選択ＭＯＶＰＥ成長を用いて作製した半導体レーザにおいて、広幅部に成長した再結合層の格子緩和を抑制し、リーク電流が抑制され、信頼性の高い半導体レーザを実現することを目的とする。選択ＭＯＶＰＥ成長を用いて半導体レーザを作製する際に、酸化シリコンマスク１３の間隙となる狭幅部１４にエピタキシャル成長したＤＨメサストライプ６の平均歪量を格子緩和が起こらない範囲で圧縮歪側にずらすことにより、広幅部１５に成長した再結合層１６の引張歪を低減する。 （もっと読む）

本発明は、半導体材料のみから構成される回折格子マスクパターンによるｉｎ−ｓｉｔｕエッチングと、容易に酸化する半導体材料を保護する、半導体回折格子マスクの下の保護層の製作との組合せである。したがって、本発明は、２段階プロセスに基づく。最初に、回折格子パターンが半導体材料内で画定され、このパターンは半導体回折格子マスクと呼ばれる。半導体回折格子マスクは、保護材料の層の上面に配置され、この保護材料は、容易に酸化する半導体材料の上にあって、下にある材料の酸化を防止する。次いで、半導体構造は反応器に移送されて、第２段階において、マスクパターンがｉｎ−ｓｉｔｕエッチングによって、下にある保護層および容易に酸化する半導体材料中に転写される。次いで、同一の反応器内で、エッチングされた回折格子を大気に露出させることなく、回折格子はオーバーグロースされる。オーバーグロースされた材料は、その構造体を反応器から取り出すときに、下にある半導体材料を、酸化から保護する。

（もっと読む）

ほぼ４５度に傾斜したファセットから一端にて光が垂直に放射される、表面放射レーザーは、モニターのために、光が水平に放射される垂直なファセットを有する第２端を含む。上記表面放射レーザーは、ほぼ４５度に傾斜した上記ファセットの上方の表面に分岐補償レンズを備える。

（もっと読む）

空洞共振発光素子を製作する方法では、窒化ガリウム種結晶（１４）及び供給源材料（３０）を、多ゾーン炉（５０）内に配設される密封容器（１０）内に配設される窒素含有過熱流体（４４）内に配置する。窒化ガリウム種結晶（１４）上で窒化ガリウム材料を成長させて、単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）が得られる。成長は、窒化ガリウム種結晶（１４）と供給源材料（３０）の間に時間的に変化する熱勾配（１００、１００’、１０２、１０２’）を適用して、この成長の少なくとも一部の間、成長速度を速くすることを含む。単結晶窒化ガリウム基板（１０６、１０６’）上に、第ＩＩＩ族窒化物層のスタック（１１２）を堆積させる。スタック（１１２）は、１以上の空洞共振発光素子（１０８、１５０、１６０、１７０、１８０）が製作されるように適合された第１ミラーサブスタック（１１６）及び活性領域（１２０）を含む。 （もっと読む）

【課題】 垂直方向でみたビーム発散を低減した半導体導波路デバイスを提供する。
【解決手段】 半導体レーザーデバイスは、遠視野及びビーム発散を低減するためのビーム制御層（４２、４１）を備えている。ビーム制御層の内部において、半導体材の物理的特性がそのビーム制御層にわたり、深さの関数として変化している。このような特性の変化は、半導体材の特性が第１のレベルから第２のレベルまで次第に変化する第１のサブ層（４２）、及び、半導体材の特性が前記第２のレベルから第３のレベルまで変化する第２のサブ層（４１）を付与することにより為される。好ましい構成の場合、半導体材の伝導帯末端が、ビーム制御層にわたってＶ字状のプロファイルとなっている。 （もっと読む）

レーザ光の発光点間隔が小さい半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。
半導体基板１２ａとレーザ発振部１０ａとを有する第１の発光素子１ａと、レーザ発振部４ａを有する第２の発光素子２ａが、レーザ発振部１０ａのリッジ導波路８ａとレーザ発振部４ａのリッジ導波路５ａを向かい合わせて、厚さの小さいＳＯＧ３ａによって固着されている。リッジ導波路８ａ上のオーミック電極層９ａに電気的に接続する導電性配線層Ｑa1と、リッジ導波路５ａ上のオーミック電極層６ａに電気的に接続する導電性配線層Ｑa2が半導体基板１２ａ上の絶縁層１１ａまで延在し、半導体基板１２ａの底面とレーザ発振部４ａの表面にオーミック電極Ｐa1，Ｐa2がそれぞれ形成されている。オーミック電極Ｐa1と配線層Ｑa1間に駆動電流を供給するとレーザ発振部１０ａ、オーミック電極Ｐa2と配線層Ｑa2間に駆動電流を供給するとレーザ発振部４ａが夫々レーザ光を出射する。厚さの小さいＳＯＧ３ａによってレーザ発振部４ａ，１０ａが固着されるため発光点間隔の小さな半導体レーザ装置となっている。
（もっと読む）

