【課題】低減された順方向電圧のIII族窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】ｐ型クラッド層におけるｐ型ドーパントの濃度がｎ型不純物の濃度より大きくなるように、ｐ型クラッド層はｐ型ドーパント及びｎ型不純物を含む。ｐ型クラッド層のバンドギャップより大きい励起光を用いた測定によるフォトルミネセンス（ＰＬ）スペクトルは、バンド端発光及びドナーアクセプタ対発光のピークを有する。このＰＬスペクトルにおけるバンド端発光ピーク値のエネルギＥ（ＢＡＮＤ）と該ＰＬスペクトルにおけるドナーアクセプタ対発光ピーク値のエネルギＥ（ＤＡＰ）との差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））は、当該III族窒化物半導体レーザ素子１１の順方向駆動電圧（Ｖｆ）と相関を有する。このエネルギ差（Ｅ（ＢＡＮＤ）−Ｅ（ＤＡＰ））が０．４２ｅＶ以下であるとき、III族窒化物半導体発光素子の順方向電圧印加に係る駆動電圧が低減される。 （もっと読む）

【課題】ダブルへテロ構造とは異なる、光閉じ込め係数Γの大きい、新規な素子構造を有する半導体発光素子を提供することを提供すること。
【解決手段】絶縁膜上に光共振器、該光共振器の両側にそれぞれ配置されたｐ電極及びｎ電極を具備する半導体発光素子であって、前記光共振器は、発光波長よりも狭い間隔を隔てて並置された第１及び第２の半導体細線、これら半導体細線の両端部にそれぞれ設けられた光共振器ミラー、及び前記第１及び第２の半導体細線間に配置され、それぞれた前記第１及び第２の半導体細線に電気的に接続された複数の半導体超薄膜を備え、前記第１の細線は前記ｐ電極に、前記第２の細線は前記ｎ電極にそれぞれ電気的に接続され、電流注入により前記半導体超薄膜からレーザ発振を生ずることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本来は非発光性である間接半導体を用いて実用可能な発光素子を提供すること。
【解決手段】Ｓ、Ｓｅ、Ｃｕ及びＡｇの少なくともいずれかを含み、四面体結合構造を有する母体半導体からなる活性層と、前記活性層に電流を通電するｎ電極とｐ電極とを具備し、前記活性層に接して前記活性層と前記ｎ電極との間に設けられたｎ層と、前記活性層に接して前記活性層と前記ｐ電極との間に設けられたｐ層とを有し、前記ｎ層、前記活性層および前記ｐ層は面内に配置され、前記活性層の厚さが５ｎｍ以下であることを特徴とする発光素子。 （もっと読む）

【課題】希土類元素による発光強度が強く、かつ、発光波長が温度により変動しない、発光素子用希土類元素添加半導体積層構造を提供する。
【解決手段】キャリア拡散長程度の膜厚を持つ活性層２と光ガイド層３とを有する構造の両側に光ガイド層３よりも禁制帯幅の大きいｐ型とｎ型のクラッド層４，５を積層した分離閉じ込め構造であって、活性層２に希土類元素または希土類元素と酸素が添加された発光素子用希土類元素添加半導体積層構造１である。活性層２はキャリア拡散長程度の膜厚のまま光ガイド層の中央に配置するか、活性層を分割して配置してもよい。 （もっと読む）

【課題】 量子ドットからなる活性層を有し、高温でも高速で動作する半導体光素子を提供することである。
【解決手段】 半導体基板と、前記半導体基板の上に積層され、第１の導電型を有する第１のクラッド層と、第１のクラッド層の上に積層され、伝導帯の電子及び価電子帯のホールを３次元的に閉じ込めて量子サイズ効果を発現する半導体結晶粒からなる量子ドットと、前記量子ドットを囲んで前記電子及び前記ホールを前記量子ドットに閉じ込める障壁層からなる活性層と、前記活性層の上に積層された、第２の導電型を有する第２のクラッド層を具備した半導体光増幅器において、前記障壁層のうち前記量子ドットの側面方向に位置する領域には、ｐ型の不純物がドーピングされ、前記障壁層のうち前記量子ドットの上下方向に位置する領域に、不純物がドーピングされていないことである。 （もっと読む）

