【課題】発振スペクトル分布が狭いレーザ光を実現可能なモード同期レーザ光源装置を提供する。
【解決手段】
注入電流Iが注入されてキャリアが生成されかつキャリアの消費によりレーザ光Pのパルスを増幅すると共にキャリアの密度変化によりレーザ光Pのパルス強度に依存する自己位相変調と等価な位相変調を生じる半導体光増幅器１と、半導体光増幅器１から射出されるレーザ光Pのパルスの発振波長を可変とする掃引用変調部３と、掃引用変調部３により変調されたレーザ光Pのパルスを半導体光増幅器１に帰還させてレーザ発振現象を生じさせるリング共振器６と、異常分散領域で用いられかつリング共振器６を導波中のレーザ光Pのパルスの波長に依存してレーザ光Pのパルスの帰還時間を変化させる分散補償器５とを有する。 （もっと読む）

【課題】光注入同期の維持能力を従来と同等に保ちつつ、構成を簡易にする。
【解決手段】光利得領域３、光変調領域２、及び受動導波路領域４を備えたコア３０並びにクラッド５及び６を有する光導波路４０を含み、光注入同期を発現可能な連続波光ＣＷが注入されて、この連続波光に波長が等しい縦モードを含む光パルス列Ｌ_Ｂを出力するモード同期半導体レーザ素子１と、光パルス列に含まれる第１及び第２光成分Ｌ１及びＬ２を、その強度比が光パルス列の全光強度に対する主縦モードの比率を反映するように分離する分離手段６０と、第２光成分の光強度を用いた制御指標により、光注入同期を維持可能な波長に主縦モードを制御する制御手段６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザのゲイン部に注入するゲイン電流もしくは、過飽和吸収体部に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用い、記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＧａＩｎＮ／ＧａＮ／ＡｌＧａＮ材料による二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。そして、発振期間では、負のバイアス電圧として所望の周期で変動する周期電圧を過飽和吸収体部２に印加する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部と、ゲイン電流を注入するゲイン部を含む自励発振半導体レーザ１と、マスタークロック信号のタイミングに合わせて所定の電流信号を生成して、所定の電流信号に対応したゲイン電流を自励発振半導体レーザ１のゲイン部に注入する信号生成部と、自励発振半導体レーザ１の発振期間においては、所定の周期で変動する負のバイアス電圧を自励発振半導体レーザ１の過飽和吸収体部に印加して、発振光の発振周波数を制御する制御部３８と、を含んで光発振装置１１０を構成する。また、上述の信号生成部の代わりに、記録信号を生成する記録信号生成部３９を用いて記録装置１００を構成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で所望のパルス光周波数が容易に得られる光発振装置、記録装置を提供することを目的とする。
【解決手段】二重量子井戸分離閉じ込めヘテロ構造を有し、負のバイアス電圧を印加する過飽和吸収体部２と、ゲイン電流を注入するゲイン部３を含む自励発振半導体レーザ１と、自励発振半導体レーザ１から出射した発振光の位相とマスタークロック信号との位相差に基づいて、自励発振半導体レーザ１のゲイン部３に注入するゲイン電流を制御する制御部３８または、過飽和吸収体部２に印加する負のバイアス電圧を制御する制御部４５を含んで光発振装置及び記録装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属原子に対するＥＩＴ現象の発現効率を高めることができる量子干渉装置及び量子干渉方法を提供すること。
【解決手段】光源１０は、互いに周波数が異なる複数の第１の光と互いに周波数が異なる複数の第２の光とを発生させてアルカリ金属原子２０に照射する。光検出部３０は、アルカリ金属原子を透過した光の強度を検出する。制御部４０は、光検出部が検出した光の強度に基づいて、第１の光の各々と第２の光の各々との周波数差が^２Ｓ_１/２の第１の基底準位と第２の基底準位とのエネルギー差に相当する周波数にそれぞれ一致するように制御し、かつ、第１の光の各々の波長が^２Ｐ_１/２のいずれかの励起準位又はその近傍の準位と第１の基底準位とのエネルギー差に相当する波長と一致するように制御するとともに、第２の光の各々の波長が当該励起準位又はその近傍の準位と第２の基底準位とのエネルギー差に相当する波長と一致するように制御する。 （もっと読む）

