【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用い、記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】主としてＦＦＰに優れた半導体レーザ素子を得ること課題とする。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子１００は、窒化物半導体からなる下部コンタクト層１０１と、窒化物半導体からなりＩｎを含む第１層１０２ａと窒化物半導体からなりＩｎを含まない第２層１０２ｂとを含む超格子構造であると共に暗色領域を有する光吸収層１０２と、窒化物半導体からなる活性層１０７と、窒化物半導体からなる上部コンタクト層１１１と、を順に備える。 （もっと読む）

【課題】発振閾値付近の低出力側及び低温時において立ち上がりを速くすることが可能な画像形成用光源の提供。
【解決手段】１次元または２次元にアレイ状に配列された面発光レーザ素子は、第一のグループと第二のグループにそれぞれ属する複数の面発光レーザ素子によって構成され、画像の１ライン分を形成する１本ずつの各線上に、第一のグループに属する１つの面発光レーザ素子１１０と、第二のグループに属する１つの面発光レーザ素子１２０とが配置されており、第二のグループの面発光レーザ素子は、上部多層膜反射鏡１０６の上に、第一のグループの面発光レーザ素子よりも厚い吸収層１２１が設けられ、第二のグループの発光素子の最高発振光出力が、第一のグループの発光素子の最高発振光出力よりも小さく、且つ、第二のグループの発光素子の電流注入開始から光を発する立ち上がり時間が、第一のグループの発光素子よりも短くなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リッジ型導波路とハイメサ型導波路とを同一基板上に有する光導波路、半導体光集積素子において、リッジ型導波路とハイメサ型導波路の境界で発生する光の反射を低減させた構造を提供することを目的とする。
【解決手段】下部クラッド層と、該下部クラッド層の一部分の上層に形成された光を発生する第１コア層と、該下部クラッド層の上層かつ該第１コア層が形成されていない領域に形成された光を吸収する第２コア層と、該第１コア層と該第２コア層の上層に重なるように形成された上部クラッド層とを備え、該第２コア層の屈折率が該第１コア層の屈折率より低く、該第２コア層は、該第１コア層と接触面を有し該接触面と平行な方向の該第２コア層の幅が該接触面から離れる方向に所定幅まで漸減する漸減部と、該漸減部の幅が該所定幅である部分と接触し該所定幅で直線状に形成されたストライプ部とを有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性特性と光学特性とを満足することができる窒化物半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置１００は、基板上に形成された第１の半導体層と、第１の半導体層上に形成された活性層と、活性層上に形成され、リッジ部及び平坦部を有する第２の半導体層と、リッジ部の上に形成された第１電極と、リッジ部の側壁部から平坦部にかけて延在するように形成された誘電体膜とを有する。さらに、フロント端面１００ａから当該フロント端面１００ａとリア端面１００ｂとの間の所定の位置までの領域を領域Ａとし、当該所定の位置からリア端面１００ｂまでの領域を領域Ｂとしたときに、領域Ａにおける誘電体膜から露出する部分のリッジ部の厚みＨ_Aは、領域Ｂにおける誘電体膜から露出する部分のリッジ部の厚みＨ_Bより厚く、少なくとも領域Ａにおいて第１電極はリッジ部に接している。 （もっと読む）