本発明は、可視の波長領域についてのキャビティー内の周波数変換された固体レーザーを提供する。レーザーは、延長されたレーザーキャビティー（２）を備えた半導体レーザー（１）を含む。第二のレーザーキャビティー（４）は、前記の延長されたレーザーキャビティー（２）の内側に形成されたものである。第二のレーザーキャビティー（４）は、半導体レーザー（１）の放射を吸収すると共に可視の波長領域におけるより高い波長で放射を放出する利得媒体（３）を含む。周波数を変換する利得媒体（３）は、希土類がドープされた固体のホスト材料で形成されたものである。提案されたレーザーを、可視の波長領域における、例えば、緑色の、赤色の、又は青色の波長領域における、放射を発生させるための高度に集積化された様式で製造することができる。
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【課題】小型でコンパクトな、１チップで実現された緑色半導体レーザー素子が望まれていた。
【解決手段】ＩｎＧａＮ活性層１４中に、フォトニック結晶領域２１および希土類ドープ領域２２を形成する。活性層１４中の、フォトニック結晶領域２１および希土類ドープ領域は、一表面沿いに、互いに近接して形成する。フォトニック結晶領域２１は、第１のパターンとして、活性層１４の一表面沿いに形成され、励起光の波長に応じた間隔で平行に配列された複数の溝２３を含む。希土類ドープ領域２２は、第２のパターンとして、出力する緑色光の波長に応じた間隔で互いに平行に配列された複数の溝２４を含む。 （もっと読む）

室温で動作可能であり、1100nmまでの調整可能範囲を有する電気的にポンプ（励起）される中赤外半導体レーザであり、ホストと不純物イオンとの離散準位の重複と、引き離されたホストキャリアから不純物への効率的なエネルギー移動とを可能にするように調整された閉じ込めの特徴的な空間寸法を有するドープ量子閉じ込めホスト材料(DQCH)を利用して、既存の半導体レーザ技術に勝る調整可能範囲の革新的な(1〜2桁の)改良を成し、前記DQCH材料が、式TM:MeZおよび/またはMeX₂Z₄を有し、ここで、Meが、Zn、Cd、Ca、Mg、Sr、Ba、Hg、Pb、Cu、Al、Ga、Inからなる群から選択され、Zが、S、Se、Te、O、N、P、As、Sb、およびそれらの混合物からなる群から選択され、Xが、Ga、In、およびAlからなる群から選択され、TMが、V、Cr、Mn、Fe、Co、およびNiからなる群から選択される。 （もっと読む）

半導体材料の活性領域と、該活性領域の対向する側にある、１対の、半導体材料の、反対極性にドープされた層とを有する発光体構造を備えた固体発光デバイスを提供する。活性領域は、ドープされた層の両端に印加された電気的バイアスに応じて所定の波長で発光する。発光体構造と集積化され、少なくとも１つの希土類または遷移金属元素がドープされた、半導体材料の吸収層が含まれている。吸収層は、活性領域からの発光の少なくともいくらかを吸収し、少なくとも１つの異なる波長の光を再放出する。基板が含まれ、その上に発光体構造と吸収層とが配置されている。
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【課題】長いレーザ発振寿命を有する窒化物半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体レーザ素子において、窒化物半導体基板上またはその上に積層された窒化物半導体層上において窒化物半導体がエピタキシャル成長を抑制される成長抑制膜からなるストライプ状マスクと、そのマスクが形成されていないストライプ状窓部とを有するマスク基板があって、そのマスク基板を被覆する窒化物半導体膜と、少なくともｎ型層とｐ型層とによって挟まれた井戸層または井戸層と障壁層とからなる発光層を有する発光素子構造とがマスク基板上に順次成長させられており、マスクのストライプ方向に向かってマスク中央から左右に１μｍ未満を除く領域でかつ窓部のストライプ方向に向かって窓部中央から左右に１μｍ未満を除く領域であってなおかつマスクの上方の領域と窓部の上方の領域とに跨るように発光素子構造の電流狭窄部分が作製されている。 （もっと読む）

着色したピクセル化された光を生成するためのディスプレイ装置は、ポンプビーム光を生成するためのバックライトユニット、インターピクセル領域よりも高いネットゲインを有する離間レーザピクセルの配列を供給するために、離間位置において装置の特性を調節するための構造を含む垂直キャビティレーザアレイ装置、及びポンプビーム光に応じて青色光を生成する活性領域を含む。装置は、また、液晶、及び異なる部分を含む色変換層を含む光シャッタを含み、青色光に応じて選択された異なる部分は、異なる着色光を生成し、選択された着色光の観点の角度の円錐形を増加させる。
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