【課題】第２ミラー層の電気抵抗の低減と反射率の向上とを両立する。
【解決手段】半導体発光素子は、ｎ型の下部ＤＢＲ層と、電流の供給によって光を発する共振部と、ｐ型の上部ＤＢＲ層とが半導体基板上に順に積層された半導体発光素子であって、上部ＤＢＲ層には、第１屈折率を有する第１半導体層１４１と、第１屈折率よりも大きい第２屈折率を有する第２半導体層１４２とが、中間層１４３を介在して積層方向に交互に配置され、中間層１４３および第１半導体層１４１はＡｌを含み、中間層１４３のＡｌ組成比は、第２半導体層１４２側の面から第１半導体層１４１側の面に向かって増加し、第１半導体層１４１のＡｌ組成比は、一方の中間層１４３Ｂ側の面および中間層１４３Ａ側の面から厚み方向の中心に向かって増加する。 （もっと読む）

【課題】高出力の単一横モード発振のため長共振器化した際においても、縦モードホッピングの発生を抑制することができ、より安定した単一縦モード発振が可能となる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上の、第１および第２のミラーとで共振器が構成され、第１と第２のミラーとの間に設けられた第１の活性層と、第１の活性層と第１のミラーとの間に設けられた第２の活性層と、を有する発振波長λの垂直共振器型面発光レーザであって、第１の活性層は、実効的な共振器長Ｌを構成する実効共振器の端から３Ｌ／８〜５Ｌ／８となる第１の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置され、第２の活性層は、実効共振器の端から３Ｌ／８Ｍ〜５Ｌ／８Ｍ（Ｍは２以上の整数）となる第２の領域内であって、かつ、発振波長λに対応した縦モードの定在波の腹に配置されている。 （もっと読む）

【課題】単一基本横モードの出力を容易に向上可能な面発光レーザ素子を提供する。
【解決手段】 面発光レーザ素子は、活性層１０５、共振器スペーサー層１０４，１０６、反射層１０３，１０７、並びに酸化領域１０８ｂが電流狭窄層及び抑制層として機能する選択酸化層１０８を備える。共振器スペーサー層１０４，１０６は、活性層１０５の両側に設けられる。反射層１０３，１０７は、共振器スペーサー層１０４，１０６の両側に設けられ、活性層１０５において発振した発振光を反射する。電流狭窄層は、活性層１０５へ電流を注入するときの反射層１０３，１０７の領域を制限する。抑制層は、活性層１０５において発振した高次モード成分を抑制する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高い面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１００と、ｎ型のＡｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓから構成される下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された共振器１０４と、共振器１０４上に形成されたｐ型のＡｌ組成の異なるＡｌＧａＡｓから構成される上部ＤＢＲ１０８とを有する。共振器１０４は、下部スペーサ層１０６Ａ、活性層１０６Ｂおよび上部スペーサ層１０６Ｃからなる活性領域１０６と、共振器延長領域１０５とを含み、共振器延長領域１０５の光学的膜厚は、発振波長λよりも大きく、かつｎ型のＡｌＧａＡｓＰまたはＡｌＧａＩｎＰから構成される。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、十分な光出力を確保しつつ、電子写真装置の光源として好適な面発光レーザおよび該面発光レーザを用いた画像形成装置の提供を目的とする。
【解決手段】 上部ミラーの上部に第１の表面段差構造を有し、第１の領域における光路長と、第２の領域における光路長との差Ｌが、（１／４＋Ｎ）λ＜｜Ｌ｜＜（３／４＋Ｎ）λ（Ｎは整数）を満たす。 （もっと読む）

【課題】直列抵抗が小さく、高効率な面発光型半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザ素子は、基板１０１上に順次設けられた第１の反射鏡１０２、第１のスペーサ層１０４、活性層１０５、第２のスペーサ層１０６、及び第２の反射鏡１０８と、第１の電極１０９及び第２の電極１１０とを備えている。第１の反射鏡１０２及び第２の反射鏡１０８の少なくとも一方は、第１の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第１の透光性導電膜と、第１の屈折率よりも小さい第２の屈折率を有し、非窒化物半導体材料からなる第２の透光性導電膜とが交互に積層されてなる分布ブラッグ反射鏡である。 （もっと読む）

【課題】良好な発光特性および信頼性を有する面発光レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した多層膜反射鏡と、前記多層膜反射鏡上に成長したＡｌＧａＩｎＮ系材料からなる活性層と、を備え、前記多層膜反射鏡は、Ｚｎ_{１−ｘ１−ｙ１}Ｍｇ_ｘ１Ｂｅ_ｙ１Ｏ（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）からなる低屈折率層と前記低屈折率層よりも屈折率が高いＺｎＯからなる高屈折率層とが交互に積層した構造からなるとともに、ＺｎＯ結晶または前記活性層に対する歪み量が±３％以下である。 （もっと読む）

