、基本横モードを高出力で射出することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０側、すなわち光射出側とは反対側に横モード調整層２０が設けられている。この横モード調整層２０では、発光領域１３Ａの中央領域との対向領域の、発振波長λにおける反射率が、発光領域１３Ａの外縁領域との対向領域の、発振波長λにおける反射率よりも高くなっている。これにより、基本横モードの光出力が横モード調整層２０によって妨げられる虞がなく、基本横モードのスロープ効率を高く維持することができる。 （もっと読む）

【課題】閾値が大幅に上昇したり、製造プロセスが難しくなったりすることなく、台座部の位置ずれや剥離による歩留りの低下を低減することの可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】下部ＤＢＲ層１１の上面にメサ部１８の裾野が広がっており、その裾野は複数の層の端面が露出した非平坦面１１Ｃとなっている。非平坦面１１Ｃはメサ部１８を形成する際のエッチングむらによって生じるものであり、下部ＤＢＲ層１１に含まれる低屈折率層１１Ａおよび高屈折率層１１Ｂの端面が交互に露出した階段状になっている。下部ＤＢＲ層１１に含まれる複数の低屈折率層１１Ａのうち非平坦面１１Ｃ内に露出する層の少なくとも一層が酸化抑制層３０となっている。 （もっと読む）

本発明は、例えば電流閉じ込め層として機能する、Ｉｎ含有量量がゼロではないＡｌＩｎＮ層（７）を有するIII−窒化物複合デバイスに関する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その内部に規定される少なくとも１つの開口部を有する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その下にあるＧａＮ層などに対する格子不整合が少ないように成長され、その結果、デバイス内の付加的な結晶ひずみを抑制する。最適化された成長条件を用いて、ＡｌＩｎＮの抵抗率を１０^２Ω．ｃｍよりも高くする。その結果、より小さな抵抗率を有する層を、多層半導体デバイス内の電流ブロック層として用いるときに生じる電流の流れが、抑制される。結果として、ＡｌＩｎＮ層が開口部を有し、レーザーダイオードデバイス内に配置されると、デバイスの抵抗率は相対的に低くなり、デバイスの性能が向上する。
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【課題】実効ＤＢＲ長が短く素子特性に優れた面発光レーザを提供する。
【解決手段】活性層を含む半導体層が分布型ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ）で挟まれた共振構造を有し、少なくとも片方のＤＢＲが、屈折率の異なる低屈折率層と高屈折率層が交互に積層された積層構造を有し、これらの低屈折率層間で他の低屈折率層と異なる屈折率を有する低屈折率層を有し、そのうち最も屈折率の低い層が誘電体からなり、この誘電体からなる低屈折率層より活性層から遠い側に、その誘電体より屈折率が高い低屈折率層を有する面発光レーザ。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄層（第２の層）上に形成される再成長層（第３の層）の結晶性が良好であるとともに、良好な電流阻止特性を有する電流狭窄構造を有し、これにより素子特性および信頼性が改善された窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の層（１０８）と、該第１の層（１０８）上に形成された開口部を有する第２の層（１０９）と、該開口部内および該第２の層（１０９）上に形成された第３の層（１１０）とから構成される積層構造を基板（１０１）上に備え、上記第２の層（１０９）は、上記基板（１０１）主面の法線ベクトルに配向した多結晶Ａｌ_xＧａ_1-x-yＩｎ_yＮ（０≦ｘ、ｙ、ｘ＋ｙ≦１）からなる窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法。 （もっと読む）