【課題】従来のＧＭＲＦよりも小さな面積で入射光と結合可能であり、高屈折率の材料を必要とせず、所望波長の光とそれ以外の波長の光とを別個に取り出す波長選択フィルタを提供する。
【解決手段】波長選択フィルタは、導波コア２と、導波コア２上に設けられたＤＢＲ１１、位相調整区間ｐ１、ＧＣ１０、位相調整区間ｐ２、及びＤＢＲ１２とを備える。所望波長の光及び所望波長以外の波長の光を含む入射光がＧＣ１０に入射したとき、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第１の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射した所望波長の光を反射し、導波コア２を伝搬する導波光をＧＣ１０により回折して導波コア２の第２の面から放射させることにより、ＧＣ１０に入射して導波コア２を透過した所望波長の光を相殺する。所望波長以外の波長の光は導波コア２を透過する。 （もっと読む）

【課題】高出力なレーザー光源装置を提供する。
【解決手段】本発明のレーザー光源装置は、基板１１０と、基板１１０の基板面１１０ａに配置された一対の発光部と、一対の発光部の一方の発光部から射出された光を反射させる第１反射部と、第１反射部で反射した光を一対の発光部の他方の発光部に向けて反射させる第２反射部と、を備える。一対の発光部と第１反射部と第２反射部とを含んで共振器が構成される。第１反射部及び第２反射部の少なくとも一方の反射部は、光反射部材１４３と、基板面１１０ａに沿って接合された接合部１４１と、接合部１４１に接続され基板面１１０ａに平行な任意の１つの軸回りに光反射部材１４３を回動可能に保持する保持部１４２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は波長の異なる複数種のレーザ光を生成できる多波長レーザ素子及びその製造方法に関し、消費電力の低減を図ることを課題とする。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に下部ミラー層１８〜２１を積層してなる第１のミラー部１２と、活性層２２を有し第１のミラー部１２上に積層された活性層部１３と、この活性層部１３上に上部ミラー層２５〜２８を積層してなる第２のミラー部１４と、活性層部１３に給電を行うための一対の電極１５，１６とを有する。また、活性層部１３と第２のミラー部１４との境界部分に第１の電極１６を形成し、第１のミラー部１２と活性層部１３との境界部分に第２の電極１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 単一縦モードかつ単一横モードで発振させるために好適な面発光レーザを提供する。
【解決手段】 第１のミラー１１０と、第２のミラー１２０と、該第１のミラー１１０と該２のミラー１２０との間に形成されている活性層１６０とを有する。また、第１のミラー１１０と活性層１６０との間には第３のミラー１３０が設けられている。第１のミラー１１０と第２のミラー１２０とにより第１の共振器が構成され、かつ、第１のミラー１１０と第３のミラー１３０とにより第２の共振器が構成されている。 （もっと読む）

【課題】高効率な波長変換を行うことのできる光モジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係る光モジュール１００は，垂直外部共振器面発光レーザ１５０と、分極反転型の波長変換素子１２０と、を含み、垂直外部共振器面発光レーザは、発光部１１０と、発光部の上方に、波長変換素子を介して設けられた外部ミラー１６０と、を有し、発光部は、下部ミラーと、下部ミラーの上方に形成された活性層と、活性層の上方に形成された上部ミラーと、を備え、発光部から出射される光Ｌ１は、直線偏光であり、波長変換素子の分極反転方向Ｐ２は，発光部から出射される光の電界ベクトルの振動方向Ｐ１と同じである。 （もっと読む）

本発明は、各々が、第1の端部ミラー2及び活性媒体3を形成している層構造1を有する、少なくとも2個の半導体利得素子20、21のアレイをもつ、拡張キャビティ半導体レーザデバイスに関する。デバイス内部にあるカップリング部品22は、半導体利得素子20、21の前記アレイによって発される基本波のレーザ照射光を、単一の複合レーザ光線25へと組み合わせる。第2の端部ミラー23は、第1の端部ミラー2を有する、拡張キャビティを形成するために、前記単一の複合レーザ光線23の少なくとも一部を前記カップリング部品22へと反射する。複数の拡張キャビティ半導体レーザのこのコヒーレントな結合によって、基本波の照射光をもつ単一光線が、増大した光強度、良好な光線プロフィール、及び狭いスペクトル帯域幅と共に生成される。増大した光強度をもつこの光線は、拡張キャビティ半導体レーザ部品のアレイの個々の光線よりも、アップコンバージョンを介した、又は第二高調波発生を介した周波数変換に非常によく適している。周波数変換の効率が、これ故非常に強化される。
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本発明は自己混合干渉計用のレーザーセンサに関する。当該レーザーセンサは、レーザー放射線を放出する少なくとも1つの半導体レーザー光源及び該レーザー光源のレーザー放射線を観測する少なくとも1つの光検出器(6)を有する。前記レーザー光源は、第1端部ミラー(4)の前面上の層構造(15)内に設けられた利得媒体(3)を有するVECSELである。前記第1端部ミラー(4)は外部の第2端部ミラー(5)を備えた外部共振器を形成する。提案された当該レーザーセンサは、検出範囲を広げ、かつ低コスト製造プロセスでの製造が可能である。
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【課題】レーザ光を効率よく出力することができ、且つ、体格の小型化が可能なレーザ装置を提供する。
【解決手段】励起光を出力する励起光生成部と、励起光を受けて、励起光とは異なる波長の光を出力する固体レーザ媒質層を有する波長変換部と、を備えるレーザ装置であって、励起光生成部は、半導体基板上に形成され、第１の反射鏡間に活性層を含む半導体層が配置された面発光レーザ素子と、面発光レーザ素子との間に固体レーザ媒質層が介在され、励起光の波長で高反射となる第２の反射鏡とを有し、励起光の波長λ_０における固体レーザ媒質層の吸収波長域が、面発光レーザ素子の共振波長域よりも広くなるように、第１の反射鏡の反射率Ｒ１，Ｒ２が設定されている。 （もっと読む）