【課題】 出射される光のシングルモード化を図ることができる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 半導体発光素子１Ａでは、非プロトン注入領域１５を介してプロトン注入領域１４の内側に電流が注入される。そのため、活性層４及びＤＢＲ層３，５において電流狭窄領域６ａに対向する発光部１０に電流が積極的に注入される。これにより、発光部１０において基本モードの発生が促進される。更に、上部ＤＢＲ層５において電流狭窄領域６ａの中央部に対向する部分１０ａをプロトン注入領域１４が筒状に包囲している。しかも、プロトン注入領域１４の外側端部１４ｂの少なくとも一部は、軸線Ｌ上から非プロトン注入領域１５の内側端部１５ａを見た場合に、当該内側端部１５ａの少なくとも一部に重なっている。これらにより、発光部１０において高次モードの発生が抑制される。 （もっと読む）

【課題】良好な発光特性を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯからなる成長基板を用いて成長した、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層と、前記緩衝層上に形成され、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層と、を備える。また、ＺｎＯからなる成長基板上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面が窒素極性面を有する緩衝層を成長する緩衝層形成工程と、前記緩衝層上に、Ｉｎを含むＡｌＧａＩｎＮ系材料からなり、成長面がＩＩＩ族極性面を有する活性層を成長する活性層形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】安定したレーザ発振をすることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】面発光型半導体レーザは、基板１００と、高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、下部ＤＢＲ１０２上に形成された共振器領域１０４と、共振器領域１０４上に形成された活性領域１０６と、活性領域１０６上に形成された高屈折率層と低屈折率層の対を積層したｐ型の上部ＤＢＲ１０８とを有する。共振器領域１０４は、下部ＤＢＲ１０２上に形成された酸化物領域１０４Ａと、酸化物領域１０４Ａ上に形成され、活性領域１０６に隣接するｎ型の導電領域１０４Ｂとを有し、酸化物領域１０４Ａの屈折率は、導電領域１０４Ｂの屈折率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】互いに視認性の異なる複数種類の光を発生させることが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１Ａは、レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂを、互いに同一の基板１１０上に備えたものである。レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂの間には、イオン打ち込み層１０Ｃが設けられ、これによりレーザ素子部１０Ａへの電流狭窄がなされる。レーザ素子部１０ＡおよびＬＥＤ素子部１０Ｂにおいて、活性層１１３を含む半導体層と、ｐ側電極１１７およびｎ側電極１１８とが、互いに共通の層として連続的に設けられている。ＬＥＤ素子部１０Ｂでは、電流値に応じてリニアにＬＥＤ光が放出される。レーザ素子部１０Ａでは、電流値が比較的低い状態ではＬＥＤ光を放出される一方、電流値がある値を超えると、誘導放出によりレーザ光が放出される。 （もっと読む）

本発明はシリコンプラットフォーム(3)上の光回路に対して光源(2)を提供する。垂直レーザーキャビティが、上部ミラー(4)と基板上のシリコン層内の格子領域(11)内に形成された底部格子ミラー(12)との間に配置された利得領域(101)によって形成される。格子領域(11)から光を受けるための導波路(18, 19)が格子領域内に形成されるか、または格子領域に接続され、垂直キャビティレーザー(VCL)に対する出力カップラとして機能する。これによって、垂直レーザー発振モード(16)が、シリコン層内に形成された面内導波路の横方向面内モード(17, 20)に結合され、例えばシリコンのSOIまたはCMOS基板上の光回路に光を供給することができる。

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【課題】面発光レーザの信頼性及び電流注入効率を向上する。
【解決手段】面発光レーザは、半導体基板１０１上に順次に積層された、下部ＤＢＲミラー１０３、ｎ型の下部半導体層、活性層１０５、ｐ型の上部半導体積層、及び、上部ＤＢＲミラー１０９を含む積層構造を有する。上部半導体積層は、１×１０¹⁹cm^-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−Ｖ族半導体からなる炭素ドープ層１１５を活性層１０５の近傍に有する。炭素ドープ層１１５は、ドーパント濃度が隣接するｐ型スペーサ層１０６，１１６のドーパント濃度よりも大きく、水素を内部に含む電流狭窄部と、水素を内部に含まない電流注入部とを有する。積層方向において電流狭窄部に隣接する領域の水素濃度が、電流狭窄部の水素濃度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】電流狭窄領域内に実質的に均一に電流を注入することを可能にする。
【解決手段】基板１と、半導体活性層４と、半導体活性層４に対して基板と反対側に設けられた第１半導体多層膜反射鏡層６および半導体活性層４に対して基板側に設けられた第２半導体多層膜反射鏡層２と、電流狭窄領域９と、半導体活性層は反対側の第１半導体多層膜反射鏡層上に、電流狭窄領域を覆うように設けられた半導体電流拡散層７と、反対側の半導体電流拡散層上に電流狭窄領域を取り囲むように設けられた第１電極１１および基板の半導体活性層と反対側に設けられた第２電極１３を有し、半導体電流拡散層は、第１および第２半導体電流拡散膜が積層された構造を有し、半導体活性層により近い半導体電流拡散膜７１は、電流狭窄領域の中心から遠い周辺部分が電流狭窄領域の中心に近い中央部分に比べて抵抗が高く、かつ活性層から遠い半導体電流拡散膜７２と比べて抵抗を高くする。 （もっと読む）