【課題】 ディザ効果のばらつきを抑制することができる半導体レーザ装置および半導体レーザの試験方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置は、半導体レーザを含むレーザユニットと、レーザユニットに入力する波長ディザ信号の１周期未満の分解能で波長ディザ信号の振幅情報を格納するメモリと、メモリに格納された振幅情報に基づいて波長ディザ信号を生成するディザ生成部と、を備える。半導体レーザ装置の試験方法は、半導体レーザを含むレーザユニットに基準ディザ信号を入力する第１ステップと、基準ディザ信号とレーザユニットの単位時間における波長変動を示す波長変動信号とを比較する第２ステップと、第２ステップによって得られた誤差情報に基づいて基準ディザ信号を補正する第３ステップと、補正された基準ディザ信号をレーザユニットに対するディザ制御信号としてメモリに格納する第４ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】簡明な構成で、出力光のスペクトル幅を調整可能なレーザ装置、光源装置これらの調整方法を提供する。
【解決手段】光源装置１は、レーザ装置１０と波長変換部３０とを備えて構成される。レーザ装置１０は、単一波長のパルス光を発生するレーザ光発生部１１と、レーザ光発生部１１により発生されたパルス光Ｌsを増幅する光増幅部１２と、光増幅部１２により増幅されたパルス光Ｌaの一部を時間的に切り出して短パルス光Ｌp出射するパルス光変調部１５と、パルス光変調部１５による切り出しタイミングを調整する遅延調整器８７およびトリガパルス遅延部８４からなるタイミング調整部と、を備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】出力光量の調整を行っても光変換効率の低下が少なく、低消費電力の光源装置および画像表示装置を提供する。
【解決手段】発光素子としてのレーザーアレイチップ１１と、共振器ミラーとしての外部ミラー１７と、波長変換素子１６とを備え、レーザーアレイチップ１１と外部ミラー１７の間で発生した基本レーザー光Ｗ１を、波長変換素子１６に通して波長変換された出力光Ｗ２を生成するレーザーモジュール１０と、レーザーモジュール１０をパルス状の駆動信号２１で駆動する制御部２０と、からなる光源装置であって、制御部２０は、外部から入力される光量コントロール信号２３に応じて、レーザーモジュール１０の駆動信号２１のパルス周期３３を変化させることにより、出力光Ｗ２の光量を調整することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの出射周期を自在に調整できるようにする。
【解決手段】本発明は、半導体レーザ３からパルス状のレーザ光ＬＬであるパルス光を出射し、パルス信号ＳＬに基づいて生成され、パルス状の駆動電圧パルスＤＪｗでなるレーザ駆動電圧ＤＪを半導体レーザ３に対して印加する。このとき短パルス光源５１は、駆動電圧パルスＤＪｗの間隔である電圧周期ＴＶを変動させて、パルス信号ＳＬにおける生成信号パルスＳＬｗの間隔である周期ＴＳを変動させる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザの温度変動に起因する出力光の周波数特性の変動を低減することが可能な半導体レーザ駆動回路を提供する
【解決手段】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ駆動回路１は、半導体レーザ５に並列に接続された第１のトランジスタ１８をスイッチングして該半導体レーザ５に供給されるバイアス電流を分流することにより、該半導体レーザ５の出力光を変調するシャント駆動型の半導体レーザ駆動回路において、分流したバイアス電流を第１のトランジスタ１８に導くように、第１のトランジスタ１８に直列に接続された第２のトランジスタ２０を備え、第２のトランジスタ２０の伝達コンダクタンスを半導体レーザ５の温度に応じて変更する。 （もっと読む）

【課題】レーザダイオード（ＬＤ）の閾値電流及び変換効率に変動が生じた場合でも最大光出力、消光比及びデューティ比を常に一定に制御できるレーザ駆動回路を提供する。
【解決手段】ＬＤからなる発光回路２１ａと、該発光回路を駆動するためのＬＤ駆動回路２２と、該ＬＤ駆動回路から出力されるパルス電流にバイアス電流を付加するためのバイアス回路２３と、発光回路の出力するモニタ光を受光するための受光回路２１ｂと、該受光回路の出力を電流−電圧変換するためのＩ／Ｖ変換回路２４と、該Ｉ／Ｖ変換回路の出力電圧の最大値及び平均値をそれぞれ検出するための最大値検出回路２５及び平均値検出回路２６と、検出した最大値と第１の基準値とを比較して結果をＬＤ駆動回路へ帰還するための第１の比較回路２７と、検出した平均値と第２の基準値とを比較して結果をバイアス回路へ帰還するための第２の比較回路２９とを設ける。 （もっと読む）

【課題】測定環境に依存することなく、ガスの吸収波長と半導体レーザの発光波長とを精度よく合わせる。
【解決手段】レーザ光の基本波成分と２倍波成分との振幅比が最大になるようにレーザ素子の温度を設定した上で、波長λＬを基準として波長変調された時のレーザ光の基本波成分と２倍波成分との振幅比と、波長λｓを基準として波長変調された時のレーザ光の基本波成分と２倍波成分との振幅比とが一致するように半導体レーザ４１の駆動電流を制御し、それらの振幅比とが一致するような吸収ピーク波長λｃを基準として波長変調された時の基本波成分と２倍波成分との振幅比に基づいて測定対象ガスの濃度を算出する。 （もっと読む）