埋込トンネル接触部を持つ表面放射半導体レーザの単一モード・パワーを増加するために、トンネル接触層（６）は、開口直径（ｗ１）と開口深さ（ｄ１）とを有する開口を具備し、かつｎドーピング電流搬送層（７）でカバーされ、隣接する電流搬送層（７）は、開口の領域に、隆起部直径（ｗ２）と隆起部深さ（ｄ２）とを有する隆起部（１５）を具備するとともに、隆起部（１５）の側面領域の少なくとも周辺で電流搬送層（７）上に構造化層（８； ９）が設けられ、その厚み（ｄ３； ｄ４）が構造化層の光学的厚みが隆起部深さ（ｄ２）の領域において電流搬送層（７）の光学的厚みと少なくとも等しくなるように選択されている構造が提案されている。 （もっと読む）

バンドキャップの大きい無機のヘテロ構造内にエレクトロルミネッセンス層として量子ドットを採用した光電子デバイスが提供される。量子ドットは、デバイスの光学的活性部品として機能し、多重量子ドット層の実施形態では、格子不整合基板を有するヘテロ構造におけるナノスケールのエピタキシャル横方向成長（ＮＥＬＯＧ）を支援する。こうしたデバイスの量子ドットは、光学的に励起されて、フォトルミネッセンスを生じるのとは対照的に、電気的に励起され、エレクトロルミネッセンスを発する。エレクトロルミネッセンスには、本質的に「ストークス損失」が存在しないので、本発明のデバイスは、光学的に励起された量子ドットデバイスより高い効率を有する。さらに、本発明で得られたデバイスによれば、量子ドットの大きさと組成を調製し、製造プロセスを制御することにより、深い緑色の可視光を得ることができるとともに、白色光を含む可視スペクトル中の任意の他の色を得ることができる。

（もっと読む）

ｐ型クラッド層（１１１）をＩｎ_ｃＧａ_１−ｃＮにより構成する。Ｉｎの混晶比ｃは活性層（１０８）のＩｎ混晶比より小さくする。また、活性層（１０８）とｐ型クラッド層（１１１）の間に格子緩和層（１１２）を設ける。格子緩和層（１１２）は、ｐ型クラッド層（１１１）を結晶性よく成長させるために設けられている。格子緩和層は隣接する層と格子定数の異なる窒化物半導体よりなり、５００〜６００℃の低温で５〜１０ｎｍ程度成長するものとする。挿入する位置はｐ型光ガイド層／クラッド層の界面でもよく、ｐ型クラッド層の途中でもよい。挿入する窒化物半導体はＩｎＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等が挙げられ、このうち、特にＩｎＧａＮが好ましい。 （もっと読む）

【課題】既に達した速度を潜在的に越えることさえできる極めて高速で動作できるバイポーラトランジスタとその方法を提供することである。
【解決手段】バイポーラトランジスタから制御可能な光放射を生成する方法及び素子が開示されている。また、以下の工程、つまりエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を有するバイポーラトランジスタを提供し、電気信号とエミッタ、ベース、及びコレクタ領域を結合する電極を提供し、及び自然放射の不利益に対して誘導放射を強化するためにベース領域を適合させ、それによりベース領域のキャリア再結合寿命を削減する工程を含むバイポーラトランジスタの速度を増大させる方法も開示されている。 （もっと読む）

利得の高い活性層を安価な生産コストで簡単に得る。
面発光型の半導体レーザの半導体結晶の積層構造２０において、符号２１はｎ型のＧａＮから成るｎ型コンタクト層であり、符号２４はｐ型のＡｌＧａＮから成るｐ型層である。この面発光型の半導体レーザでは、ＩｎＧａＮから成る活性層２３の上方及び下方にそれぞれ、ｎ型のＩｎＧａＮから成るｎ型ＤＢＲ層２２と誘電体から成るＤＢＲ層２５を積層することにより、ｚ軸に垂直な反射面が形成されている。即ち、活性層２３の上方及び下方にｚ軸に垂直な反射面をそれぞれ設けることで、共振器を構成する。ここで、この双方の反射面の間の光学的な距離は発光波長λの半整数倍にする。その結果、本発明により、面発光型の半導体レーザを従来よりも遥かに簡単に製造することが可能となる。

（もっと読む）

【課題】本発明は、発光効率を高く維持しながら、基板に対して優れた接合性を有する半導体発光装置とその製造方法、およびこれを備える照明装置、さらには表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】このために、本発明に係る半導体発光装置は、発光層を有するものであって、その発光層の出射側に、表面に凹凸構造が設けられた光透過部が形成されているとともに、当該凹凸構造の上にさらに透光性を有した被膜が形成された構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体を用いたレーザ素子を実現する。
【解決手段】 少なくともｎ型コンタクト層を介して形成されたインジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体からなる層と、その上にインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなる活性層と、その上にｐ型窒化物半導体よりなるｐ型クラッド層とが順に積層された構造を有し、インジウムとガリウムとを含むｎ型窒化物半導体からなる層と、ｎ型コンタクト層との間に、互いに組成の異なる２種類の窒化物半導体が積層されてなるｎ型の多層膜を光反射膜として備え、ｎ型の多層膜の少なくとも一方の窒化物半導体層はインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体またはＧａＮからなる。 （もっと読む）