【課題】本発明は、高出力用途に好適なレーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るレーザ素子は、基板と、該基板の上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上部クラッド層と、該活性層の上方の層に１００μｍ×１００μｍ以上の大きさで形成された、該活性層で発生した光を該上部クラッド層の上方に回折する２次の回折格子と、該下部クラッド層、該活性層、及び該上部クラッド層を有する共振器の第１端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第１反射膜と、該共振器の該第１端面と反対側の端面である第２端面に形成された、該活性層で発生した光を反射する第２反射膜と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスなどに起因して初期又は動作中に半導体に生じる歪や欠陥を抑制し、発振特性などの特性の向上や安定化を実現することができる導波路及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導波路１０７は、導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層１０３と第二の導体層１０４と、２つの導体層に接し且つ２つの導体層の間に配置され半導体部１０１を含むコア層１０２を有する。少なくとも第一の導体層１０３は、面内方向に広がった特定の凹凸構造１０９、１１０を有する。 （もっと読む）

【課題】長波長のレーザ発振においてしきい値電流を低減できるクラッド構造を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｎ型クラッド層２１、活性層２５及びｐ型クラッド層２３は主面１７ａの法線軸ＮＸの方向に配置される。この主面１７ａは、六方晶系窒化物半導体のｃ軸の方向に延在する基準軸Ｃｘに直交する面を基準に６３度以上８０度未満の範囲の角度ＡＬＰＨＡで六方晶系窒化物半導体のｍ軸の方向に傾斜している。活性層２５はｎ型クラッド層２１とｐ型クラッド層２３との間に設けられる。
活性層２５は波長４８０ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲にピーク波長を有する光を発生するように設けられる。ｎ型クラッド層２１及びｐ型クラッド層２３の屈折率はＧａＮの屈折率よりも小さい。ｎ型クラッド層２１の厚さＤｎは２μｍ以上であり、ｐ型クラッド層２３の厚さＤｐは５００ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】安価で高性能の半導体発光素子、ウェーハ及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、活性層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、窒化物半導体を含み第１導電形である。活性層は、第１半導体層の上面の少なくとも一部を覆う第１部分と、第１半導体層の側面の少なくとも一部を覆う第２部分と、を有する。第２半導体層は、第１部分の上面の少なくとも一部を覆う第３部分と、第２部分の側面の少なくとも一部を覆う第４部分と、を有し、窒化物半導体を含み第２導電形である。第１部分の、第１半導体層の上面から活性層の上面に向かう積層方向に沿う厚さは、第２部分の、第１半導体層の側面から第２部分の側面に向かう第１方向に沿う厚さよりも厚い。第３部分の積層方向に沿う厚さは、第４部分の第１方向に沿う厚さよりも厚い。 （もっと読む）

【課題】特性を向上することのできる半導体発光素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ３０は、基板１と、基板１の上面１ａ上に形成されたＡｌＧａＮ層２と、ＡｌＧａＮ層２上に形成されたＩｎＧａＮよりなる量子井戸発光層４とを備えている。ＡｌＧａＮ層２は第１ＡｌＧａＮ層２ａと、第１ＡｌＧａＮ層２ａ上に形成された第２ＡｌＧａＮ層２ｂとを有しており、第１ＡｌＧａＮ層２ａのＡｌ濃度は第２ＡｌＧａＮ層２ｂのＡｌ濃度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】導波路内の光強度分布をより均一にすることにより、光出力を増大することができるようにする。
【解決手段】半導体発光素子１は、組成が異なる複数の半導体層を積層してなり、内部に光共振器を含む半導体積層体１００を備えている。光共振器は、光を出射する前方端面５０と、該前方端面５０よりも光の出射量が少ない後方端面６０とを有するストライプ状の導波路１１７からなり、光共振器は、光の導波方向に対して垂直な方向の光強度分布を均一化する屈折率変調構造であり、低屈折率層を含む溝部１０６ａを有している。 （もっと読む）

【課題】活性層と半導体基板との間に回折格子が設けられるＤＦＢレーザ素子において、発振波長と利得ピーク波長との差を小さくする。
【解決手段】本方法は、半導体基板上に回折格子を含む半導体層を形成する回折格子形成工程Ｓ１１と、半導体層上に活性層を形成する活性層形成工程Ｓ１２と、活性層の利得ピーク波長を測定する測定工程Ｓ１３と、少なくとも活性層を所定方向に延びるメサ形状に成形することにより光導波路を形成するメサ形成工程Ｓ１５とを含む。メサ形成工程Ｓ１５において、所定方向と交差する方向における活性層の幅及び回折格子の周期に依存する、当該分布帰還型半導体レーザ素子の発振波長と、測定工程において得られる活性層の利得ピーク波長との差が所定の範囲内となるように、活性層の幅を決定する。 （もっと読む）