【課題】スペックル低減レーザーを提供する。
【解決手段】活性層で発振される光を共振させてレーザー光を放出する半導体レーザーであって、レーザー光の共振経路上に置かれる電気光学物質層を備えるモード変動部１５０を備え、電気光学物質層に電圧が印加されるにつれてレーザー光の共振モードが変動されることを特徴とするスペックル低減レーザー。これにより、レーザーの共振モードが変動する構造によって、スペックルを効果的に減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】波長変換素子を備える外部共振型レーザ光源装置において、波長変換後の光を効率的に利用することが可能な技術を提供する。
【解決手段】外部共振型レーザ光源装置は、共振用の第１，第２のミラーと、レーザ媒質と、レーザ媒質と第２のミラーとの間に配置され、基本波光について波長変換を行って、第１の変換光と無変換光とを射出する波長変換素子と、レーザ媒質と波長変換素子との間に配置され、無変換光が第２のミラーで反射して再び波長変換素子に入射して波長変換された第２の変換光を、所定の方向に反射させる第３のミラーと、を有するレーザ光射出セットを複数備え、複数のレーザ光射出セットは、第１の変換光が同じ方向に射出されると共に反射変換光が互いに近づくように配置され、外部共振型レーザ光源装置は、さらに、各レーザ光射出セットから射出された反射変換光を、第１の変換光の射出方向と同じ方向に偏向して射出する偏向部を備える。 （もっと読む）

【課題】外部共振型レーザ光源装置において低コヒーレンスの光を安定的に射出することが可能な技術を提供する。
【解決手段】外部共振型レーザ光源装置は、共振用の第１のミラーと、外部共振の対象となる基本波光を共振させて得られるレーザ光の一部を透過すると共に、残りの光を第１のミラーに向けて反射する共振用の第２のミラーと、第１のミラーと前記第２のミラーとの間に配置されたレーザ媒質と、第１のミラーと第２のミラーとの間に配置され、それぞれ異なる光路を通る複数の基本波光を入射して、各基本波光に含まれる所定の波長の光を選択的に透過する波長選択素子と、を備え、前記波長選択素子は、前記基本波光の入射位置によって、選択する光の波長が異なる。 （もっと読む）

【課題】光検出精度を向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体光検出器１０はｎ型傾斜基板１１上に、バッファ層１２、ｎ型ＤＢＲ層１３、光検出層１４およびｐ型コンタクト層１５をこの順に積層して構成されており、この上に配置された面発光型半導体レーザ２０と共に一体に形成されている。光検出層１４は活性層２４のバンドギャップよりも大きく活性層２４のバンドギャップの２倍以下のバンドギャップを有する半導体により構成されている。これにより、面発光型半導体レーザ２０内で発生したレーザ光のうち基本波光は光検出層１４で吸収されず光検出層１４を透過するが、基本波光の強度のほぼ二乗に比例した強度のＳＨＧ光が光検出層１４で吸収され光電流に変換される。 （もっと読む）

【課題】ある波長のレーザ光を出力するＬＤを用いて、他の波長の光を取り出すことが可能となる発光装置を提供する。
【解決手段】誘導放出により生じる光をレーザ光として出力するＬＤと、希土類イオンを含む発光体と、を備えた発光装置であって、前記発光体は、前記ＬＤから出力された光を受け、該光を前記希土類イオンに吸収させることで放出される光を、外部へ出力する発光装置とする。 （もっと読む）

