【課題】ピエゾ電界の影響が抑制されていると共に、高い結晶品質を有するIII族窒化物半導体光素子を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体光素子１１ａは、ｃ軸方向に延びる基準軸Ｃｘに直交する基準平面Ｓｃに対して有限の角度をなす主面１３ａを有するIII族窒化物半導体基板１３と、III族窒化物半導体基板１３の主面１３ａ上に設けられ、III族窒化物半導体からなる井戸層２８、及び、III族窒化物半導体からなる複数のバリア層２９を含む量子井戸構造の活性層１７とを備え、主面１３ａは、半極性を示し、活性層１７は、１×１０^１７ｃｍ^−３以上８×１０^１７ｃｍ^−３以下の酸素濃度を有しており、複数のバリア層２９は、井戸層２８のIII族窒化物半導体基板側の下部界面２８Ｓｄと接する上部界面近傍領域２９ｕにおいて、酸素以外のｎ型不純物を１×１０^１７ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下の濃度で含む。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７中のｐ型不純物が炭素とマグネシウムであり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８中のｐ型不純物が炭素と亜鉛であるものである。 （もっと読む）

【課題】活性層(量子井戸層)へ光の出射部となる窓構造を形成するための不純物の拡散条件のコントロールを容易にすることができる半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子では、赤外レーザ活性層１２上に形成されたｐ‐ＩｎＧａＰクラッド層１３は、拡散のし易さが異なる２つの異なる元素ＭｇとＺｎを混合したドーパントが添加されている。したがって、この２つの元素ＭｇとＺｎの混合比を調整することで、赤外レーザ活性層(量子井戸層)１２への不純物の拡散条件をコントロールすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体材料、特に、良好な電気伝導率および大きな禁制帯幅を有するドープド半導体材料において、原子の秩序化の結果生じる禁制帯幅の減少のような所望しない効果を排除することができるものを得る。
【解決手段】半導体材料中で自由電荷キャリアを提供する第１のドーパント、例えばシリコンと、該半導体材料中で原子の無秩序化を促進する第２のドーパント、例えばスズあるいはテルルとを含む半導体材料であって、該第２のドーパント濃度が該半導体材料の全体に亘って実質的に均一である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型窒化物半導体層に残留する水素の拡散を防止することにより、高出力で且つ長寿命の窒化物半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置は、ｐ型の第１の不純物（Ｍｇ）がドーピングされたｐ型ＡｌＧａＮからなる超格子クラッド層１８を有している。超格子クラッド層１８は、その一部に第２の不純物（Ｆ）がドーピングされた不純物領域２０を有し、不純物領域２０の水素濃度は、超格子クラッド層１８における不純物領域２０を除く領域の水素濃度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】
本発明は半導体光素子の製造方法に関し動作時の素子抵抗値が設計値と一致する半導体光素子を提供する事を目的とする。
【解決手段】不純物ドープされた、第一導電型であるＢＤＲ(Band Discontinuity reduction)層形成のためのＢＤＲ層形成工程と、
ＢＤＲ層に接し、ＢＤＲ層成長後に堆積される、電極形成のための、前記不純物と同一の不純物がドープされた第一導電型であるコンタクト層形成のためのコンタクト層形成工程と、コンタクト層形成工程後に熱処理を行うための、熱処理工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族窒化物系半導体厚膜層中の不純物プロファイルを適正に制御することによって、結晶方位分布の少ない、高品質なIII−Ｖ族窒化物系半導体結晶を有するIII−Ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉドープＧａＮ厚膜１２は、図示しないサファイア基板上に、アンドープ部１３、Ｓｉドープ部１４を順次エピタキシャル成長させた後、サファイア基板から剥離して得られ、ＳｉドープＧａＮ厚膜１２の両面をそれぞれ１００μｍづつ研磨することにより厚さ４００μｍのＧａＮ自立基板１５が得られる。 （もっと読む）

【課題】 低温成長低電気抵抗値のｐ型コンタクト層を具えた窒化ガリウム系発光ダイオードの構造の提供。
【解決手段】 マグネシウムとアルミニウムを共同ドープし低温成長窒化インジウムガリウムの低電気抵抗値を利用したｐ型コンタクト層を利用した窒化ガリウム系発光ダイオードは、基板、バッファ層、ｎ型窒化ガリウム層、アクティブ層、ｐ型クラッド層及びｐ型コンタクト層を具えている。ＭｇとＡｌ共同ドープの窒化インジウムガリウム（Ｉｎ_1-y Ｇａ_y Ｎ）で低電気抵抗値のｐ型コンタクト層を形成し、並びにＭｇとＡｌ共同ドープによりｐ型窒化インジウムガリウムコンタクト層の材質の発生する吸光問題を解決し、低温形成のｐ型コンタクト層の簡便性を有するようにし、全体の電気特性を良好とし、全体装置の操作電圧を下げ、その運転時の消耗パワーを減らし、また、生産の歩留りも高める。 （もっと読む）