オプトエレクトロニクス半導体チップは、基板と、基板の上にエピタキシャル成長した半導体積層体と、を備えている。半導体積層体は、窒化物化合物半導体材料をベースとしており、電磁放射を生成する少なくとも１つの活性ゾーンと、活性ゾーンに間接的または直接的に隣接しており、これにより導波路が形成されている、少なくとも１層の導波路層と、を含んでいる。さらに、半導体積層体は、活性ゾーンのｐ型ドープ側において導波路層に隣接しているｐ型クラッド層、もしくは、活性ゾーンのｎ型ドープ側におけるｎ型クラッド層、またはその両方を備えている。導波路層は、クラッド層に間接的または直接的に隣接している。導波路を通るモードの有効屈折率が、基板の有効屈折率よりも高い。
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【課題】活性層における電力変換効率を悪化させることなく、かつ電極とキャップ層との接触抵抗を低減可能とする半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、互いに対向する第１の面１ａ及び第２の面１ｂを有する第１導電型の半導体基板１と、第１の面１ａの上方に形成された第１導電型のクラッド層４と、クラッド層４上に形成された活性層５と、活性層４上に形成された第２導電型のクラッド層６と、クラッド層６の上方に形成された第２導電型のリッジ１２と、リッジ１２上に形成された第１の電極１４と、第２の面１ｂに形成された第２の電極１５と、を備えている。リッジ１２は、多結晶膜又は結晶粒子の集合体膜であり、かつ第１の電極１４に接続する第２導電型の接触抵抗低減化膜１１を備えている。 （もっと読む）

【課題】コストを増大させることなく、レーザダイオードの光出力をフォトダイオードで検出することが可能な光半導体装置及びそれを用いた光モジュールを得ること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に順次積層された下部クラッド層２２と活性層２４と下部クラッド層２２と反対の導電型の上部クラッド層２６とを含む半導体層２０を有し、レーザ光を出射する前端面１６と前端面１６と反対側の端面である後端面１８との間を半導体層２０が延在して形成されたレーザダイオード１２と、半導体基板１０上にレーザダイオード１２の幅方向に形成され、レーザダイオード１２の光出力を検出するフォトダイオード１４と、を具備し、レーザダイオード１２は、半導体層２０のうちの少なくとも上部クラッド層２６の幅が変化する幅変化部を有する光半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い動作特性を維持しつつ、光学損傷を軽減し、信頼性の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層１０と、第２導電型の第２半導体層２０と、その間の発光層３０と、第１半導体層に接する第１電極４０と、第２半導体層に接する第２電極５０と、を備える。積層方向に垂直な第１方向で互いに対向する第１、第２端面Ｓ１、Ｓ２間で光が共振する。前記第２半導体層は、第１、第２端面との間に設けられ、第１方向及び積層方向に垂直な第２方向に沿った幅が、発光層の側よりも第２電極の側において狭いリッジ部ＲＰと、第１及び第２端面の少なくともいずれかに接して設けられ、第２電極の側における第２方向に沿った幅が、リッジ部よりも広い幅広部ＷＰと、を有す。幅広部の上の第２電極は、リッジ部の上の第２電極よりも、第２方向に沿った幅が狭い部分を有す。 （もっと読む）

【課題】劈開が容易で且つ微小リーク電流を抑制した窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０１の上に順次積層されたｎ型クラッド層１０３、活性層１０５及びｐ型クラッド層１０８を含み、共振器を構成する半導体層積層体１００を備えている。半導体層積層体１００は、光を出射する前方端面１０８と前方端面１０８と反対側の後方端面１０９との間にストライプ状に延びるリッジ部１１０と、リッジ部１１０の両側方に形成された第１溝部１１２と、第１溝部１１２によりリッジ部１１０と分離された台座部１１３と、台座部１１３における前方端面１０８及び後方端面１０９を含む領域にそれぞれ形成され、第１溝部１１２と分離した第２溝部１１４とを有している。第２溝部１１４の深さは、第１溝部１１２よりも深い。 （もっと読む）

