【課題】｛１００｝結晶面から＜０１−１＞方向へ傾いた面を主面とする化合物半導体オフ基板を用いても、しきい値電流を低くすることでき、かつ、出力を高めることできる半導体レーザを提供する。
【解決手段】上記赤色半導体レーザは、｛１００｝結晶面から順メサ＜０１−１＞方向に１５度傾いた面を主面とするｎ型ＧａＡｓオフ基板１を備えている。ｎ型ＧａＡｓオフ基板１の主面には、＜０１１＞方向に延在する逆メサストライプ形状の赤色レーザ用リッジ２が形成されている。赤色レーザ用リッジ２の上面には、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３、ＡｌＧａＩｎＰ活性層４およびｐ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高出力動作が可能で、温度特性に優れ、単一横モードで動作させることができ、かつ信頼性に優れた長波長帯面発光レーザ素子を提供すること。
【解決手段】 GaAs基板上に下部多層膜反射鏡、活性層及び上部多層膜反射鏡を有してなる面発光レーザ素子において、前記面発光レーザ素子は、n型不純物が高濃度にドーピングされた高濃度n型層とp型不純物が高濃度にドーピングされた高濃度p型層とからなるトンネル接合を有し、前記高濃度n型層はTl_x2In_x1Ga_1-x1-x2As_1-y1-y2N_y1Sb_y2混晶（0≦x2≦0.3、0≦x1≦0.3、0＜y1≦0.05、0＜y2≦0.3）からなり、前記高濃度p型層はTl_x4In_x3Ga_1-x3-x4As_1-y3-y4N_y3Sb_y4混晶（0≦x4≦0.3、0≦x3≦0.3、0＜y3≦0.05、0＜y4≦0.3）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 クラッド層と活性層との界面で生じるバンドギャップ不連続を低減し、動作電圧、動作電流の向上を図った半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明における半導体レーザ装置は、結晶基板と、結晶基板上に設けられ第一の波長のレーザ光を放出する第一のレーザ素子部と、結晶基板上に設けられ第一の波長とは異なる第二波長のレーザ光を放出する第二のレーザ素子部とを有する半導体レーザ装置において、第一のレーザ素子部は、膜厚が０．０１μｍ以上、０．１μｍ以下であるバルク構造の活性層を有し、第二のレーザ素子部は、量子井戸層とバリア層との積層構造からなる活性層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型クラッド層に高濃度にＭｇをドーピングした上で、そのドーパントの拡散による活性層の劣化を防いた構造のＡｌＧａＩｎＰ系レーザダイオード及び化合物半導体ウェハを得ることを可能にする。
【解決手段】ｐ型クラッド層２０が、活性層１側から、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第一部分２と、成長時にＺｎが低濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第二部分３と、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第三部分４とを有する構造とする。 （もっと読む）

【課題】 窒素の抜けを抑制しつつｐ型不純物を活性化することができるｐ型窒化物半導体の製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐ型不純物を含む窒化物半導体１２を形成したのち、ＮＦ₃ などのハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中において熱処理を行い、ｐ型不純物を活性化する。ハロゲン化窒素ガスは２００℃以下の低温で分解して窒素とハロゲンとを生じるので、窒素により窒化物半導体１２から窒素が抜けることを抑制することができると共に、ハロゲンにより窒化物半導体１２に含まれる水素を引き寄せて、水素の放出を促進させることができる。よって、窒素の抜けを抑制しつつ、ｐ型不純物を活性化することができる。 （もっと読む）

【課題】 検査用ウェハを用いることなく、製品ウェハで活性層のＰＬ測定が実行可能な半導体レーザを提供する。
【解決手段】 ｎ型ＧａＡｓ基板１上にｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３を形成し、その上に発光波長が６００−８５０ｎｍである活性層５を形成する。活性層５上にｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７を形成し、その上に活性層５よりも大きい光学バンドギャップを有するようにＡｌ組成が制御されたｐ型ＡｌＧａＡｓコンタクト層８を形成する。ｐ型ＡｌＧａＡｓコンタクト層８上にｐ型ＧａＡｓキャップ層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の高欠陥領域を通してリーク電流が流れるのを防止することにより、発光効率の向上した光集積型半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１平均転位密度を有する結晶からなる低欠陥領域１０Ａ中に第１平均転位密度より高い第２平均転位密度を有する高欠陥領域１０Ｂを１または２以上有する基板１０と、基板１０上に形成され、複数の発光素子構造を有すると共に、高欠陥領域１０Ｂに対応する領域を含む領域（高欠陥領域３０Ｂ）に溝１９を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０とを備える。この溝１９は、基板１０の高欠陥領域１０Ｂから伝播した転位の集中する高欠陥領域３０Ｂの一部をＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体層３０から除去することにより設けられており、これにより電極から注入された電流の一部が発光領域を迂回してリークするのが抑制される。 （もっと読む）