【課題】CS光パルス列を構成する光パルスの半値幅を変えることが可能であり、かつ小型で消費電力が小さい。
【解決手段】光変調領域10、利得領域12、位相調整領域14及び分布反射鏡領域16を具えて構成される分布帰還型半導体レーザ100である。利得領域には、p側電極26とn側共通電極32とを介して、定電流源38によって電流が注入されて、レーザ発振に必要な反転分布が形成される。光変調領域では、モード同期の発現に必要な光変調がなされる。分布反射鏡領域には回折格子18が形成されている。モード同期半導体レーザの縦モードのうち、分布反射鏡領域のブラッグ波長を周波数に換算した周波数f₀に近接する２つの縦モードが、f₀+(f_rep/2)及びf₀-(f_rep/2)となるように、位相調整領域ならびに分布反射鏡領域の実効屈折率を調整することによって、繰り返し周波数がf_repであるCS光パルス列を発生させる。 （もっと読む）

【課題】高速波長制御が可能で、長期間メンテナンスフリーで使用することができる波長可変光源装置、及び、波長可変光源制御方法を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体クラッド層３１とｎ型半導体クラッド層３０とにより挟まれた領域に、クラッド層よりもバンドギャップが小さい半導体コア層３２を有する光導波路を形成し、光導波路は、順方向の電圧印加、又は、電流注入により発光する活性領域２６からなる活性導波路と、活性導波路の両端に設けられた非活性領域２４，２５，２７，２８，２９からなる非活性導波路とを備え、活性導波路と非活性導波路とは光学的に接続されて半導体レーザを構成し、半導体レーザの前記非活性領域には順方向定電圧印加手段１０ないし１４を接続した。 （もっと読む）

【課題】原子時計の小型化を図りつつ、量産性を向上させる。
【解決手段】内部に原子ガスを封入した、セラミックパッケージ２００と封止部１１０から形成されるセルと、セル内部に入射して原子ガスを励起させるレーザ光を発振するレーザダイオード１２０と、セルを通過したレーザ光を受光するフォトディテクタ１３０を備え、レーザダイオード１２０およびフォトディテクタ１３０は、セルの内部に面した同一の面に貼付され、封止部１１０は、レーザダイオード１２０から発振されたレーザ光が、４５度の入射角で入射するように形成された反射面１１２と、反射面１１２で反射されたレーザ光が、４５度の入射角で入射するように形成された反射面１１３を備える。 （もっと読む）

【課題】ＢＤ用の光ディスクを記録再生する際に、温度が変化した場合のレーザダイオードの光周波数特性を所定の範囲内とする温度補償を行うこと。
【解決手段】レーザダイオード駆動回路の出力段に容量可変ダイオードＶＤを接続する。レーザダイオードＬＤの温度を温度センサー１で検出し、検出温度に対応する補償電圧値を制御テーブル２により求め、これをさらにＤ／Ａバッファ３により補償電圧に変換して、容量可変ダイオードＶＤに印加する。これにより、レーザダイオードＬＤの光周波数特性が常に所定の範囲に入るようにレーザダイオード駆動回路の出力段の容量を変化させて、ＢＤ用の光ディスクを記録再生する際に、温度が変化した場合のレーザダイオードＬＤの光周波数特性を所定の範囲内とする温度補償を行う。 （もっと読む）

【課題】 駆動に必要な高周波電気信号の電力を低減し、光損失を小さくしてレーザの閾値電流を下げ、強度変調を抑えた高品質の光パルス列を生成する。
【解決手段】 半導体モード同期レーザの電界吸収型光変調器領域を、光の進行方向に配置された光学的に直列接続された２つの電界吸収型光変調器領域１０３，１０４に分割する。発振器１０２にて発信した高周波電気信号を電力分配器１０６にて分配し、分配した一方の高周波電気信号を電界吸収型光変調器領域１０３に印加する。分配した他方の高周波電気信号は、遅延線１０９にて位相をπ遅延させてから、電界吸収型光変調器領域１０３に印加する。 （もっと読む）

本発明の半導体レーザ駆動装置は、光記録媒体に記録されている情報の劣化を招くことなく再生可能とするために、半導体レーザと、半導体レーザの出射光の一部を受光し光量に対応した電気信号に変換する光検出素子と、電気信号の平均値が与えられた目標値に一致するように半導体レーザに駆動信号を入力するレーザ駆動回路と、高周波信号の振幅を制御する高周波重畳制御部と、を備えている。高周波重畳制御部は、電気信号の平均値に対する電気信号のピーク値の比であるピーク対平均比が、与えられた基準値を超えて高くならないように、振幅を制御する。
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