本発明は、上面（２２）及び下面（２３）を有しているエピタキシャル積層体（２）を備えているブロードエリアレーザ（１）に関する。積層体（２）はビーム生成活性層（２１）を含んでいる。更に積層体（２）は、上面（２２）から下面（２３）の方向に案内されている複数の溝（３）を有しており、この溝（３）においては積層体（２）の少なくとも一つの層が少なくとも部分的に除去されている。積層体（２）の上面は複数のウェブ（４）を有しており、それらウェブ（４）はそれぞれ溝（３）と接しているので、積層体（２）の上面側はストライプ状に構成されている。ウェブ（４）及び溝（３）はそれぞれ最大で２０μｍの幅（ｄ₁，ｄ₂）を有している。更に本発明は、その種のブロードエリアレーザ（１）の製造方法に関する。
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【課題】リッジ構造を有する半導体レーザ素子の発光効率を高める。
【解決手段】半導体レーザ素子１は、ｎ型ＩｎＰ基板３と、ｎ型ＩｎＰ基板３の主面３ａ上に設けられた活性層１２を含む下部半導体積層部４と、下部半導体積層部４上に設けられ、所定方向に延びるリッジ形状を有するリッジ部５と、リッジ部５の側面上から下部半導体積層部４上のリッジ部５を除く領域上にわたって設けられた保護膜２５とを備える。リッジ部５は、所定方向の一端及び他端に各々位置する二つの端部領域５ａと、二つの端部領域５ａの間に位置する主領域５ｂとを含む。ｎ型ＩｎＰ基板３の主面３ａに垂直な方向における端部領域５ａの下端と活性層１２との距離は、同方向における主領域５ｂの下端と活性層１２との距離より大きい。 （もっと読む）

【課題】非極性面上に形成される発光素子において光閉じ込め性を向上できると共に転位による光学ロスを低減できる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】コア半導体領域１５、第１クラッド領域１７及び第２クラッド領域１９はＧａＮの支持基体１３の非極性の主面１３ａ上に搭載される。コア半導体領域１５は活性層２１及びキャリアブロック層２３を含む。第１クラッド領域１７はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２５及びｎ型ＩｎＡｌＧａＮクラッド層２６を含む。ｎ型ＩｎＡｌＧａＮクラッド層２６はｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２５と活性層２１との間に設けられる。界面２７ｂにおけるミスフィット転位密度は界面２７ａにおけるミスフィット転位密度より大きい。ＡｌＧａＮクラッド層２５はＧａＮ支持基体１３に対して格子緩和し、ＩｎＡｌＧａＮクラッド層２６はＡｌＧａＮクラッド層２５に対して格子緩和している。 （もっと読む）

本発明は、横結合を有するＤＦＢレーザダイオードに関するもので、該ＤＦＢレーザダイオードは、少なくとも１つの半導体基板１０と、該半導体基板上に配設された少なくとも１つの活性層４０と、該活性層４０より上に配設された少なくとも１つのリッジ７０と、該リッジ７０に隣接して上記活性層４０より上に配設された少なくとも１つの周期表面構造１１０と、上記活性層の下及び／又は上に配設された１μｍ以上の厚さを有する少なくとも１つの導波層３０，５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７は、ｐ型不純物としてＣをドーピングしたＣドープ層７ａと、ＭｇをドーピングしたＭｇドープ層７ｂとを有し、かつｐ型クラッド層７は、Ｃドープ層７ａが活性層５に近い側に形成され、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８のｐ型不純物はＺｎであり、活性層５中のＣ原子濃度、Ｍｇ原子濃度、Ｚｎ原子濃度は、それぞれ５．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下、１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１．６×１０¹⁶ｃｍ^-3以下、１．１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】きわめて狭線幅なレーザ光を発生でき、安定した特性を有する半導体レーザ、レーザ光の発生方法、およびレーザ光のスペクトル線幅の狭窄化方法を提供すること。
【解決手段】半導体活性層と、前記半導体活性層に直接、もしくは間接的に接続した、半導体積層方向に垂直な面内において２次元的な屈折率の周期構造を形成するフォトニック結晶光導波路と、前記半導体活性層と前記フォトニック結晶光導波路とを内蔵し、前記半導体活性層から発生して前記フォトニック結晶光導波路を導波する光をレーザ発振させる光共振器と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高出力の半導体光増幅素子を提供すること。
【解決手段】半導体からなる受動コア領域と、前記受動コア領域の両側に位置し、前記受動コア領域よりも屈折率が低い半導体活性層からなる能動クラッド領域と、を有する光増幅導波層を備え、前記光増幅導波層において光を増幅しながら導波する。好ましくは、前記光増幅導波層は、化合物半導体からなり、化合物半導体からなる基板上に、バットジョイント成長方法を用いて前記受動コア領域と前記能動クラッド領域とをモノリシックに集積して形成したものである。 （もっと読む）

【課題】
窒化物半導体レーザ素子において良好な光閉じ込めを実現し、リッジ両側の保護膜の密着性を確保し、投入電流に対する出力特性を向上させ、低閾値で長寿命の窒化物半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板と、該基板上に第１窒化物半導体層、活性層及び第２窒化物半導体層がこの順に設けられた窒化物半導体層と、該窒化物半導体層表面に設けられたリッジと、を有する窒化物半導体レーザ素子において、リッジの両側の窒化物半導体層表面に共振器方向に連続してリッジの側面から連続した面を側面とする溝部を有することを特徴とする。 （もっと読む）