Fターム[5F173SF31]の内容
半導体レーザ (89,583) | 安定化(主に検知、帰還制御) (4,211) | 制御されるパラメータ (975)
Fターム[5F173SF31]の下位に属するFターム
パワー(光出力) (591)
波長(発振周波数) (290)
変調周波数(繰り返し周波数) (21)
その他 (71)
Fターム[5F173SF31]に分類される特許
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半導体発光素子
【課題】III 族窒化物半導体発光素子の量子井戸活性層に生じるピットの生成を抑制できるようにすると共に、電子及びホールの量子井戸活性層への注入効率を向上させられるようにする。
【解決手段】多重量子井戸活性層15は、基板側から、膜厚が3nmでInの混晶比が0.1のGaInNからなる井戸層151が3層と、各井戸層151の間に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.02のAlGaNからなる障壁層152と、3層目の井戸層151の上面に形成され、膜厚が5nmでAlの混晶比が0.15のAlGaNからなる保護層153とから構成されている。また、MOVPE法を用いて多重量子井戸活性層15を成長する際には、ガリウム源としてトリエチルガリウムを用いる。
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画像形成装置
【課題】レーザビームプリンタにおいて、レーザ駆動ICを必要としない安価な構成で適正なレーザパワーを得る。
【解決手段】第1コンパレータはフォトダイオード32から出力電圧を第1電圧と比較し、第2コンパレータはフォトダイオード32から出力電圧を第2電圧と比較する。制御部12は、第1コンパレータ、第2コンパレータからの出力信号に基いてレーザ駆動回路33に出力するPWM信号のオンデューティを調整することにより、レーザチップ31のレーザパワーを適正化する。これにより、レーザ駆動ICが不要となりコストダウンに貢献する。
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