【課題】 遠視野像が単峰でガウシアン形状である窒化物半導体レーザ素子において、長期信頼性の確保および素子特性歩留まりの改善を得ることである。
【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子１００は、ｎ型ＧａＮ基板１０１上に順に、ｎ型ＧａＮコンタクト層１０２、ｎ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎクラッド層１０３、ｎ型ＧａＮガイド層１０４、ＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層１０５、ｐ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎキャリアバリア層１０６、ｐ型ＧａＮガイド層１０７、ｐ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎクラッド層１０８、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０９、絶縁層１１３、ｐ型電極１１２を積層し、リッジストライプ１１０が形成されて露出した露出面のリッジストライプ１１０以外の少なくとも一部に、不純物を添加したＧａＮ層１１１を形成した構成とする。 （もっと読む）

【課題】 他局から送信される光を精度よく検出することができる電気光学素子、電気光学素子の製造方法、及びその電気光学素子を用いた光伝送モジュールを提供する。
【解決手段】 第１の光の光路の一部を含む領域にある第１の受光素子部１２０ａは、発光素子部１４０ａが発するＧａＡｓ基板１０１に略垂直に発せられる第１の光を受けることにより、第１の光の状態を監視し、一方、第２の受光素子部１２０ｂは、第１の光の光路上に形成されていないことから、ほとんど第１の光を受けず、光ファイバから入射される第２の光だけを受けるようにする。 （もっと読む）

【課題】
環境温度の変化に対して、安定に高速変調が動作できる変調器集積面発光レーザを提供すること
【解決手段】
本発明に係る変調器集積面発光レーザは、基板上に面発光レーザと光変調器が集積され、前記変調器の吸収端波長の温度変化の割合と前記面発光レーザの共振波長の温度変化の割合が同程度であるものである。変調器の吸収端波長と面発光レーザの発振波長の温度変化の割合が同程度であるならば、広い温度範囲において高速変調することが可能となる。
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【課題】 従来よりも信頼性を向上することができる回折格子の製造方法および半導体レーザを提供すること。
【解決手段】 回折格子を形成する回折格子形成層を含む１層以上の薄膜を基板上に堆積する薄膜堆積工程Ｓ１１０と、回折格子形成層上に回折格子を保護する保護膜である回折格子保護層を堆積する第１の保護層堆積工程Ｓ１２０と、回折格子形成層および回折格子保護層を加工して回折格子を形成する保護回折格子形成工程Ｓ１３０と、回折格子を保護する保護膜である格子保護増強層を堆積する第２の保護層堆積工程Ｓ１４０と、さらに薄膜を堆積する格子上薄膜堆積工程Ｓ１５０とを有する回折格子の製造方法であって、回折格子形成層が耐酸化性の材料を用いて形成され、回折格子形成層の材料よりも耐熱性に優れた材料を用いて回折格子保護層および格子保護増強層が堆積される構成を有する。 （もっと読む）

【課題】 良好な変調特性が得られる温度範囲を大幅に拡大した変調器集積面発光レーザを提供する。
【解決手段】 本発明による変調器集積面発光レーザ１は、レーザ光を励起する活性層６と、電圧印加による光吸収係数の変化を利用して変調を行う吸収型光変調層８と、活性層６及び光変調層８を挟む２つの光反射層４，１２間で光が共振し、温度により共振波長が可変である波長可変共振器１７を備え、波長可変共振器１７の共振波長の温度依存性と光変調層８のバンドギャップエネルギーの温度依存性がほぼ等しい。また、２つの光反射層４，１２のうちの１つからなり、波長可変共振器１７の光反射鏡１２Ｒを構成する部分を支持する熱膨張係数の異なる２つの半導体層１２，１３からなる片持ち梁１８を備える。 （もっと読む）

【課題】 ｐ型不純物の活性層への拡散を抑制することにより、安定した光出力特性を有し、その結果、高い信頼性を有するIII族窒化物半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 活性層５とｐ型クラッド層１０との間に、少なくとも平衡状態においてｐ型クラッド層１０から活性層５方向に向かう電界を有するｐ型不純物拡散抑制層７を設ける構成とすることにより、この電界が、マイナスイオンになっているｐ型不純物をｐ型クラッド層１０方向へ引き戻すように働き、ｐ型不純物の拡散を抑制することができるため、ｐ型不純物の拡散の制御が可能になり、安定した光出力特性を有し、その結果、高い信頼性を有するIII族窒化物半導体レーザ装置を提供することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】発振波長の異なる２つの発光部の並びが逆の２種類の半導体発光素子をパッケージに実装した際に、実質的に同じ発光装置を製造することができる発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半導体発光素子と比較して２つの発光部の並びが逆の第２の半導体発光素子１を、第２パッケージ内で反転して実装させている。この結果、第１の発光装置における２つの発光部の並びと、第２の発光装置における２つの発光部の並びが同一となる。したがって、発光機能としては、実質的に同一の発光装置が製造される。 （もっと読む）