【課題】基本横モード発振の位相差を抑制した面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】ＶＣＳＥＬ１０は、基板１００と、基板上に形成されたｎ型の下部ＤＢＲ１０２と、活性領域１０４と、活性領域上に形成されたｐ型の上部ＤＢＲ１０６と、上部ＤＢＲ１０６上に形成された光出射口１１０Ａを含むｐ側電極１１０と、光出射口１１０Ａの周辺領域に形成され発振波長の光を吸収する光吸収層１１２と、発振波長の光を透過可能な材料から構成され光出射口１１０Ａの中央領域に形成された位相調整層１１４とを有する。位相調整層の膜厚は、ｄ１＝（２ａ−１）λ／２ｎ１から決定され（ａは整数、λは発振波長、ｎ１は屈折率）、光吸収層１１２の膜厚ｄ２は、（ｎ２−１）×ｄ２＋（１−ｎ１）×ｄ１＝λ×ｂ（ｂは整数、ｎ２は屈折率）の条件を満足する。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低く、コスト低減を図ることができる窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子は、窒化物半導体からなる活性層１２と、活性層１２の上面上に形成されたｐ型クラッド層１４と、ｐ型クラッド層１４の一部に形成されたリッジ部１６と、ｐ型クラッド層１４上における少なくともリッジ部１６の外側の領域に形成された、光吸収作用を有する導電性膜１８とを備えている。そして、リッジ部１６のリッジ幅Ｗが、２μｍ以上６μｍ以下となっている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光のパワーを高出力化してもＦＦＰ（遠視野像）特性が安定して広角化が可能な窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】ｎ型基板１の上に形成されたｎ型クラッド層２と、ｎ型クラッド層の上に形成された活性層４と、活性層の上に形成され、光の出射方向に延びる断面凸状のリッジ部６ａと該リッジ部の両側方に位置する平坦部６ｂとを有するｐ型クラッド層６と、両平坦部の上に形成され、ｐ型クラッド層よりも大きい光吸収係数を有する光吸収層９と、光吸収層を含むｐ型クラッド層の上面及びリッジ部の側面に形成された絶縁膜８とを有している。光吸収層は、出射端面側に設けられ、リッジ部中心から光吸収層のリッジ部側の端面までの距離がＤｉ１である第１領域と、出射端面と反対側に設けられ、リッジ部中心から光吸収層のリッジ部側の端面までの距離がＤｉ２である第２領域とを有し、Ｄｉ１とＤｉ２との関係は、Ｄｉ１＜Ｄｉ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】所定の波長帯域における光を均一の光利得で増幅させる。
【解決手段】半導体基板と、前記半導体基板上に形成された下部クラッド層と、前記下部クラッド層上に形成された光吸収層及び光増幅層と、前記光吸収層及び前記光増幅層上に形成された上部クラッド層と、を有し、前記光吸収層を形成している半導体材料のバンドギャップは、前記光増幅層を形成している半導体材料のバンドギャップよりも広く、前記光吸収層を形成している半導体材料のバンドギャップと前記光増幅層を形成している半導体材料のバンドギャップとの差は、０．１２ｅＶ以上であることを特徴とする半導体光増幅器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】発振波長に対して吸収層として機能する基板を用いた場合であっても、基板側で光量をモニタリングすることのできる面発光レーザを提供する。
【解決手段】基板上に、活性層を含む複数の半導体層が積層され、前記基板に対して垂直方向に出力光を出射させる面発光レーザであって、
前記基板と、活性層を含む複数の半導体層で構成されたレーザ光の発振部との間に、波長変換層を有し、
前記波長変換層は、前記レーザ光の発振部から出射されたレーザ光の第１の波長を、前記基板を透過する第２の波長に変換することを可能に構成する。 （もっと読む）

【課題】クラッド層において発生する応力を抑制して、スロープ効率及びキンクレベルを向上し、ＦＦＰに乱れがないようにする。
【解決手段】上部にリッジ構造を有するクラッド層１６を含むストライプ状のリッジ導波路と、少なくともリッジ導波路の側面上に形成され、光に対して透明な第１の電流ブロック層１８と、リッジ部の側面から間隙をおき、クラッド層１６の平坦部の上で且つリッジ部の両側に形成された光吸収性を有する第２の電流ブロック層１９と、第１の電流ブロック層１８及び第２の電流ブロック層１９の上に形成された第３の電流ブロック層２２とを備えている。第１の電流ブロック層１８、第２の電流ブロック層１９及び第３の電流ブロック層２２の熱膨張係数をそれぞれη１、η２及びη３とし、窒化ガリウムの熱膨張係数をηｇとすると、ηｇ＞η１、ηｇ＞η２及びηｇ＜η３とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤ値の向上と、吸収損失の増大の抑制とを両立させることの可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】基板１０のうち半導体層２０側の表面および半導体層２０とは反対側の表面の少なくとも一方の面であって、かつ少なくともリッジ部１５との対向領域の一部に光吸収層３０が設けられている。光吸収層３０は、基板１０の結晶を破壊し、深い準位を形成することの可能な元素をイオン注入することよって形成されたものであり、活性層１２から発せられた光を吸収する機能を有している。 （もっと読む）

【課題】自励特性を安定させるとともにＣＯＤ光出力を向上させることができる半導体レーザを歩留まりよく生産できる構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザは、基板（ｎ−ＧａＡｓ基板１１０）と、ｎ−ＧａＡｓ基板１１０の上部に設けられた活性層１４０と、活性層１４０の上部の共振器方向に延設されたリッジ状の導波路を有するクラッド層（ｐ−第２クラッド層１７０）と、ｐ−第２クラッド層１７０の上部に設けられたキャップ層(ｐ−ＧａＡｓキャップ層１８０)と、上記リッジ状の導波路の側壁に設けられた電流ブロック層（ＡｌＩｎＰブロック層１９０、ｎ−ＧａＡｓブロック層２００）と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】リッジ部を保護する台座領域を有する場合においても、リップルが低減され、遠視野像の形状がガウシアン形状に近い窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０の上に順次積層されたｎ型クラッド層１３Ｂ、活性層１４及びｐ型クラッド層１５Ｂを含む半導体層積層体２０を備えている。半導体層積層体２０は、リッジ部２０ａと、溝部２０ｃによりリッジ部２０ａと分離された台座部２０ｂとを有する。リッジ部２０ａの側壁及び溝部２０ｃの底面におけるリッジ部２０ａ側の領域は、誘電体層１６に覆われている。溝部２０ｃの底面と台座部２０ｂの側壁とに跨って、誘電体層１６と比べて発光波長における消衰係数が大きい材料からなる光吸収膜３２が形成されている。台座部２０ｂの上面の高さは、リッジ部２０ｂの上面の高さ以上である。 （もっと読む）