【課題】レーザ光の発振モード数を削減することができ、かつ、単純に電流狭窄層の径を小さくする場合よりも高出力化の可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明に係る面発光型半導体レーザ１００は，下部ミラー１０と、下部ミラーの上方に形成された活性層１０３と、活性層の上方に形成された上部ミラー２０と、を含み、下部ミラーおよび上部ミラーは、複数の単位多層膜を積層した多層膜ミラーであり、単位多層膜は、上下方向に積層された１組の低屈折率層と高屈折率層を有し、単位多層膜は、下記式（１）を満たし、活性層は、下記式（２）を満たす。
ｄ_Ｄ ＜ λ／２ｎ_Ｄ・・・（１）
ｄ_Ａ ＞ ｍλ／２ｎ_Ａ・・・（２）
但し、λは、面発光型半導体レーザの設計波長であり、ｍは、正の整数であり、ｄ_Ｄは、単位多層膜の厚さであり、ｎ_Ｄは、単位多層膜の平均屈折率であり、ｄ_Ａは、活性層の厚さであり、ｎ_Ａは，活性層の平均屈折率である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フォワードバイアスが印加されると光ゲインを発生する活性要素を有する活性セクション１０６と、吸収セクション２０６と、前記活性セクションおよび前記吸収セクションを含むウエイブガイド１０３と、光に対する帰還を供給するミラー１１６、１１７を備え、前記ウェイブガイドは、前記ミラーの間に配置され、また、装置は、パルスレーザ光を放射するパルス体制において動作可能であるデータ伝送光電子装置３００に関する。
【解決手段】本発明は、追加の変調器３０６と、電子光効果により変調可能である屈折率と、前記変調器の屈折率の変調を提供するための手段２１３を有している、追加の変調器の屈折率は、出力パルスレーザ光の繰り返し周波数が変化するように変えられ、また、前記ウェイブガイド１０３は、更に、前記追加の変調器３０６を含む。 （もっと読む）

【課題】素子抵抗を低減させ、光出力を向上させることができる面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、基板１２と、ｎ型の下部ＤＢＲ１４と、活性領域１６と、ｐ型の上部ＤＢＲ１８とを含む。下部ＤＢＲ１４はさらに、光閉じ込めとして機能する酸化層４０と、酸化層４０と活性領域１６との間に高い不純物濃度の電流経路層６０とを有する。上部ＤＢＲ１８は、電流狭窄として機能する酸化層５０を有している。下部電極２２から注入されたキャリアは、酸化領域４２によって囲まれた非酸化領域４６による電流経路Ｋ１に加えて、酸化領域４２を回り込むような電流経路Ｋ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高信頼性と高電流注入効率とを同時に実現する面発光レーザ素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、ｐ型半導体層領域とｎ型半導体層領域とに挟まれるとともに、上部ミラーと下部ミラーとの間に配置された活性層を有する面発光レーザ素子であって、前記ｐ型半導体層領域内に配置され、砒素およびリンの少なくとも一方と５％以下の組成比の窒素とを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、ｐ型の電流注入部と、該電流注入部および前記ｐ型半導体層領域よりも高濃度の水素を含む電流狭窄部とを有する電流狭窄層を備える。 （もっと読む）

【課題】隣りあう個々の面発光レーザ間における活性層のつながりを断つことなく活性層を共有化することができ、容易に高密度アレイ化を図ることが可能となるフォトニック結晶による面発光レーザアレイを提供する。
【解決手段】基板上に、２以上の面発光レーザが形成された面発光レーザアレイであって、
前記面発光レーザは、半導体多層膜ミラーと、活性層と、面内方向に屈折率分布を有するフォトニック結晶、とを含む複数の半導体層による積層構造を備え、
前記積層構造を構成する前記フォトニック結晶と前記半導体多層膜ミラーとによって、共振モードを導波する導波路が形成され、
前記面発光レーザアレイにおける隣りあう面発光レーザ間に、前記フォトニック結晶が設けられていない領域を有し、
前記面発光レーザ間で、前記半導体多層膜ミラーおよび前記活性層が共有されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】基本モードで安定した単一横モード発振が容易な面発光レーザを提供する。
【解決手段】面発光半導体レーザ１００は、発振波長がλであり、活性層１３の近傍にイオン注入型の電流狭窄層１４を有する。上部ブラッグ反射鏡１５には、円孔（空孔）が存在しない点欠陥を中央部に有する２次元円孔配列２０が形成される。電流狭窄層１４の電流開口の幅が、点欠陥に最も近接する円孔中心を結ぶ円の直径（Ｄ）以下であり、円の直径Ｄが１０．６λ以下である。 （もっと読む）