【課題】 埋込みヘテロ型半導体光素子は、活性層幅（〜２μｍ）上部以外の回折格子はメサエッチングにて除去するのが通例である。この為、回折格子の状態を観察するには、ＦＩＢ法を用いて半導体メサの一部を加工して後ＳＥＭ観察を行う。この方法は、半導体のメサ構造の断面をイオンビームにより削るため、断面形状が平滑ではなく、ＳＥＭ像が不鮮明となる。微細構造である回折格子を観察することは困難であった。
【解決手段】 埋込み成長にて形成される半導体メサ側壁のネック部に沿って、半導体メサが光導波路方向に容易に劈開される性質を利用し、素子後方端面と半導体メサの間に、半導体メサを形成しない領域を設ける。 （もっと読む）

【課題】 スロープ効率が大きく、製造歩留まりが高く、バラツキが少なく、しかも高出力の青紫色の光を発する窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供すること。
【解決手段】 本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子は、窒化ガリウム基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子であって、前記窒化ガリウム基板の結晶成長面を、（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向に、絶対値で０．０１５〜０．１６度の範囲で傾斜した面、又は、（０００１）Ｇａ面の＜１−１００＞方向へのオフ角度をＡとし、（０００１）Ｇａ面の＜１１−２０＞方向へのオフ角度をＢとした場合、（Ａ²＋Ｂ²）の平方根が０．１０から０．１７の範囲にある面であり、かつ半導体レーザ素子のスロープ効率は０．６Ｗ／Ａ以上とする。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ組成比の活性層面内での空間的変化が少なく、発光効率等の素子特性の高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】５Ｋにおけるフォトルミネッセンス発光強度に対する３００Ｋにおけるフォトルミネッセンス発光強度の比が０．１以下となるように、ＩｎＧａＮ量子井戸構造からなる活性層５を形成する。フォトルミネッセンス発光強度比は、量子閉じ込め構造におけるＩｎ組成比の空間的変化の大きさを反映している。そして、値が小さいほどＩｎ組成比の空間的均一性が高いことを示している。そのため、フォトルミネッセンス発光強度比を０．１以下とすることで、活性層５におけるＩｎ組成比の空間的均一性が向上し、高い確率でキャリアの発光再結合が生じるため、発光効率の高い半導体発光素子を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】特性の均一性や歩留まりを維持しつつ、半導体発光素子のサイズを小さくすることができる、あるいは、半導体発光素子のサイズを変更せずに、特性の均一性や歩留まりを向上させることができる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】隣り合った２つの第１積層体ＳＴ１のストライプを複数並べて形成し、さらに、第１積層体ＳＴ１間の領域に、隣り合った２つの第２積層体ＳＴ２のストライプを形成する。すなわち、基板３０上に、第１積層体ＳＴ１のストライプと、第２積層体ＳＴ２のストライプとが２本ずつ並ぶように形成する。その後、隣り合った２つの第１積層体ＳＴ１のストライプ間、および隣り合った２つの第２積層体ＳＴ２のストライプ間において基板３０を分断することにより、第１積層体ＳＴ１および第２積層体ＳＴ２のストライプを備えた半導体発光素子が製造される。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、かつ基本横モードの光出力を低減することなく高次横モード発振を抑制することが可能な面発光型半導体レーザを提供する。
【解決手段】活性層１３を間にして下部ＤＢＲミラー層１１および上部ＤＢＲミラー層１５が設けられており、上部ＤＢＲミラー層１５を通して垂直方向にレーザ光が出射される。上部ＤＢＲミラー層１５の表面の光出射領域のうち、中央領域には第１絶縁膜１７および第２絶縁膜１８の積層構造、中央領域を囲む領域（周辺領域）には第３の絶縁膜１９が設けられており、周辺領域の反射率は中央領域の反射率よりも低くなっている。これにより基本横モードの光出力を低減することなく、高次横モード発振が抑制される。 （もっと読む）

【課題】高出力で動作する半導体レーザ素子が組込まれ、駆動時の消費電力が低減し、故障率が従来に比べて半減する半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】歪み多重量子井戸構造から成る活性層を含む半導体の積層構造が基板１の上に形成され、共振器長と低反射膜の反射率を設計パラメータとし、共振器長Ｌが１０００μｍより長く１８００μｍ以下であり、一方の端面に反射率が３％以下の低反射膜Ｓ₁が形成され、他方の端面に反射率が９０％以上の高反射膜Ｓ₂が形成されている埋込み型半導体レーザ素子Ａと、それを装荷する冷却装置１４と、両者を内部に封入するパッケージ１３と、半導体レーザ素子の一方の端面に配置されたレンズ１５ａとを有する半導体レーザモジュール。 （もっと読む）