【課題】高精度な層厚制御を行うことができ、再現性かつ均一性良くシングルモード動作することが可能となる凹型の表面レリーフ構造を備えた面発光レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが積層されており、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に形成された凹形状の反射率の高い領域とからなる反射率を制御するための構造を備え、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記上部反射ミラーが複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡で構成され、
前記多層膜反射鏡は、該多層膜反射鏡上の光出射周辺部に、λ／８以上３λ／８以下の光学的厚さを持つ位相調整層を備え、
前記位相調整層内に波長λに対して吸収係数が５０００ｃｍ^−１以上の吸収層が設けられている構成とする。 （もっと読む）

【課題】高精度な層厚制御を行うことができ、再現性かつ均一性良くシングルモード動作することが可能となる凸型の表面レリーフ構造を備えた面発光レーザおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、下部反射ミラー、活性層、上部反射ミラーが積層されており、
前記上部反射ミラーの光出射部に、反射率の低い領域と該反射率の低い領域の中央部に形成された凸形状の反射率の高い領域からなる反射率を制御するための構造を備え、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記上部反射ミラーが複数の層を積層した積層構造体による多層膜反射鏡で構成され、
前記積層構造体中に、前記波長λに対して吸収係数が５０００ｃｍ^−１以上の吸収層が設けられている構成とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程数の増加を抑えつつ、基板モードを低減することで素子特性を向上できる半導体光素子を提供する。
【解決手段】半導体光素子１は、端面発光型の半導体光素子１であって、ｎ型ＧａＡｓ基板３上に設けられたｎ型下部クラッド層５と、ｎ型下部クラッド層５上に設けられた活性層７と、活性層７上に設けられたｐ型上部クラッド層１０とを備え、ｎ型ＧａＡｓ基板３は活性層７よりも高いバンドギャップを有し、ｎ型下部クラッド層５は活性層７よりも低いバンドギャップを有する下部クラッド光吸収層４と活性層７よりも高いバンドギャップを有する第１下部クラッド光透過層５ａとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】垂直ＦＦＰ形状を改善した窒化物半導体レーザ装置を提案する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ装置は、ＧａＮ基板の上に形成されたｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層と、ｎ型ＩｎＡｌＧａＮ光吸収層の上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮクラッド層と、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の上に形成されたＩｎＧａＮ活性層と、ＩｎＧａＮ活性層の上に形成され、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層の屈折率よりも小さい屈折率を有するｐ型ＡｌＧａＮ層とを備える。 （もっと読む）

【課題】垂直横モード特性が改善された窒化物半導体レーザ装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１１と、基板１１の上に形成され、基板１１側から順次積層された第１のクラッド層２１、活性層２３及び第２クラッド層２５を含み、共振器方向に延びるストライプ状の導波領域を有する窒化物半導体層１２と、基板１１における共振器方向と交差する１対の端面のうち少なくとも光を出射する側の端面上に形成され、導波領域の下方の領域を覆う光吸収層３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】バンドフィリングによる影響を低減することが可能な窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体レーザは、第１導電型窒化ガリウム系半導体層２と、第２導電型窒化ガリウム系半導体層１３と、発光層７と、第１光ガイド層５と、第２光ガイド層９とを備え、発光層７は、バンドギャップＥ_Ｗを有する井戸層３５と、バンドギャップＥ_Ｂを有する障壁層３４とを含む量子井戸構造を有し、第１光ガイド層５、第２光ガイド層９、及び障壁層３４の少なくともいずれかは、バンドギャップＥ_Ｙを有する窒化ガリウム系半導体層からなる第１光吸収層３１を含み、第１光吸収層３１のバンドギャップＥ_ＹはバンドギャップＥ_Ｗよりも大きく、Ｅ_ＹはＥ_Ｂよりも小さく、Ｅ_ＹとＥ_Ｗとの差は、０よりも大きく、０．３ｅＶより小さいことを特徴とする。 （もっと読む）