【課題】 より高い出力レベルで１以上の所望する空間モードを造りだすことができ、かつ従来のＶＣＳＥＬやＶＥＣＳＥＬが実行できる効率より大きなデバイス効率をもつ面発光連結キャビティ半導体のレーザデバイスを提供する。
【解決手段】 １００％反射底部ブラッグミラーと部分的に反射する中間ブラッグミラーとの間に挟まれた活性増幅領域が基板の底面に形成され、これによって面発光連結キャビティ高出力レーザデバイスの第１（活性）共振キャビティが形成され、中間ミラーの反射率は、活性増幅領域内でのレーザ振動が起こらない程度に低くし、基板は、完全に第１活性共振キャビティの外側に位置し、中間ミラーと部分的に反射する出力ミラーとで規定された、増幅領域で循環する光の強度の分画のみを行う第２（受動）共振キャビティー内に配置される。 （もっと読む）

【課題】外部共振器、半導体基体ならびにブラッグ反射器を有する垂直放射形光ポンピンポンピング効率を改善すること。
【解決手段】外部共振器（７）と半導体基体（１）とを有する垂直放射形半導体レーザであって、前記の半導体基体は、複数の量子層（３）および当該量子層の間にあるバリア層（４）を含む量子層構造（２）をアクティブゾーンとして有しており、また該半導体基体は、量子層構造（２）の一方の面にブラッグ反射器（５）を有しており、ポンピングビーム（１０）を量子層構造（２）に入射するポンピングビーム源（９）が設けられている形式の垂直放射形半導体レーザにおいて、前記のブラッグ反射器（５）は複数の層を含んでおり、ここで該層を互いに非周期的に配置して、ポンピングビーム（１０）の吸収が実質的に量子層構造（２）内で行われるようにしたことを特徴とする垂直放射形半導体レーザを構成する。 （もっと読む）

【課題】ポンプビームを再活用することによって、活性層によるポンプビームの吸収を向上させた前方光ポンピング方式の外部共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】所定の波長を有する信号光を放出する活性層３４と、活性層３４の上面と離隔されて対向するものであって、活性層３４で発生した信号光の一部は透過させて外部に出力し、一部は、活性層３４で反射する外部ミラー３７と、活性層３４を励起させるためのポンプビームを活性層３４の上面に向って放出するポンプレーザ３５と、活性層３４の下面と接するものであって、活性層３４で発生した信号光と活性層３４で吸収されずに透過されたポンプビーム３５とを何れも反射できる多重帯域反射器３３と、を備えることを特徴とする外部共振器型面発光レーザである。 （もっと読む）

【課題】ポンプビーム反射層を利用してポンプビームを再活用することによって活性層によるポンプビームの吸収を増大させた後方光ポンピング方式の外部共振器型面発光レーザを提供する。
【解決手段】所定の波長を有する信号光を放出する活性層３３と、活性層３３の上面と離隔されて対向し、活性層３３で発生した信号光の一部は透過させて外部に出力し、一部は活性層に反射する外部ミラー３６と、活性層３３の下面と接し、活性層３３で発生した信号光を外部ミラー３６に反射する第１反射層３２と、活性層３３を励起させるためのポンプビームを活性層３３の下面に向けて放出するポンプレーザ３５と、活性層３３の上面と接し、活性層３３を透過したポンプビームが活性層３３で再吸収されるように対反射する第２反射層３４と、を備えることを特徴とする外部共振器型面発光レーザである。 （もっと読む）

【課題】 高い光出力が得られるとともに、広い変調帯域を有し高速変調が可能な面発光レーザを提供する。
【解決手段】 正及び負のキャリアを注入する各々１つ以上の電極を有する面発光レーザ本体と、フォトニック結晶レーザとを備え、前記面発光レーザ本体は、前記電極から注入されたキャリアと前記フォトニック結晶レーザからのポンピング光とにより励起されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体光集積回路における信号光の損失を補償し、微弱な信号光の送受信が可能としてより大規模が回路が実現できるようにする。
【解決手段】ポンプ光ガイド層１０２と基板１０１とポンプ光ガイド層１０２との界面に形成された回折格子１０３と、ポンプ光ガイド層１０２の上に形成された反射層１０４と、反射層１０４の上に形成された信号光導波層１０５と、基板１０１の上に形成されたポンプレーザ（光源）１０６と、信号光導波層１０５の上に形成された発光素子１０７，光検出素子１０８とを備える。光導波路が構成される信号光導波層１０５に対し、ポンプレーザ１０６より出射されたポンプ光が供給され、伝播する信号光がラマン散乱により増幅される。 （もっと読む）

【課題】 活性層のキャリア密度変動を抑制し、従来よりも高速変調可能な垂直共振器型面発光半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】 活性層１０４は第１の共振器内において中央に位置するように形成されている。また、光吸収層１０７は、ｎ型Ａｌ_０．２Ｇａ_０．８Ａｓ第１共振器上部スペーサ層１０５の上端とｐ型Ａｌ_０．２Ｇａ_０．８Ａｓ第２共振器スペーサ層１０９の下端から等しい距離に位置するように形成されている。 （もっと読む）